晶合集成获得发明专利授权：“一种半导体结构及其制备方法”

证券之星消息，根据企查查数据显示晶合集成（688249）新获得一项发明专利授权，专利名为“一种半导体结构及其制备方法”，专利申请号为CN202010315712.8，授权日为2024年2月6日。

专利摘要：本发明是涉及一种半导体结构的制备方法。此半导体结构的制备方法包括：提供一衬底；在所述衬底上形成一介电层；在所述介电层上形成层间介电层；在所述层间介电层上形成第一介电保护层；微影蚀刻所述第一介电保护层，以形成一图案化第一介电保护层；形成一金属掩模层于所述图案化第一介电保护层上；进行平坦化步骤；形成第二介电保护层；形成第一孔洞；去除剩余所述第二介电保护层；形成第二孔洞；刻蚀所述第一孔洞及所述第二孔洞，形成第一通孔。本发明解决了传统半导体结构的制备方法中易导致蚀刻深度差异过大、对电阻值控制困难等问题。

今年以来晶合集成新获得专利授权18个，较去年同期增加了20%。结合公司2023年中报财务数据，2023上半年公司在研发方面投入了5.02亿元，同比增27.46%。

数据来源：企查查

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