晶合集成获得发明专利授权：“半导体器件以及半导体器件的制作方法”

证券之星消息，根据企查查数据显示晶合集成（688249）新获得一项发明专利授权，专利名为“半导体器件以及半导体器件的制作方法”，专利申请号为CN202410183803.9，授权日为2024年5月24日。

专利摘要：本申请提供了一种半导体器件以及半导体器件的制作方法。该半导体器件包括基底、晶体管结构以及静电释放结构，其中，基底包括层叠的衬底以及外延层，外延层包括第一区域以及位于第一区域周围的第二区域，且第一区域包括多个间隔设置的第一沟槽，第二区域包括多个间隔设置的第二沟槽；晶体管结构包括多个间隔设置的第一沟槽栅，第一沟槽栅一一对应的位于第一沟槽中；静电释放结构包括多个间隔设置的第二沟槽栅，第二沟槽栅位于对应的第二沟槽中，且第二沟槽栅接地。由于第二沟槽栅接地，使得在发生雪崩击穿时，产生的大量电荷可以通过第二沟槽栅进行释放，保证了静电产生的大量电荷可以得到释放，保证了半导体器件的性能较好。

今年以来晶合集成新获得专利授权132个，较去年同期增加了116.39%。结合公司2023年年报财务数据，2023年公司在研发方面投入了10.58亿元，同比增23.39%。

数据来源：企查查

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