晶合集成获得发明专利授权：“半导体器件、半导体器件的制作方法以及三维存储器”

证券之星消息，根据企查查数据显示晶合集成（688249）新获得一项发明专利授权，专利名为“半导体器件、半导体器件的制作方法以及三维存储器”，专利申请号为CN202410157994.1，授权日为2024年5月24日。

专利摘要：本申请提供了一种半导体器件、半导体器件的制作方法以及三维存储器。该器件包括衬底、栅极结构以及两个外延部，其中，栅极结构位于衬底的部分表面上；两个外延部分别位于栅极结构的两侧的衬底中，外延部的预定截面的形状在靠近栅极结构的一侧具有至少两个尖角，且一个外延部的至少两个尖角沿着预定方向排列。该器件的两个外延部的预定截面的形状在靠近栅极结构的一侧具有至少两个尖角，且一个外延部的至少两个尖角沿着预定方向排列，两个外延部形成了至少两对相对的尖角，进一步增加沟道内的应力，从而提升半导体器件的性能，进而解决了现有技术中半导体器件的沟道内应力较低导致半导体性能较差的问题。

今年以来晶合集成新获得专利授权132个，较去年同期增加了116.39%。结合公司2023年年报财务数据，2023年公司在研发方面投入了10.58亿元，同比增23.39%。

数据来源：企查查

以上内容由证券之星根据公开信息整理，由算法生成（网信算备310104345710301240019号），与本站立场无关，如数据存在问题请联系我们。本文为数据整理，不对您构成任何投资建议，投资有风险，请谨慎决策。