晶合集成获得发明专利授权：“一种半导体结构及其制造方法”

证券之星消息，根据企查查数据显示晶合集成（688249）新获得一项发明专利授权，专利名为“一种半导体结构及其制造方法”，专利申请号为CN202311744273.2，授权日为2024年4月12日。

专利摘要：本发明公开了一种半导体结构及其制造方法，属于半导体技术领域，所述半导体结构包括：衬底，包括第一区域和第二区域；多个浅沟槽隔离结构，设置在所述第一区域和所述第二区域之间；第一浅沟槽隔离凹陷区，设置在所述第一区域两侧的所述浅沟槽隔离结构内；以及第二浅沟槽隔离凹陷区，设置在所述第二区域两侧的所述浅沟槽隔离结构内，且所述第二浅沟槽隔离凹陷区的深度和/或宽度小于或等于所述第一浅沟槽隔离凹陷区的深度和/或宽度。通过本发明提供的一种半导体结构及其制造方法，能够调节不同半导体器件沟道宽度效应。

今年以来晶合集成新获得专利授权92个，较去年同期增加了119.05%。结合公司2023年中报财务数据，2023上半年公司在研发方面投入了5.02亿元，同比增27.46%。

数据来源：企查查

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