中信证券：预计主流NAND Flash价格有望Q2开涨 模组环节将迎利润拐点

（原标题：中信证券：预计主流NAND Flash价格有望Q2开涨 模组环节将迎利润拐点）

智通财经APP获悉，中信证券发布研究报告称，原厂控产、产品结构升级之下，近期主流存储现货市场价格趋稳，部分低端料号微涨。随原厂控产影响显现，行业库存逐步消化，AI拉动需求提升，预计主流NAND Flash 价格有望于25Q2开涨，DRAM价格有望于25H2企稳向好，存储模组涨价早于晶圆端，国内模组厂商主要布局NAND产品，25Q2有望迎利润拐点，低价存货有望带来利润弹性，估值有望率先提升，建议关注模组环节投资机会。

价格追踪：24H2起存储价格下跌，近期部分低端料号现货上涨/波动。

——DRAM：周度现货价格中DDR4 16Gb/8Gb部分料号自2024年底至今波动上涨约6%，自2025年1月DDR4 8Gb/4Gb月度价格上涨5%/2%，其他DDR4价格底部徘徊，DDR3/DDR5价格跌幅持续收窄。本周DDR5日度现货价格微涨。

——NAND：现货市场32GB eMMC产品价格上涨，上游256Gb TLC NAND Flash Wafer价格小涨，更大容量的wafer及嵌入式、SSD价格仍跌。

供给变动：价格企稳及上涨预期主要受益原厂稼动率调降及减少低端产品供应。

——NAND：海外大厂减产逐步显现，主流NAND有望于25Q2开始涨价。海外大厂于2024年12月至2025年1月陆续公告减产10-15%，同时加快将产能向200层以上产品迁移，低价产品供应减少。

——DRAM：海外大厂聚焦高端存储，DDR3/DDR4供给有望逐步减少，DRAM价格有望于25H2企稳向好。预计2025年HBM占全球DRAM总产能将超过10%，2025年HBM占DRAM市场产值有望超30%。海外大厂聚焦HBM市场，退出DDR3后有望持续削减DDR4供应，行业供需有望改善。

价格展望：主流NAND Flash有望于25Q2开涨，涨价节奏来看，预计NAND Flash早于DRAM，模组环节早于晶圆环节，主流存储涨价早于利基存储。

25Q1原厂控产影响逐步显现，行业库存方面，经过两个季度调整手机客户库存趋于健康，25Q2有望逐步增大对低价存储的备货，此外云端及端侧AI共振，对存储需求拉动预计在25H2更为显著。据TrendForce预计，25Q1/25Q2/25Q3/25Q4 NAND Flash价格分别-18%~-13%/ 0~-5%/ +10%~+15%/ +8%~+13%，该口径包含晶圆及成品，预计在下游拉货下NAND模组成品有望于25Q2起涨价，DRAM价格有望于25H2企稳向好，存储模组涨价早于晶圆端。

风险因素：

下游需求不及预期;海外大厂产能调控不及预期;国产存储芯片客户拓展不及预期;地缘政治风险等。