晶合集成获得发明专利授权：“半导体结构的制备方法及半导体结构”

证券之星消息，根据企查查数据显示晶合集成（688249）新获得一项发明专利授权，专利名为“半导体结构的制备方法及半导体结构”，专利申请号为CN202311741315.7，授权日为2024年4月5日。

专利摘要：本发明涉及一种图像传感器的制备方法及图像传感器，包括：提供衬底，衬底中形成有多个浅沟槽隔离结构；于衬底内形成第一阻挡层；其中，第一阻挡层与浅沟槽隔离结构的底部接触；去除远离位于第一阻挡层远离浅沟槽隔离结构一侧的衬底，以露出第一阻挡层的第一表面；于第一阻挡层的第一表面上形成功能叠层，功能叠层包括多层功能层，各功能层的材料不同；于功能叠层上形成第二阻挡层；于功能叠层和第二阻挡层内形成多个间隔排布的深沟槽隔离结构，深沟槽隔离结构与浅沟槽隔离结构对应设置，能够避免不同功能叠层之间、以及功能叠层和其他结构之间出现串扰。

今年以来晶合集成新获得专利授权77个，较去年同期增加了102.63%。结合公司2023年中报财务数据，2023上半年公司在研发方面投入了5.02亿元，同比增27.46%。

数据来源：企查查

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