晶合集成获得发明专利授权：“一种半导体结构及其制造方法”

证券之星消息，根据企查查数据显示晶合集成（688249）新获得一项发明专利授权，专利名为“一种半导体结构及其制造方法”，专利申请号为CN202311421841.5，授权日为2024年3月1日。

专利摘要：本发明公开了一种半导体结构及其制造方法，所述半导体结构至少包括：衬底，衬底包括逻辑区和像素区；堆叠掩膜层，设置在衬底上，堆叠掩膜层覆盖逻辑区和像素区；台阶结构，设置在堆叠掩膜层上，且台阶结构位于逻辑区和像素区的分界处；第一类型沟槽，穿过堆叠掩膜层并延伸至衬底中，其中第一类型沟槽位于像素区；第二类型沟槽，穿过堆叠掩膜层并延伸至衬底中，其中第二类型沟槽位于逻辑区，且第二类型沟槽的深度大于第一类型沟槽的深度；以及光阻层，填充在第一类型沟槽中，且光阻层覆盖像素区。本发明提供了一种半导体结构及其制造方法，以提升在半导体上形成逻辑区和像素区的制造良率。

今年以来晶合集成新获得专利授权55个，较去年同期增加了111.54%。结合公司2023年中报财务数据，2023上半年公司在研发方面投入了5.02亿元，同比增27.46%。

数据来源：企查查

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