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华虹公司:公司在嵌入式非易失性存储器、功率器件等领域的多项核心技术达到全球领先水平,并已大量应用于公司产品的批量生产中

来源:同花顺iNews 2024-04-30 17:27:03
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(原标题:华虹公司:公司在嵌入式非易失性存储器、功率器件等领域的多项核心技术达到全球领先水平,并已大量应用于公司产品的批量生产中)

同花顺(300033)金融研究中心04月30日讯,有投资者向华虹公司提问, 国家大力倡导“新质生产力”,这注定是引领未来科技经济进步的重要理念。请问华虹公司是否符合“新质生产力”企业特征?华虹公司在哪些方面或领域具被顶级创新能力、研发实力、高品质产品,先进生产力?

公司回答表示,尊敬的投资者,您好!公司经过20多年的发展,在技术方面、质量保障方面、产能供给方面已经建立起较强的优势基础。公司多年持续加码研发,2023年公司全年研发费用约14.59亿元人民币,同比增长35.47%。作为电子终端高质量发展最核心最基础的晶圆制造环节,公司充分发挥链长作用,主动作为,协同产业链上下游高效协作,加速构建安全可控、可持续发展的产业生态体系。目前,公司是全球领先的特色工艺晶圆代工企业,也是行业内特色工艺平台覆盖最全面的晶圆代工企业。公司在嵌入式非易失性存储器、功率器件等领域的多项核心技术达到全球领先水平,并已大量应用于公司产品的批量生产中。在功率器件领域,公司提供200V-900V电压范围支持的超级结MOSFET技术平台,新一代超级结技术可提供业界领先的比导通电阻,在相近电压级别下具备击穿电压高、导通电阻小、工作电流增加、功率增加等综合技术优势,自主知识产权的工艺方案的光罩层数大幅降低,有效降低生产成本提高产品竞争力。此外,公司还提供600-1,700V电压范围的IGBT(绝缘栅双极型晶体管)技术平台,是业界领先的比导通电阻,在相近电压级别下具备击穿电压高、导通电阻小、工作电流增加、功率增加等综合技术优势,全新的具有自主知识产权方案可实现元胞面积大幅微缩及性能显著提升。在嵌入式非易失性存储器领域,公司涵盖0.35μm-55nm制程范围的嵌入式存储器技术平台,晶体管超低漏电(Ultra Low Leakage)水平处于业界领先水平,闪存单元面积较业界主流显著减小,工艺光刻层次比业界代工企业的主流代工技术显著减少,有效降低成本及缩短工艺周期。感谢您的关注与支持!

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