无锡新洁能股份有限公司
（无锡市高浪东路999号B1号楼2层）
首次公开发行股票
招股意向书摘要
保荐机构（主承销商）
平安证券股份有限公司
（深圳市福田区福田街道益田路5023号平安金融中心B座第22-25层）
声 明
本招股意向书摘要的目的仅为向公众提供有关本次发行的简要情况，并不包括招股意向书全文的各部分内容。投资者在做出认购决定之前，应仔细阅读招股意向书全文，并以其作为投资决定的依据。
投资者若对招股意向书及其摘要存在任何疑问，应咨询自己的股票经纪人、律师、会计师或其他专业顾问。
公司及全体董事、监事、高级管理人员承诺招股意向书及其摘要不存在虚假记载、误导性陈述或重大遗漏，并对招股意向书及其摘要的真实性、准确性、完整性承担个别和连带的法律责任。
公司负责人和主管会计工作的负责人、会计机构负责人保证招股意向书及其摘要中财务会计资料真实、完整。
中国证监会、其他政府部门对本次发行所作的任何决定或意见，均不表明其对公司股票的价值或者投资者的收益做出实质性判断或者保证。任何与之相反的声明均属虚假不实陈述。
第一节 重大事项提示
一、关于股份锁定的承诺
1、公司控股股东、实际控制人朱袁正及其一致行动人（叶鹏、戴锁庆、周洞濂、王成宏、顾朋朋、吴国强、李宗清、王永刚、陆虹、肖东戈共计10人）承诺：
（1）自公司股票上市之日起36个月内，不转让或者委托他人管理本人直接或间接持有的公司首次公开发行股票前已发行的股份，也不由公司回购本人直接或间接持有的首次公开发行股票前已发行的股份。
（2）公司上市后6个月内如公司股票连续20个交易日的收盘价均低于发行价，或者上市后6个月期末收盘价低于发行价，其持有公司股票的锁定期限自动延长6个月（若发行人上市后发生派发股利、送红股、转增股本、增发新股或配股等除息、除权行为的，则前述价格将进行相应调整）。
（3）若本人直接或间接持有的股份在锁定期满后两年内减持，减持价格将不低于首次公开发行股票发行价（若公司上市后发生派发股利、送红股、转增股本、增发新股或配股等除息、除权行为的，则前述价格将进行相应调整）。
2、持有公司股份的达晨创投、上海贝岭、国联创投、金浦新投、金投控股、君熠投资、朱进强、中汇金玖、祥禾涌安、易辰创投、君昕投资、武岳峰浦江、珠海横琴、郭艳芬、航虹智科、金控源悦、金控远东、顾成标、上海谙稷共计19名股东承诺：自公司本次发行的股票在证券交易所上市之日起12个月内，不转让或者委托他人管理现已持有的公司股份，亦不由公司回购现已持有的股份。
3、持有公司股份的杨卓、朱兵、朱喜龙、宗臻、张照才、王根毅、周永珍、朱久桃、徐振彦、杲永亮、李春香、杨茜、季康康、刘晶晶、吕万雄、程月东、前海利信共计17名股东承诺：自发行人股票在证券交易所上市之日起36个月内，不转让或者委托他人管理本人持有的公司首次公开发行股票前已发行的股份，也不由公司回购本人持有的首次公开发行股票前已发行的股份。
4、直接或间接持有公司股份的董事、高级管理人员朱袁正、叶鹏、王成宏、顾朋朋、王永刚、陆虹、肖东戈承诺：
（1）自公司股票上市之日起36个月内，本人不转让或者委托他人管理本次发行前本人直接或间接持有的公司股份，亦不由公司回购该部分股份。
（2）公司上市后6个月内如公司股票连续20个交易日的收盘价均低于发行价，或者上市后6个月期末收盘价低于发行价，本人直接或间接持有公司股份的锁定期限自动延长6个月（若发行人上市后发生派发股利、送红股、转增股本、增发新股或配股等除息、除权行为的，则前述价格将进行相应调整）。
