晶合集成获得发明专利授权：“一种半导体结构及其制造方法”

证券之星消息，根据企查查数据显示晶合集成（688249）新获得一项发明专利授权，专利名为“一种半导体结构及其制造方法”，专利申请号为CN202410269940.4，授权日为2024年5月28日。

专利摘要：本发明公开了一种半导体结构及其制造方法，属于半导体技术领域，所述半导体结构包括：衬底，包括逻辑区域和像素区域；栅极结构，设置在逻辑区域和像素区域的衬底上；自对准硅化物层，设置在逻辑区上，且设置在栅极结构和栅极结构两侧的衬底上；保护层，设置在像素区域，覆盖像素区域的衬底和栅极结构；第一覆盖层，设置在保护层上；以及缓冲层，设置在逻辑区域和第一覆盖层上，覆盖第一覆盖层以及逻辑区域上的衬底和栅极结构，且保护层和缓冲层的厚度差距小于10?。通过本发明提供的一种半导体结构及其制造方法，提高半导体结构的性能。

今年以来晶合集成新获得专利授权140个，较去年同期增加了129.51%。结合公司2023年年报财务数据，2023年公司在研发方面投入了10.58亿元，同比增23.39%。

数据来源：企查查

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