晶合集成获得发明专利授权：“一种半导体结构的制造方法”

证券之星消息，根据企查查数据显示晶合集成（688249）新获得一项发明专利授权，专利名为“一种半导体结构的制造方法”，专利申请号为CN202311402093.6，授权日为2024年3月1日。

专利摘要：本发明提出一种半导体结构的制造方法，包括：提供一衬底；形成多晶硅层于衬底上；形成光阻层于多晶硅层上；提供一掩模版，掩模版包括第一版图区域和第二版图区域，使用第一版图区域对光阻层进行第一次曝光，在光阻层上形成预设栅极图形；移动衬底，使用第二版图区域对光阻层进行第二次曝光，在预设栅极图形上形成间隙图形，并获取图案化光阻层；以及以图案化光阻层为掩膜，蚀刻多晶硅层，形成栅极结构。本发明提出的半导体结构的制造方法，能够有效提高光刻精度，并减少了花费。

今年以来晶合集成新获得专利授权55个，较去年同期增加了111.54%。结合公司2023年中报财务数据，2023上半年公司在研发方面投入了5.02亿元，同比增27.46%。

数据来源：企查查

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