（3）除前述锁定期外，在担任公司董事、监事或高级管理人员期间，每年转让的股份不超过本人直接或间接持有公司股份总数的25%；离职后6个月内，不转让本人直接或间接持有的公司股份。
（4）在任期届满前离职的，在就任时确定的任期内和任期届满后6个月内，转让的股份不超过本人直接或间接持有公司股份总数的25%；离职后6个月内，不转让本人直接或间接持有的公司股份；不违反法律、行政法规、部门规章、规范性文件以及证券交易所业务规则对董监高股份转让的其他规定。
本人作出的上述承诺在本人直接或间接持有公司股票期间持续有效，不因本人职务变更或离职等原因而放弃履行上述承诺。
5、直接或间接持有公司股份的监事吴国强、李宗清承诺：
（1）自公司股票上市之日起36个月内，本人不转让或者委托他人管理本次发行前本人直接或间接持有的公司股份，亦不由公司回购该部分股份。
（2）除前述锁定期外，在担任公司董事、监事或高级管理人员期间，每年转让的股份不超过本人直接或间接持有公司股份总数的25%；离职后6个月内，不转让本人直接或间接持有的公司股份。
（3）在任期届满前离职的，在就任时确定的任期内和任期届满后6个月内，转让的股份不超过本人直接或间接持有公司股份总数的25%；离职后6个月内，不转让本人直接或间接持有的公司股份；不违反法律、行政法规、部门规章、规范性文件以及证券交易所业务规则对董监高股份转让的其他规定。
本人作出的上述承诺在本人直接或间接持有公司股票期间持续有效，不因本人职务变更或离职等原因而放弃履行上述承诺。
二、关于减持意向及承诺
1、公司控股股东、实际控制人朱袁正及其一致行动人（叶鹏、戴锁庆、周洞濂、王成宏、顾朋朋、吴国强、李宗清、王永刚、陆虹、肖东戈共计10人）承诺：
本人将遵守中国证监会《上市公司股东、董监高减持股份的若干规定》，上海证券交易所《股票上市规则》、《上海证券交易所上市公司股东及董事、监事、高级管理人员减持股份实施细则》等相关法律、法规、规范性文件的规定。
如本人所持股票在上述锁定期满后两年内减持，减持价格将不低于本次发行价（若公司上市后发生派发股利、送红股、转增股本、增发新股或配股等除息、除权行为的，则前述价格将进行相应调整），每年减持数量不超过上一年末本人所持有公司股份的25%。减持方式包括集中竞价交易、大宗交易、协议转让及其他符合中国证监会及证券交易所相关规定的方式。本人拟减持公司股份时，将提前三个交易日通知公司并予以公告，未履行公告程序前不进行减持；本人减持公司股份将按照《公司法》、《证券法》、证券监督管理部门及证券交易所的相关规定办理。
本人作出的上述承诺在本人直接或间接持有公司股票期间持续有效，不因本人职务变更或离职等原因而放弃履行上述承诺。
2、其他持有公司5%以上股份的股东达晨创投、上海贝岭、国联创投和金浦新投承诺：
本企业将遵守中国证监会《上市公司股东、董监高减持股份的若干规定》，上海证券交易所《股票上市规则》、《上海证券交易所上市公司股东及董事、监事、高级管理人员减持股份实施细则》的相关规定。
三、稳定股价的承诺
为保护投资者利益，进一步明确公司上市后三年内公司股价低于每股净资产时稳定公司股价的措施，按照中国证监会《关于进一步推进新股发行体制改革的意见》的相关要求，公司特制订《无锡新洁能股份有限公司上市后三年内稳定股价的预案》，主要内容如下：
“一、启动稳定股价措施的条件
上市后三年内，若公司连续20个交易日每日股票加权平均价格（按当日交易数量加权平均，不包括大宗交易）均低于最近一期经审计的每股净资产（以下简称“启动条件”，审计基准日后发生权益分派、公积金转增股本、配股等情况的，应做除权、除息处理），且非因不可抗力因素所致，则公司应按下述规则启动稳定股价措施。
