晶合集成获得发明专利授权：“溅射刻蚀方法及半导体结构”

证券之星消息，根据企查查数据显示晶合集成（688249）新获得一项发明专利授权，专利名为“溅射刻蚀方法及半导体结构”，专利申请号为CN202410016595.3，授权日为2024年4月9日。

专利摘要：本申请涉及一种溅射刻蚀方法及半导体结构。该方法包括：于真空腔室的载台上放置待处理对象，并向真空腔室内通入待电离气体；真空腔室的腔壁内设有射频线圈，真空腔室的顶部设有靶材；于依序进行的第一阶段、第二阶段、第三阶段以及第四阶段分别对应启动施加第一功率的直流电信号、第二功率的交流电信号、第三功率的直流电信号和第四功率的交流电信号，以依次将待电离气体电离成具有第一密度的等离子体、进一步形成具有第二密度的等离子体、均匀化等离子体以及对待处理对象进行刻蚀。本申请通过优化多个不同类型电信号的启动施加时序，从而可以有效提高溅射刻蚀处理的稳定性，进而可以确保于执行溅射刻蚀处理所得到的半导体结构的形貌质量。

今年以来晶合集成新获得专利授权87个，较去年同期增加了112.2%。结合公司2023年中报财务数据，2023上半年公司在研发方面投入了5.02亿元，同比增27.46%。

数据来源：企查查

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