证券之星消息,根据企查查数据显示晶合集成(688249)新获得一项发明专利授权,专利名为“半导体器件以及半导体器件的制作方法”,专利申请号为CN202410183803.9,授权日为2024年5月24日。
专利摘要:本申请提供了一种半导体器件以及半导体器件的制作方法。该半导体器件包括基底、晶体管结构以及静电释放结构,其中,基底包括层叠的衬底以及外延层,外延层包括第一区域以及位于第一区域周围的第二区域,且第一区域包括多个间隔设置的第一沟槽,第二区域包括多个间隔设置的第二沟槽;晶体管结构包括多个间隔设置的第一沟槽栅,第一沟槽栅一一对应的位于第一沟槽中;静电释放结构包括多个间隔设置的第二沟槽栅,第二沟槽栅位于对应的第二沟槽中,且第二沟槽栅接地。由于第二沟槽栅接地,使得在发生雪崩击穿时,产生的大量电荷可以通过第二沟槽栅进行释放,保证了静电产生的大量电荷可以得到释放,保证了半导体器件的性能较好。
今年以来晶合集成新获得专利授权132个,较去年同期增加了116.39%。结合公司2023年年报财务数据,2023年公司在研发方面投入了10.58亿元,同比增23.39%。
数据来源:企查查
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