证券之星消息,根据企查查数据显示晶合集成(688249)新获得一项发明专利授权,专利名为“浅沟槽隔离结构、半导体结构及制备方法”,专利申请号为CN202410191068.6,授权日为2024年5月28日。
专利摘要:本发明公开了一种浅沟槽隔离结构、半导体结构及制备方法,本发明利用现有技术中制备阱区时的离子注入设备,在制备浅沟槽隔离结构过程中的台阶调整之后,注入一定浓度的B离子到AA corner,之后移除垫氮化层,在半导体衬底上得到若干浅沟槽隔离结构。通过若干浅沟槽隔离结构将半导体衬底分隔成若干N型或者P型有源区,根据设计对有源区进行源区、漏区、沟道和栅极制备,形成NMOS或者PMOS。由于本发明提前在设计为NMOS区域四周的浅沟槽隔离结构内注入B离子,使得后续在该有源区制备阱区时,能够避免有源区AA与STI搭界处的B离子析出至STI中,导致NMOS的阈值电压Vt无法满足设计要求的问题。本发明改造成本低廉,修正阈值电压效果好,具体较大的实用价值。
今年以来晶合集成新获得专利授权140个,较去年同期增加了129.51%。结合公司2023年年报财务数据,2023年公司在研发方面投入了10.58亿元,同比增23.39%。
数据来源:企查查
以上内容由证券之星根据公开信息整理,由算法生成(网信算备310104345710301240019号),与本站立场无关,如数据存在问题请联系我们。本文为数据整理,不对您构成任何投资建议,投资有风险,请谨慎决策。