晶合集成获得发明专利授权：“一种LDMOS器件及其制备方法”

证券之星消息，根据企查查数据显示晶合集成（688249）新获得一项发明专利授权，专利名为“一种LDMOS器件及其制备方法”，专利申请号为CN202410231492.9，授权日为2024年5月10日。

专利摘要：本发明提供一种LDMOS器件及其制备方法，LDMOS器件包括设置于衬底中的源区、漏区、Pbody区和漂移区，设置于衬底上的至少两个间隔设置的栅极结构、至少两个阻挡结构、介质层和场板，源区和漏区分别位于每个栅极结构的两侧，阻挡结构从栅极结构远离源区一侧的衬底上向源区方向延伸，并覆盖栅极结构的部分侧壁和部分表面，栅极结构和阻挡结构一一对应设置，且介质层覆盖衬底、栅极结构和阻挡结构；阻挡结构包括从下至上依次堆叠设置的第一阻挡层、多晶硅层和第二阻挡层，场板从上至下依次贯通介质层、第二阻挡层和多晶硅层，并伸入第一阻挡层中。本发明通过阻挡结构与场板结构整合，可以优化并降低电场分布强度，并提高击穿电压。

今年以来晶合集成新获得专利授权121个，较去年同期增加了128.3%。结合公司2023年年报财务数据，2023年公司在研发方面投入了10.58亿元，同比增23.39%。

数据来源：企查查

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