晶合集成获得发明专利授权：“一种半导体器件及其制作方法”

证券之星消息，根据企查查数据显示晶合集成（688249）新获得一项发明专利授权，专利名为“一种半导体器件及其制作方法”，专利申请号为CN202311424994.5，授权日为2024年3月1日。

专利摘要：本发明公开一种半导体器件及其制作方法，属于半导体技术领域，半导体器件包括：衬底，包括第一区域和第二区域；浅沟槽隔离结构，设置在第一区域和第二区域之间；第一内衬氧化层，设置在靠近第一区域两侧浅沟槽隔离结构的内壁上，所述第一内衬氧化层通过第一退火后存在压应力；第二内衬氧化层，设置在靠近第二区域两侧浅沟槽隔离结构的内壁上，所述第二内衬氧化层通过第二退火后存在拉应力；栅极结构，设置在第一区域和第二区域上；源掺区和漏掺区，分别设置在栅极结构两侧衬底内；应力氮化层，设置在第二区域上的栅极、侧墙结构和衬底上。通过本发明提供的一种半导体器件及其制作方法，提高半导体器件的性能。

今年以来晶合集成新获得专利授权55个，较去年同期增加了111.54%。结合公司2023年中报财务数据，2023上半年公司在研发方面投入了5.02亿元，同比增27.46%。

数据来源：企查查

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