晶合集成获得发明专利授权：“闪存单元及其制造方法”

证券之星消息，根据企查查数据显示晶合集成（688249）新获得一项发明专利授权，专利名为“闪存单元及其制造方法”，专利申请号为CN202010795400.1，授权日为2024年2月2日。

专利摘要：本发明提供了一种闪存单元及其制造方法，其中，所述闪存单元的制造方法包括：首先，提供一具有隔离侧墙的基底，且所述隔离侧墙的底部存在凹陷；然后，在所述基底上形成第一接触刻蚀停止层，且所述第一接触刻蚀停止层还填充所述凹陷；其次，刻蚀所述第一接触刻蚀停止层，且所述凹陷中的第一接触刻蚀层停止层被保留；最后，在所述基底以及所述凹陷中的第一接触刻蚀层停止层上形成第二接触刻蚀停止层。本发明通过两次形成接触刻蚀停止层，可以改善隔离侧墙底部被覆盖不足的问题，进而可以解决闪存单元出现数据保存失败的问题。

今年以来晶合集成新获得专利授权16个，较去年同期增加了33.33%。结合公司2023年中报财务数据，2023上半年公司在研发方面投入了5.02亿元，同比增27.46%。

数据来源：企查查

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