晶合集成获得发明专利授权：“一种半导体器件及其制备方法”

证券之星消息，根据企查查数据显示晶合集成（688249）新获得一项发明专利授权，专利名为“一种半导体器件及其制备方法”，专利申请号为CN202410211058.4，授权日为2024年5月24日。

专利摘要：本发明提供一种半导体器件及其形成方法，半导体器件的形成方法包括：在半导体衬底上形成有功函数调节层、保护层、伪栅极层、氮化硅层、氧化硅层；依次刻蚀氧化硅层、氮化硅层、伪栅极层、保护层和功函数调节层；填充层间介质层；平坦化层间介质层直至暴露出伪栅极；采用多晶硅对氮化硅层及氧化硅层高刻蚀选择比刻蚀气体，干法去除伪栅极；通过湿法刻蚀工艺去除所述保护层，解决了后续金属栅极材料填充时金属栅极过低造成的电性测试失效的问题；仅使用一次掩膜刻蚀形成金属栅极，大幅度降低了工艺难度和工艺成本；还通过干法刻蚀工艺搭配保护层对功函数调节层的保护，快速有效去除伪栅极，提升了产能的同时还避免了功函数调节层的损伤。

今年以来晶合集成新获得专利授权132个，较去年同期增加了116.39%。结合公司2023年年报财务数据，2023年公司在研发方面投入了10.58亿元，同比增23.39%。

数据来源：企查查

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