证券之星消息,根据企查查数据显示捷捷微电(300623)新获得一项发明专利授权,专利名为“能提高耐压能力的半导体器件终端结构及其制造方法”,专利申请号为CN201810520045.X,授权日为2024年2月2日。
专利摘要:本发明涉及能提高耐压能力的半导体器件终端结构及制作方法,包括终端保护区,终端保护区环绕在元胞区的周围终端保护区包括半导体基板,半导体基板包括第一导电类型衬底及位于第一导电类型衬底上的第一导电类型漂移区,在终端保护区,第一导电类型漂移区内设有一个环绕元胞区的第二导电类型场限环区,第二导电类型场限环区内第二导电类型离子浓度从终端区指向元胞区的方向上逐渐增大,形成浓度渐变梯度;本发明器件制造方法与现有半导体工艺兼容,不仅能提高器件的耐压能力,且能减小终端的宽度,增大有源区的面积,进而降低器件导通电阻。
今年以来捷捷微电新获得专利授权5个,较去年同期增加了400%。结合公司2023年中报财务数据,2023上半年公司在研发方面投入了1.22亿元,同比增48.2%。
数据来源:企查查
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