晶合集成获得发明专利授权：“一种背照式图像传感器的半导体结构及其制作方法”

证券之星消息，根据企查查数据显示晶合集成（688249）新获得一项发明专利授权，专利名为“一种背照式图像传感器的半导体结构及其制作方法”，专利申请号为CN202311412417.4，授权日为2024年3月1日。

专利摘要：本发明公开了一种背照式图像传感器的半导体结构及其制作方法，属于半导体技术领域。所述背照式图像传感器的半导体结构包括：衬底；多个深沟槽，设置在所述衬底内；内衬氧化层，设置在所述深沟槽的侧壁和底部以及所述衬底上；高介电介质层，设置在所述内衬氧化层上；第一氧化层，设置在所述高介电介质层上，所述第一氧化层填充至所述深沟槽的顶部，且所述第一氧化层在所述深沟槽内形成空气间隙，所述空气间隙的顶部低于所述深沟槽的顶部；第二氧化层，形成在所述第一氧化层上，所述第一氧化层和所述第二氧化层结合后压力类型为压应力。通过本发明提供的一种背照式图像传感器的半导体结构及其制作方法，改善衬底与膜层表面的气泡缺陷。

今年以来晶合集成新获得专利授权55个，较去年同期增加了111.54%。结合公司2023年中报财务数据，2023上半年公司在研发方面投入了5.02亿元，同比增27.46%。

数据来源：企查查

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