晶合集成获得发明专利授权：“一种浅沟槽隔离结构及其形成方法”

证券之星消息，根据企查查数据显示晶合集成（688249）新获得一项发明专利授权，专利名为“一种浅沟槽隔离结构及其形成方法”，专利申请号为CN202311490233.X，授权日为2024年2月9日。

专利摘要：本发明提供一种浅沟槽隔离结构及其形成方法，属于半导体的制作工艺领域，浅沟槽隔离结构的形成方法包括：提供衬底，衬底中形成有浅沟槽，浅沟槽的侧壁和底壁覆盖有垫底氧化层；通过含有氢离子的干法刻蚀工艺刻蚀底壁处部分厚度的垫底氧化层，以在底壁表面引入含羟基的基团；采用高纵横比工艺在浅沟槽中填充氧化物层，含羟基的基团使得氧化物层在底壁处的填充速率较在侧壁处的填充速率快，通过含有氢离子的干法刻蚀工艺刻蚀底壁处部分厚度的垫底氧化层，以在底壁表面引入含羟基的基团，意想不到的效果是，加快底壁处氧化物层的填充速率，使得氧化物层在底壁处的填充速率较在侧壁处的填充速率快，以避免浅沟槽提前封口，从而改善产生空隙的情况。

今年以来晶合集成新获得专利授权22个，较去年同期增加了15.79%。结合公司2023年中报财务数据，2023上半年公司在研发方面投入了5.02亿元，同比增27.46%。

数据来源：企查查

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