晶合集成获得发明专利授权：“一种LDMOS结构以及制备方法”

证券之星消息，根据企查查数据显示晶合集成（688249）新获得一项发明专利授权，专利名为“一种LDMOS结构以及制备方法”，专利申请号为CN202410211055.0，授权日为2024年5月17日。

专利摘要：本发明提供一种LDMOS结构以及制备方法，LDMOS结构包括位于衬底中且间隔设置的漂移区和体区，位于漂移区中的漏极、位于体区中的源极，还包括凹槽、氧化层、栅氧层和多晶硅层，氧化层位于漂移区上方，凹槽位于体区，凹槽和氧化层相邻设置，凹槽的部分延伸至漂移区和体区之间的间隙中，漏极和源极分别位于凹槽和氧化层的外侧，栅氧层覆盖凹槽的底壁和侧壁，多晶硅层覆盖栅氧层并填充凹槽，同时还覆盖氧化层靠近栅氧层一侧的部分表面，凹槽能够合理的分散多晶硅栅极两侧的电场，使得反型沟道合理的沿多晶硅栅极分布；多晶硅层覆盖栅氧层并填充凹槽，同时还覆盖氧化层靠近栅氧层一侧的部分表面，可以提高击穿电压，并缩短LDMOS结构的尺寸。

今年以来晶合集成新获得专利授权126个，较去年同期增加了137.74%。结合公司2023年年报财务数据，2023年公司在研发方面投入了10.58亿元，同比增23.39%。

数据来源：企查查

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