东吴证券：追求高密度互联、热压键合及混合键合为未来半导体封装趋势 重点推荐拓荆科技(688072.SH)等

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智通财经APP获悉，东吴证券发布研报称，半导体封装领域中，键合技术至关重要且不断发展。键合是通过物理或化学方法将两片表面光滑洁净的晶圆贴合，辅助半导体制造工艺或形成异质复合晶圆。先进封装追求高密度互联，热压键合、混合键合是未来趋势，2030年混合键合设备需求有望达28亿欧元。先进封装下晶圆变薄促使临时键合和解键合技术产生。

国内重点推荐拓荆科技(混合键合)，迈为股份(603065.SH)(混合键合、临时键合、解键合)，芯源微(688037.SH)(临时键合、解键合)，奥特维(605168.SH)(引线键合)，建议关注百傲化学(603360.SH)(芯慧联);海外关注BESI、EVG、SUSS、ASMPT等。

东吴证券主要观点如下：

半导体封装技术不断发展，键合种类多元

键合(Bonding)是通过物理或化学的方法将两片表面光滑且洁净的晶圆贴合在一起，以辅助半导体制造工艺或者形成具有特定功能的异质复合晶圆。键合技术有很多种，通常根据晶圆的目标种类可划分为晶圆-晶圆键合(Wafer-to-Wafer，W2W)和芯片-晶圆键合(Die-to-Wafer，D2W);根据键合完成后是否需要解键合，又可分为临时键合(Temporary Bonding)和永久键合(Permanant Bonding)。

传统封装方式主要为引线键合，实现电气互联

传统封装需要依靠引线将晶圆与外界产生电气连接。将晶圆切割为晶粒后，使晶粒贴合到相应的基板架上，再利用引线将晶片的接合焊盘与基板引脚相连，实现电气连接，最后用外壳加以保护。2024年我国引线键合机进口市场空间约6.18亿美元，海外K&S(库力索法)、ASM为半导体键合机龙头，国内奥特维等积极突破中。

先进封装追求高密度互联，热压键合、混合键合为未来趋势

后摩尔时代下封装追求更高的传输速度、更小的芯片尺寸，键合技术经历了从最初通过引线框架到倒装(FC)、热压粘合(TCP)、扇出封装(Fan-out)、混合封装(Hybrid Bonding)的演变，追求更快的互联速度。混合键合仅需要铜触点，能够实现更高密度互联，工艺难点主要在于光滑度、清洁度和对准精度，先进HBM/NAND将陆续全面导入混合键合。根据BESI，2030年混合键合设备需求有望达28亿欧元，约200亿人民币。

先进封装下晶圆变薄，临时键合&解键合应运而生

晶圆减薄工艺成为先进封装的核心工艺，超薄晶圆的诸多优点直接推动3D堆叠层数提高。在一些先进的封装应用中，需要将晶圆减薄至10μm以下，晶圆减薄工艺需要引入临时键合、解键合以提供机械支撑。

风险提示：下游扩产不及预期，技术研发不及预期。