晶合集成获得发明专利授权：“深沟槽的形成方法以及背照式图像传感器制造方法”

证券之星消息，根据企查查数据显示晶合集成（688249）新获得一项发明专利授权，专利名为“深沟槽的形成方法以及背照式图像传感器制造方法”，专利申请号为CN202311507845.5，授权日为2024年3月8日。

专利摘要：本发明提供的一种深沟槽的形成方法及背照式图像传感器制造方法，所述深沟槽的形成方法通过先在外延层上形成第一深沟槽，再通过湿法刻蚀工艺将第一深沟槽刻蚀成第二深沟槽，然后形成第一介质层和第二介质层，由于第二深沟槽的顶部开口宽度较小，第二介质层很容易将第二深沟槽的顶部开口封住，然后在第二介质层上形成第三介质层。第三介质层厚度均匀，无需进行化学机械研磨工艺，避免了化学机械研磨工艺带来的器件表面缺陷和晶格损伤，提高了背照式图像传感器的器件良率。

今年以来晶合集成新获得专利授权57个，较去年同期增加了96.55%。结合公司2023年中报财务数据，2023上半年公司在研发方面投入了5.02亿元，同比增27.46%。

数据来源：企查查

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