晶合集成获得发明专利授权：“接触孔的形成方法及半导体结构”

证券之星消息，根据企查查数据显示晶合集成（688249）新获得一项发明专利授权，专利名为“接触孔的形成方法及半导体结构”，专利申请号为CN202311524089.7，授权日为2024年2月20日。

专利摘要：本发明提供一种接触孔的形成方法及半导体结构，衬底上形成有至少两个栅极，栅极两侧的衬底内形成有源漏区，栅极的侧壁、顶部和源漏区上形成有刻蚀停止层，相邻栅极之间具有第一开口；对刻蚀停止层执行离子注入工艺，在刻蚀停止层内形成离子注入层，执行第一刻蚀工艺，回推栅极的侧壁的刻蚀停止层，以在相邻栅极之间形成第二开口，第二开口的宽度大于第一开口的宽度。在形成介质层的时候，由于第二开口宽度增大避免了第二开口内填充介质层时产生空洞的问题，进而避免了后续共享接触插塞短路的问题，以及，在形成共享接触孔时，由于第二开口的宽度增大，增大了共享接触孔工艺的工艺窗口，降低了共享接触插塞无法接触源漏区而导致断路的问题。

今年以来晶合集成新获得专利授权30个，较去年同期增加了30.43%。结合公司2023年中报财务数据，2023上半年公司在研发方面投入了5.02亿元，同比增27.46%。

数据来源：企查查

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