晶合集成获得发明专利授权：“一种半导体器件及其制作方法”

证券之星消息，根据企查查数据显示晶合集成（688249）新获得一项发明专利授权，专利名为“一种半导体器件及其制作方法”，专利申请号为CN202410109634.4，授权日为2024年4月9日。

专利摘要：本发明公开了一种半导体器件及其制作方法，属于半导体技术领域，所述制作方法包括：提供一衬底，衬底上依次形成垫氧化层、垫氮化层和氧化硬掩模层；在衬底内形成多个沟槽；在沟槽的侧壁和底部形成保护氧化层，在垫氧化层与衬底的界面，保护氧化层向垫氧化层的底部生长，且厚度递减；回刻垫氮化层；去除氧化硬掩模层和保护氧化层，在沟槽靠近所述衬底的顶部边缘，沟槽与两侧的衬底之间形成预设倾斜角度的斜坡；在沟槽内形成介质层；在介质层上形成屏蔽栅极；去除垫氧化层、垫氮化层和部分介质层；在衬底和屏蔽栅极上形成栅间氧化层；在部分栅间氧化层上形成控制栅极。通过本发明提供的一种半导体器件及其制作方法，提高半导体器件的性能。

今年以来晶合集成新获得专利授权87个，较去年同期增加了112.2%。结合公司2023年中报财务数据，2023上半年公司在研发方面投入了5.02亿元，同比增27.46%。

数据来源：企查查

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