晶合集成获得发明专利授权：“一种半导体结构及其制造方法”

证券之星消息，根据企查查数据显示晶合集成（688249）新获得一项发明专利授权，专利名为“一种半导体结构及其制造方法”，专利申请号为CN202311703330.2，授权日为2024年3月1日。

专利摘要：本发明涉及半导体制造技术领域，并公开了一种半导体结构及其制造方法，其中所述半导体结构至少包括：衬底，衬底上设置逻辑金属互连层；阻挡层，设置在衬底上，且阻挡层位于与逻辑金属互连层相对的一侧；深槽隔离结构，设置在阻挡层上，且深槽隔离结构在阻挡层上划分出多个像素区，其中相邻的深槽隔离结构之间设置沉积沟槽；像素传导层，设置在沉积沟槽内，像素传导层覆盖深槽隔离结构的部分侧壁和阻挡层；以及像素接收层，设置在沉积沟槽内，且像素接收层覆盖在像素传导层上。本发明提供了一种半导体结构及其制造方法，能够提升制程良率。

今年以来晶合集成新获得专利授权55个，较去年同期增加了111.54%。结合公司2023年中报财务数据，2023上半年公司在研发方面投入了5.02亿元，同比增27.46%。

数据来源：企查查

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