二、稳定股价的具体措施
（一）公司回购
1、公司为稳定股价之目的回购股票，应符合《上市公司回购社会公众股份管理办法（试行）》及《关于上市公司以集中竞价交易方式回购股份的补充规定》等相关法律、法规的规定，且不应导致公司股权分布不符合上市条件。
2、公司董事会对回购股票作出决议，公司全体董事承诺就该等回购事宜在董事会中投赞成票。
3、公司股东大会对回购股票做出决议，该决议须经出席会议的股东所持表决权的三分之二以上通过，公司控股股东、实际控制人及其一致行动人承诺就该等回购事宜在股东大会中投赞成票。
4、公司为稳定股价进行股票回购时，除应符合相关法律法规之要求之外，还应符合下列各项：
（1）公司回购股份的资金为自有资金，回购股份的价格原则上不超过公司最近一期经审计的每股净资产（审计基准日后发生权益分派、公积金转增股本、配股等情况的，应做除权、除息处理），回购股份的方式为集中交易方式、要约方式或证券监督管理部门认可的其他方式。但如果股份回购方案实施前公司股价已经不满足启动稳定公司股价措施条件的，可不再继续实施该方案。
（2）公司用于回购股票的资金总额累计不超过公司首次公开发行股票所募集资金的净额，单次用于回购股票的资金不得低于人民币500万元。
（3）公司单次回购股票不超过公司总股本的2%。
（二）控股股东、实际控制人及其一致行动人增持
1、下列任一条件发生时，公司控股股东、实际控制人及其一致行动人应在符合《上市公司收购管理办法》及《上市公司股东及其一致行动人增持股份行为指引》等法律法规的条件和要求的前提下，对公司股票进行增持：
（1）公司回购股票方案实施完毕之次日起的连续10个交易日每日股票加权平均价格（按当日交易数量加权平均，不包括大宗交易）均低于最近一期经审计的每股净资产（审计基准日后发生权益分派、公积金转增股本、配股等情况的，应做除权、除息处理）。
（2）公司回购股票方案实施完毕之次日起的3个月内启动条件被再次触发。
2、控股股东、实际控制人及其一致行动人将通过二级市场以竞价交易方式买入公司股份以稳定股价，通过二级市场以竞价交易方式买入公司股份的，买入价格不高于最近一期经审计的每股净资产（审计基准日后发生权益分派、公积金转增股本、配股等情况的，应做除权、除息处理）。但如果公司披露其买入计划后3个交易日内其股价已经不满足启动稳定公司股价措施条件的，控股股东、实际控制人及其一致行动人可不再实施上述买入公司股份计划。
3、控股股东、实际控制人及其一致行动人承诺单次增持金额不少于人民币500万元，但单次增持公司股份数量不超过公司总股本的2%。
4、控股股东、实际控制人及其一致行动人承诺在增持计划完成后的6个月内将不出售所增持的股票。
（三）董事、高级管理人员增持
1、下列任一条件发生时，公司董事（不包括独立董事、在公司任职但并不领取薪酬的董事）、高级管理人员应在符合《上市公司收购管理办法》及《上市公司董事、监事和高级管理人员所持本公司股份及其变动管理规则》等法律法规的条件和要求的前提下，对公司股票进行增持：
（1）控股股东、实际控制人及其一致行动人增持股票方案实施完毕之次日起的连续10个交易日每日股票加权平均价格（按当日交易数量加权平均，不包括大宗交易）均低于最近一期经审计的每股净资产（审计基准日后发生权益分派、公积金转增股本、配股等情况的，应做除权、除息处理）。
