晶合集成获得发明专利授权：“半导体叠层结构的制造方法及半导体结构”

证券之星消息，根据企查查数据显示晶合集成（688249）新获得一项发明专利授权，专利名为“半导体叠层结构的制造方法及半导体结构”，专利申请号为CN202311789157.2，授权日为2024年4月9日。

专利摘要：本公开涉及一种半导体叠层结构的制造方法及半导体结构，该方法包括提供衬底，于衬底的顶面形成沿第一方向延伸的第一金属结构及位于第一金属结构的沿第二方向相对两侧的隔离结构，第一金属结构与隔离结构之间包括位于第一金属结构外侧壁的牺牲氧化层；去除部分隔离结构及牺牲氧化层，形成暴露出部分第一金属结构的沿第二方向相对侧表面的目标凹槽；至少于第一金属结构的裸露表面形成绝缘层；形成至少填充满目标凹槽且沿第二方向延伸的第二金属结构；在与第一状态不同的其他状态下，第二金属结构与第一金属结构之间具有至少一种互联状态。可以避免第一金属结构损伤，减少芯片工艺不良的问题。

今年以来晶合集成新获得专利授权87个，较去年同期增加了112.2%。结合公司2023年中报财务数据，2023上半年公司在研发方面投入了5.02亿元，同比增27.46%。

数据来源：企查查

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