证券之星消息,根据企查查数据显示晶合集成(688249)新获得一项发明专利授权,专利名为“一种半导体结构及其制造方法”,专利申请号为CN202311666587.5,授权日为2024年3月19日。
专利摘要:本申请公开了一种半导体结构及其制造方法。制造方法包括:刻蚀衬底以在衬底内形成多个沟槽与多个有源区。回拉刻蚀氮化掩模层并去除氧化掩模层。在有源区表面的边缘区域上形成保护层,以使保护层能遮挡有源区的表面。在沟槽表面形成氧化层并在沟槽内填充屏蔽栅。基于上述制造方法及其制造的半导体结构,可以通过保护层以及氮化掩模层完全遮挡有源区的表面,确保在形成氧化层时有源区的表面不会暴露在热氧环境中,避免有源区的表面被氧化而产生鸟嘴效应从而保证有源区的表面的平坦性,降低了后续工艺的难度并提高了工艺效果,进而提高了半导体结构的器件性能。
今年以来晶合集成新获得专利授权61个,较去年同期增加了103.33%。结合公司2023年中报财务数据,2023上半年公司在研发方面投入了5.02亿元,同比增27.46%。
数据来源:企查查
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