（2）控股股东、实际控制人及其一致行动人增持股票方案实施完毕之次日起的3个月内启动条件被再次触发。
2、有增持义务的公司董事、高级管理人员将通过二级市场以竞价交易方式买入公司股份以稳定股价，通过二级市场以竞价交易方式买入公司股份的，买入价格不高于最近一期经审计的每股净资产（审计基准日后发生权益分派、公积金转增股本、配股等情况的，应做除权、除息处理）。但如果公司披露其买入计划后3个交易日内其股价已经不满足启动稳定公司股价措施的条件的，可不再实施上述买入公司股份计划。
3、有增持义务的公司董事、高级管理人员承诺，单次用以稳定股价的增持资金不少于其在公司担任董事或高级管理人员职务期间上一会计年度从公司领取的现金薪酬的20%，但不超过50%；单一会计年度用以稳定股价的增持资金合计不超过其在公司担任董事或高级管理人员职务期间上一会计年度从公司领取的现金薪酬的 100%。有增持义务的董事、高级管理人员对该等增持义务的履行承担连带责任。
4、有增持义务的公司董事、高级管理人员承诺，在增持计划完成后的6个月内将不出售所增持的股票。
5、在公司董事、高级管理人员增持完成后，如果公司股票价格再次出现连续20个交易日每日股票加权平均价格（按当日交易数量加权平均，不包括大宗交易）低于最近一期经审计的每股净资产（审计基准日后发生权益分派、公积金转增股本、配股等情况的，应做除权、除息处理），则公司应依照本预案的规定，依次开展公司回购、控股股东、实际控制人及其一致行动人增持及董事、高级管理人员增持工作。
6、公司若有新聘任董事（不包括独立董事、在公司任职但并不领取薪酬的董事）、高级管理人员，公司将要求其接受稳定公司股价预案和相关措施的约束。
三、稳定股价措施的启动程序
（一）公司回购
1、公司董事会应在上述公司回购启动条件触发之日起的15个交易日内做出回购股票的决议。
2、公司董事会应当在做出回购股票决议后的2个工作日内公告董事会决议、回购股票预案，并发布召开股东大会的通知。
3、公司应在股东大会做出决议之次日起开始启动回购，并应在履行相关法定手续后的30个交易日内实施完毕；
4、公司回购方案实施完毕后，应在2个工作日内公告公司股票变动报告，并在10日内依法注销所回购的股票，办理工商变更登记手续。
（二）控股股东、实际控制人及其一致行动人及董事、高级管理人员增持
1、公司董事会应在上述控股股东、实际控制人及其一致行动人及董事、高级管理人员增持条件触发之日起2个交易日内做出增持公告。
2、控股股东、实际控制人及其一致行动人及董事、高级管理人员应在增持公告做出之次日起开始启动增持，并应在履行相关法定手续后的30个交易日内实施完毕。
四、稳定股价方案的终止情形
自股价稳定方案公告之日起60个工作日内，若出现以下任一情形，则视为本次稳定股价措施实施完毕及承诺履行完毕，已公告的稳定股价方案终止执行：
（一）公司股票连续10个交易日每日股票加权平均价格（按当日交易数量加权平均，不包括大宗交易）均高于公司最近一期经审计的每股净资产（审计基准日后发生权益分派、公积金转增股本、配股等情况的，应做除权、除息处理）；
（二）继续回购或增持公司股票将导致公司股权分布不符合上市条件。
五、约束措施
在启动条件满足时，如公司、控股股东、实际控制人及其一致行动人、有增持义务的董事、高级管理人员未采取上述稳定股价的具体措施，公司、控股股东、实际控制人及其一致行动人、有增持义务的董事、高级管理人员承诺接受以下约束措施：
