证券之星消息,根据企查查数据显示晶合集成(688249)新获得一项发明专利授权,专利名为“一种半导体结构的制作方法”,专利申请号为CN202410110091.8,授权日为2024年4月9日。
专利摘要:本发明公开了一种半导体结构的制作方法,属于半导体技术领域,所述制作方法至少包括:提供一衬底,在所述衬底上依次形成垫氧化层和垫氮化层;蚀刻部分所述垫氧化层、所述垫氮化层和所述衬底,形成浅沟槽;在所述浅沟槽内沉积绝缘介质,所述浅沟槽内的所述绝缘介质与两侧的所述垫氮化层齐平;回刻所述绝缘介质,形成第一凹部;在所述第一凹部和所述垫氮化层上形成补偿层;氧化所述补偿层,形成氧化层;平坦化所述氧化层,暴露所述垫氮化层;去除所述垫氮化层;以及去除所述垫氧化层和部分所述氧化层。通过本发明提供的一种半导体结构的制作方法,能够避免在浅沟槽隔离结构的角边缘出现凹陷现象,提高半导体结构的性能。
今年以来晶合集成新获得专利授权87个,较去年同期增加了112.2%。结合公司2023年中报财务数据,2023上半年公司在研发方面投入了5.02亿元,同比增27.46%。
数据来源:企查查
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