证券之星消息,振华科技(000733)04月09日在投资者关系平台上答复投资者关心的问题。
投资者:你好,在功率半导体领域第三代半导体碳化硅和氮化镓,拥有比硅基功率半导体更好的性能,请问贵公司第三代半导体碳化硅衬底的MOSFET是否已实现量产?贵公司是否有另一种第三代半导体氮化镓衬底的器件?
振华科技董秘:您好,感谢您对公司的关注。公司已成功研制部分氮化镓衬底的功率器件-GaN HEMT,分别为低压100V系列和高压650V系列,目前处于用户试用阶段。
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