（一）公司、控股股东、实际控制人及其一致行动人、有增持义务的董事、高级管理人员将在公司股东大会及中国证监会指定披露媒体上公开说明未采取上述稳定股价措施的具体原因并向公司股东和社会公众投资者道歉。
（二）如果控股股东、实际控制人及其一致行动人未采取上述稳定股价的具体措施的，则公司有权将与控股股东、实际控制人及其一致行动人拟增持股票所需资金总额相等金额的薪酬、应付现金分红予以暂时扣留，直至其按本预案的规定采取相应的稳定股价措施并实施完毕。
（三）如果有增持义务的董事、高级管理人员未采取上述稳定股价的具体措施的，则公司有权将与该等董事、高级管理人员拟增持股票所需资金总额相等金额的薪酬、应付现金分红予以暂时扣留，直至该等董事、高级管理人员按本预案的规定采取相应的股价稳定措施并实施完毕。
（四）如因公司股票上市地上市规则等证券监管法规对于社会公众股股东最低持股比例的规定导致公司、控股股东、实际控制人及其一致行动人、董事及高级管理人员在一定时期内无法履行其稳定股价义务的，相关责任主体可免于前述约束措施，但其亦应积极采取其他合理且可行的措施稳定股价。
本预案需经公司股东大会审议通过，自公司完成首次公开发行A股股票并在主板上市之日起生效，有效期三年。”
公司承诺：在公司上市后三年内，若公司连续20个交易日每日股票加权平均价格（按当日交易数量加权平均，不包括大宗交易）均低于最近一期经审计的每股净资产（审计基准日后发生权益分派、公积金转增股本、配股等情况的，应做除权、除息处理），公司将按照《无锡新洁能股份有限公司上市后三年内稳定股价的预案》回购公司股份。
公司控股股东、实际控制人及其一致行动人承诺：1、公司上市后三年内，若公司股票连续20个交易日除权后的加权平均价格（按当日交易数量加权平均，不包括大宗交易）均低于公司最近一期经审计的每股净资产（审计基准日后发生权益分派、公积金转增股本、配股等情况的，应做除权、除息处理），本人将按照《无锡新洁能股份有限公司上市后三年内稳定股价的预案》增持公司股票；2、本人将根据公司股东大会批准的《无锡新洁能股份有限公司上市后三年内稳定股价的预案》中的相关规定，在公司就回购股票事宜召开的董事会与股东大会上，对回购股票的相关决议投赞成票。
公司全体董事承诺：1、本人将根据公司股东大会批准的《无锡新洁能股份有限公司上市后三年内稳定股价的预案》中的相关规定，在公司就回购股份事宜召开的董事会与股东大会上，对回购股份的相关决议投赞成票；2、本人将根据公司股东大会批准的《无锡新洁能股份有限公司上市后三年内稳定股价的预案》中的相关规定，履行相关的各项义务。
公司全体高级管理人员承诺：本人将根据公司股东大会批准的《无锡新洁能股份有限公司上市后三年内稳定股价的预案》中的相关规定，履行相关的各项义务。
四、关于信息披露违规的承诺
1、发行人承诺
公司承诺：本招股意向书不存在虚假记载、误导性陈述或者重大遗漏，公司对其真实性、准确性、完整性承担法律责任。若公司招股意向书有虚假记载、误导性陈述或者重大遗漏，对判断公司是否符合法律规定的发行条件构成重大、实质影响，在中国证监会就此对公司作出行政处罚决定生效之日起三十日内，公司召开股东大会审议回购首次公开发行的全部新股的方案，并在股东大会审议通过之日起五日内启动回购方案，回购价格以公司首次公开发行价格加上同期银行存款利息和二级市场价格孰高者确定（若公司上市后发生派发股利、送红股、转增股本、增发新股或配股等除息、除权行为的，则上述价格将进行相应调整）。
