晶合集成获得发明专利授权：“一种半导体器件及其制备方法”

证券之星消息，根据企查查数据显示晶合集成（688249）新获得一项发明专利授权，专利名为“一种半导体器件及其制备方法”，专利申请号为CN202311733032.8，授权日为2024年2月27日。

专利摘要：本发明提供一种半导体器件及其制备方法，半导体器件的制备方法包括以下步骤：提供一半导体衬底，半导体衬底包括相对设置的正面和背面，在正面的半导体衬底中形成有非晶态硅区域；在非晶态硅区域的半导体衬底上形成镍膜层；从正面对半导体衬底进行两次高温退火工艺，以在非晶态硅区域的大部分中得到初始的镍硅化合物层；从背面对所述半导体衬底进行激光退火工艺，以在整个非晶态硅区域得到最终的镍硅化合物层。本发明在两次高温退火工艺之后再从背面执行一次激光退火工艺可以更好的吸收热量，以修复晶格，其相对于正面加热，背面加热可以更好的抑制镍的进一步扩散，阻止过度硅化，从而可以减少缺陷，改善电阻Rc，并提高良率。

今年以来晶合集成新获得专利授权33个，较去年同期增加了26.92%。结合公司2023年中报财务数据，2023上半年公司在研发方面投入了5.02亿元，同比增27.46%。

数据来源：企查查

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