晶合集成获得发明专利授权：“一种半导体结构及其制作方法”

证券之星消息，根据企查查数据显示晶合集成（688249）新获得一项发明专利授权，专利名为“一种半导体结构及其制作方法”，专利申请号为CN202311446155.3，授权日为2024年3月1日。

专利摘要：本发明公开了一种半导体结构及其制作方法，属于半导体技术领域。所述半导体结构包括：衬底，包括并列设置的第一区域和第二区域；垫氮化层，设置在所述衬底上；补偿氮化层，设置在所述垫氮化层上；第一浅沟槽，设置在所述第一区域内；第二浅沟槽，与所述第一浅沟槽并列设置在所述第二区域内；绝缘介质，设置在所述第一浅沟槽和所述第二浅沟槽内，所述绝缘介质的表面与所述补偿氮化层的表面齐平。通过本发明提供的一种半导体结构及其制作方法，提高半导体结构的性能。

今年以来晶合集成新获得专利授权55个，较去年同期增加了111.54%。结合公司2023年中报财务数据，2023上半年公司在研发方面投入了5.02亿元，同比增27.46%。

数据来源：企查查

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