一博科技获得实用新型专利授权：“一种提高芯片封装寄生参数仿真精度的集总电路模型”

证券之星消息，根据企查查数据显示一博科技（301366）新获得一项实用新型专利授权，专利名为“一种提高芯片封装寄生参数仿真精度的集总电路模型”，专利申请号为CN202321585840.X，授权日为2023年12月29日。

专利摘要：本实用新型公开了一种提高芯片封装寄生参数仿真精度的集总电路模型，包括多节串联集总电路，所述多节串联集总电路包括N节依次串联的集总电路单元，所述N为不小于2的整数，所述多节串联集总电路的头端连接芯片裸片，其尾端连接接收芯片；每节所述集总电路单元均包括寄生电阻R、寄生电感L和寄生电容C，所述寄生电阻R等于n*R0/N，n取3～4。本实用新型通过将设置N节串联的集总电路，相较于单节集总电路，有效增大封装模型的带宽，与传统的仿真模型相比，本模型的仿真波形更加接近测试波形。对模型的损耗参数进行加权处理，寄生电阻R提高至原来的3～4倍，从而达到较高的仿真精度。

今年以来一博科技新获得专利授权51个，较去年同期增加了75.86%。结合公司2023年中报财务数据，今年上半年公司在研发方面投入了4574.62万元，同比增32.03%。

数据来源：企查查

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