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三安光电：湖南三安在产的碳化硅MOSFET产品目前以平面型为主，沟槽结构碳化硅MOSFET尚处于研发阶段

来源：同花顺iNews

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2025-08-21 15:36:00

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（原标题：三安光电：湖南三安在产的碳化硅MOSFET产品目前以平面型为主，沟槽结构碳化硅MOSFET尚处于研发阶段）

同花顺（300033）金融研究中心08月21日讯，有投资者向三安光电（600703）提问，董秘您好，据贵司《七彩三安》202506刊，湖南三安上半年成功研制出首款1200v沟槽mosfet，实测导通电阻低至1.7mΩ，更是研发出cell pitch＜3μm的平面mosfet，rsp＜1.9mΩ。湖南三安上半年研发成绩斐然，沟槽进度与平面代际已跻身国际一流水平，这对未来半年或者26年的业绩释放是否构成良性支撑?

公司回答表示，湖南三安在产的碳化硅MOSFET产品目前以平面型为主，沟槽结构碳化硅MOSFET尚处于研发阶段。公司将持续推进电力电子业务发展，加快实现公司销售规模、盈利能力提升。

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