若因招股意向书有虚假记载、误导性陈述或者重大遗漏，致使投资者在证券交易中遭受损失，将依法赔偿投资者损失。有权获得赔偿的投资者资格、投资者损失的范围认定、赔偿主体之间的责任划分和免责事由按照《中华人民共和国证券法》、《最高人民法院关于审理证券市场因虚假陈述引发的民事赔偿案件的若干规定》等相关法律法规的规定执行，如相关法律法规相应修订，则按届时有效的法律法规执行。本公司将严格履行生效司法文书认定的赔偿方式和赔偿金额，并接受社会监督，确保投资者合法权益得到有效保护。
2、控股股东、实际控制人及其一致行动人承诺
朱袁正及其一致行动人承诺：若公司招股意向书有虚假记载、误导性陈述或者重大遗漏，对判断公司是否符合法律规定的发行条件构成重大、实质影响，在公司股东大会审议通过回购首次公开发行的全部新股的方案之日起五日内，本人将督促公司依法回购首次公开发行的全部新股并将启动回购方案，并购回首次公开发行股票时本公司公开发售的股票（如有），购回价格以公司首次公开发行价格加上同期银行存款利息和二级市场价格孰高者确定（若公司上市后发生派发股利、送红股、转增股本、增发新股或配股等除息、除权行为的，则上述价格将进行相应调整）。
若因招股意向书有虚假记载、误导性陈述或者重大遗漏，致使投资者在证券交易中遭受损失，将依法赔偿投资者损失。有权获得赔偿的投资者资格、投资者损失的范围认定、赔偿主体之间的责任划分和免责事由按照《中华人民共和国证券法》、《最高人民法院关于审理证券市场因虚假陈述引发的民事赔偿案件的若干规定》等相关法律法规的规定执行，如相关法律法规相应修订，则按届时有效的法律法规执行。本人将严格履行生效司法文书认定的赔偿方式和赔偿金额，并接受社会监督，确保投资者合法权益得到有效保护。
3、发行人董事、监事、高级管理人员承诺
若本招股意向书存在虚假记载、误导性陈述或者重大遗漏，致使投资者在证券交易中遭受损失，本人将依法赔偿投资者损失。有权获得赔偿的投资者资格、投资者损失的范围认定、赔偿主体之间的责任划分和免责事由按照《中华人民共和国证券法》、《最高人民法院关于审理证券市场因虚假陈述引发的民事赔偿案件的若干规定》等相关法律法规的规定执行，如相关法律法规相应修订，则按届时有效的法律法规执行。本人将严格履行生效司法文书认定的赔偿方式和赔偿金额，并接受社会监督，确保投资者合法权益得到有效保护。
4、中介机构相关承诺
保荐机构平安证券股份有限公司承诺：因其为发行人首次公开发行制作、出具的文件有虚假记载、误导性陈述或者重大遗漏，给投资者造成损失的，将先行赔偿投资者损失。
发行人律师江苏世纪同仁律师事务所承诺：因其为发行人首次公开发行制作、出具的文件有虚假记载、误导性陈述或者重大遗漏，给投资者造成损失的，将依法赔偿投资者损失。
申报会计师、验资机构及验资复核机构天衡会计师事务所（特殊普通合伙）承诺：因其为发行人首次公开发行制作、出具的文件有虚假记载、误导性陈述或者重大遗漏，给投资者造成损失的，将依法赔偿投资者损失。
五、填补被摊薄即期回报的措施及承诺
根据《国务院关于进一步促进资本市场健康发展的若干意见》（国发[2014]17号）、《国务院办公厅关于进一步加强资本市场中小投资者合法权益保护工作的意见》（国办发[2013]110号）和《关于首发及再融资、重大资产重组摊薄即期回报有关事项的指导意见》（证监会公告[2015]31号）等相关文件之要求，公司召开股东大会审议通过了公司本次融资填补即期回报措施及相关承诺等事项。
公司拟通过多种措施提升公司的盈利能力，积极应对外部环境变化，实现公司业务的可持续发展，以填补股东回报，充分保护中小股东的利益，具体措施请仔细阅读招股意向书“第十一节 管理层分析与讨论”之“九、本次募集资金到位当年即期回报摊薄情况以及填补被摊薄即期回报措施与相关承诺”相关内容。
