晶合集成获得发明专利授权：“背照式图像传感器及制备方法、深沟槽隔离结构制备方法”

证券之星消息，根据企查查数据显示晶合集成（688249）新获得一项发明专利授权，专利名为“背照式图像传感器及制备方法、深沟槽隔离结构制备方法”，专利申请号为CN202311507843.6，授权日为2024年2月27日。

专利摘要：本发明提供背照式图像传感器及制备方法、深沟槽隔离结构制备方法中，通过执行刻蚀工艺在衬底的背面的第一介质层内形成开口，并刻蚀衬底以在衬底内形成深沟槽，深沟槽自开口向衬底延伸；意想不到的效果是，利用PECVD工艺形成的第二介质层较差的填洞能力，率先将深沟槽的开口堵塞住，使开口提前封口，结合HARP工艺形成第三介质层将开口的凹陷进行优化，省略传统制程中为膜层平坦化而需要的化学机械研磨工艺，从而保持材料表面的完整性，提高器件的感光度和光吸收量，从而进一步提升背照式图像传感器的像素功能。

今年以来晶合集成新获得专利授权33个，较去年同期增加了26.92%。结合公司2023年中报财务数据，2023上半年公司在研发方面投入了5.02亿元，同比增27.46%。

数据来源：企查查

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