晶合集成获得发明专利授权：“一种半导体结构及其制作方法”

证券之星消息，根据企查查数据显示晶合集成（688249）新获得一项发明专利授权，专利名为“一种半导体结构及其制作方法”，专利申请号为CN202311425187.5，授权日为2024年3月1日。

专利摘要：本发明公开了一种半导体结构及其制作方法，属于半导体技术领域。所述半导体结构包括：衬底，所述衬底上设置有半导体器件的栅极结构，所述栅极结构突出设置在所述衬底上；侧墙结构，设置在所述栅极结构的两侧；第一接触孔刻蚀停止层，设置在所述衬底、所述栅极结构和所述侧墙结构上；第二接触孔刻蚀停止层，设置在所述侧墙结构上的所述第一接触孔刻蚀停止层上，所述第二接触孔刻蚀停止层的致密性大于所述第一接触孔刻蚀停止层的致密性；介质层，覆盖在所述第一接触孔刻蚀停止层和所述第二接触孔刻蚀停止层上，以及多个金属连接结构，设置在所述介质层内。通过本发明提供的一种半导体结构及其制作方法，能够提高半导体结构的良率和可靠性。

今年以来晶合集成新获得专利授权55个，较去年同期增加了111.54%。结合公司2023年中报财务数据，2023上半年公司在研发方面投入了5.02亿元，同比增27.46%。

数据来源：企查查

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