晶盛机电获得实用新型专利授权：“原子沉积非接触式腔内密封结构和半导体沉积设备”

证券之星消息，根据企查查数据显示晶盛机电（300316）新获得一项实用新型专利授权，专利名为“原子沉积非接触式腔内密封结构和半导体沉积设备”，专利申请号为CN202321582504.X，授权日为2023年12月12日。

专利摘要：本实用新型公开了一种原子沉积非接触式腔内密封结构和半导体沉积设备，属于半导体沉积设备技术领域。原子沉积非接触式腔内密封结构包括第一腔体、第二腔体、喷淋盘、密封环、隔热环和用于承载晶圆的加热基座；所述第一腔体和所述第二腔体扣合形成容置腔，所述隔热环的第一环形段设置于所述第二腔体上，所述隔热环的第二环形段位于所述容置腔内；所述喷淋盘设置于所述第一腔体，所述加热基座设置于所述第二腔体；密封环的内环壁套设于所述加热基座的外周壁，所述密封环的外环壁与所述第二环形段之间形成第一缝隙。本实用新型隔离非沉底区域前驱体可能发生的反应，用于高效生产高质量的器件。

今年以来晶盛机电新获得专利授权163个，较去年同期增加了158.73%。结合公司2023年中报财务数据，今年上半年公司在研发方面投入了6亿元，同比增118.68%。

数据来源：企查查

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