晶合集成获得发明专利授权：“半导体器件以及其测试方法”

证券之星消息，根据企查查数据显示晶合集成（688249）新获得一项发明专利授权，专利名为“半导体器件以及其测试方法”，专利申请号为CN202311689967.0，授权日为2024年3月26日。

专利摘要：本申请提供了一种半导体器件以及其测试方法，其中，该半导体器件包括：器件结构，包括MOS器件，MOS器件包括器件有源区和器件金属硅化物，器件金属硅化物位于器件有源区；测试结构，包括测试器件，测试器件包括多个测试栅极、至少一个测试有源区和至少一个测试金属硅化物，多个测试栅极间隔排列，测试有源区位于两个测试栅极之间，测试金属硅化物一一对应地位于有源区，其中，器件金属硅化物和测试金属硅化物为通过同一步骤形成的。本申请解决了现有技术中无法有效监控线上半导体器件是否漏电的问题。

今年以来晶合集成新获得专利授权64个，较去年同期增加了82.86%。结合公司2023年中报财务数据，2023上半年公司在研发方面投入了5.02亿元，同比增27.46%。

数据来源：企查查

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