为了保障公司填补被摊薄即期回报相关措施能够得到切实履行，公司董事、高级管理人员承诺：（1）不无偿或以不公平条件向其他单位或个人进行利益输送，也不采用其他方式损害公司利益。（2）对自身的职务消费行为进行约束。（3）不动用公司资产从事与自身履行职责无关的投资、消费活动。（4）将尽职促使公司董事会或薪酬与考核委员会制订的薪酬制度与公司填补被摊薄即期回报保障措施的执行情况相挂钩。（5）若公司后续推出股权激励政策，本人承诺将尽职促使公司未来拟公布的股权激励的行权条件与公司填补被摊薄即期回报保障措施的执行情况相挂钩。（6）本承诺出具日后，若监管机构作出关于填补回报措施及其承诺的相关规定有其他要求的，且上述承诺不能满足监管机构相关规定时，本人承诺届时将按照最新规定出具补充承诺。（7）切实履行公司制定的有关填补回报措施以及本人对此作出的任何有关填补回报措施的承诺，若本人违反该等承诺并给公司或者投资者造成损失的，本人愿意依法承担对公司或者投资者的补偿责任。
虽然公司为应对即期回报被摊薄风险而制定了填补回报措施，然而由于公司经营面临的内外部风险客观存在，上述措施不等于对公司未来利润做出保证。投资者不应据此进行投资决策，投资者据此进行投资决策造成损失的，公司不承担赔偿责任。
六、发行前滚存未分配利润的安排及本次发行上市后的股利
分配政策
（一）发行前滚存未分配利润的安排
根据公司通过的2018年第三次临时股东大会决议：为兼顾新老股东利益，在公司首次公开发行股票完成后，由本公司新老股东按持股比例共同享有本次首次公开发行股票前的滚存利润。
（二）本次发行上市后的股利分配政策
根据公司2018年第三次临时股东大会审议通过的上市后适用的《公司章程（草案）》，公司发行上市后的利润分配政策如下：
“（一）公司利润分配原则
公司的利润分配政策应重视对投资者的合理投资回报，利润分配政策将保持连续性和稳定性。公司的利润分配不得超过累计可分配利润的范围，不得损害公司持续经营能力。
（二）利润分配形式
公司可以采取现金、股票或两者相结合的方式分配股利，现金分红优先于其他分红方式。具备现金分红条件的，应当采用现金分红进行利润分配。采用股票股利进行利润分配的，应当具有公司成长性、每股净资产的摊薄等真实合理因素。
（三）现金分红条件
公司实施现金分红一般应同时满足以下条件：
1、公司未分配利润为正、该年度实现盈利且该年度实现的可分配利润（即公司弥补亏损、提取公积金后的税后利润）为正，现金分红后公司现金流仍然可以满足公司正常生产经营的需要；
2、审计机构对公司该年度财务报告出具标准无保留意见的审计报告（中期现金分红无需审计）。
3、公司未来十二个月内无重大对外投资计划或重大现金支出（公司首次公开发行股票或再融资的募集资金投资项目除外）。重大投资计划或重大现金支出是指：公司未来十二个月内拟建设项目、对外投资、收购资产或者购买设备的累计支出达到或者超过公司当年实现的母公司可供分配利润的50%且超过5000万元人民币。
（四）现金分红的比例和间隔：
公司原则上每年进行一次现金分红，公司每年以现金方式分配的利润不少于当年实现的可分配利润的20%，公司董事会可以根据公司的盈利状况及资金需求提议进行中期现金分红。
公司董事会应当综合考虑公司所处行业特点、发展阶段、自身经营模式、盈利水平以及是否有重大资金支出安排等因素，区分下列情形，并按照本章程规定的程序，提出差异化的现金分红政策：
