泓淋电力获得发明专利授权：“一种半导体芯片及其形成方法”

证券之星消息，根据企查查数据显示泓淋电力（301439）新获得一项发明专利授权，专利名为“一种半导体芯片及其形成方法”，专利申请号为CN202311167098.5，授权日为2024年1月26日。

专利摘要：本发明涉及一种半导体芯片及其形成方法，涉及半导体封装技术领域。在本发明的半导体芯片的形成方法中，通过设置每个所述半导体芯片区包括多个半导体功能单元，每个所述半导体芯片区中的相邻半导体功能单元之间不设置切割道，每个所述半导体芯片区的四周均设置缓冲区和切割道，进而可以在缓冲区设置大尺寸的第一金属块以及第二金属块，多个第一金属块和多个第二金属块均是环形设置，可以有效保护半导体芯片区，避免其受到切割损伤，且通过在每个所述缓冲区形成缓冲介质块，进一步抑止切割损伤。

今年以来泓淋电力新获得专利授权4个，较去年同期增加了100%。结合公司2023年中报财务数据，2023上半年公司在研发方面投入了6092.42万元，同比增33.63%。

数据来源：企查查

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