1、公司发展阶段属成熟期且无重大资金支出安排的，进行利润分配时，现金分红在本次利润分配中所占比例最低应达到80%；
2、公司发展阶段属成熟期且有重大资金支出安排的，进行利润分配时，现金分红在本次利润分配中所占比例最低应达到40%；
3、公司发展阶段属成长期且有重大资金支出安排的，进行利润分配时，现金分红在本次利润分配中所占比例最低应达到20%；
公司发展阶段不易区分但有重大资金支出安排的，可以按照前项规定处理。重大资金支出安排是指：公司未来十二个月内拟建设项目、对外投资、收购资产或者购买设备的累计支出达到或者超过公司当年实现的母公司可供分配利润的50%且超过5000万元人民币。
（五）发放股票股利的条件
在保证公司股本规模和股权结构合理的前提下，基于回报投资者和分享企业价值考虑，公司可以发放股票股利，具体方案需经公司董事会审议后提交公司股东大会批准。
（六）利润分配的决策机制和程序
1、董事会审议利润分配需履行的程序和要求：公司在进行利润分配时，公司董事会应当先制定预分配方案，并经独立董事认可后方能提交董事会审议；董事会审议现金分红具体方案时，应当认真研究和论证公司现金分红的时机、条件和比例、调整的条件、决策程序等事宜，独立董事应当发表明确意见。利润分配预案经董事会过半数以上表决通过，方可提交股东大会审议。
2、股东大会审议利润分配方案需履行的程序和要求：股东大会对现金分红具体方案进行审议时，应当通过多种渠道主动与股东特别是中小股东进行沟通和交流（包括但不限于提供网络投票表决、邀请中小股东参会等方式），充分听取中小股东的意见和诉求，并及时答复中小股东关心的问题。
（七）利润分配政策调整的决策机制与程序
1、公司根据生产经营情况、投资规划和长期发展的需要，或者外部经营环境发生变化，确需调整利润分配政策的，调整后的利润分配政策不得违反中国证监会和证券交易所的有关规定。
2、有关调整利润分配政策的议案由董事会制定，并分别经监事会和二分之一以上独立董事认可后方能提交董事会审议，独立董事应当对利润分配政策调整发表独立意见。
3、调整利润分配政策的议案应分别提交董事会、股东大会审议，在董事会审议通过后提交股东大会批准，公司应安排通过证券交易所交易系统、互联网投票系统等网络投票方式为社会公众股东参加股东大会提供便利。股东大会审议调整利润分配政策的议案需经出席股东大会的股东所持表决权的2/3以上通过。
公司独立董事可在股东大会召开前向公司社会公众股股东征集其在股东大会上的投票权，独立董事行使上述职权应当取得全体董事的二分之一以上同意。”
此外，公司2018年第三次临时股东大会审议通过了公司董事会制定的《关于公司上市后三年股东分红回报规划的议案》。
关于股利分配的详细政策，请仔细阅读招股意向书“第十四节 股利分配政策”关于股利分配的相关内容。
七、公司特别提醒投资者注意招股意向书“第四节 风险因素”
中的下列风险
1、市场波动风险
半导体分立器件作为基础性电子元器件,为国民经济的多个领域所必不可缺,因此半导体分立器件行业的下游分布极为广泛。广泛的下游应用领域提升了公司应对单一市场波动风险的能力，但半导体分立器件行业与宏观经济的整体发展的景气程度密切相关，国内经济整体增速放缓及中美贸易摩擦等因素通过对下游行业的生产经营产生不利影响进而传导至半导体分立器件行业。如果宏观经济波动较大或长期处于低谷，半导体分立器件行业的市场需求也将随之受到影响；下游行业的波动和低迷会导致对半导体分立器件的需求下降、价格敏感性提高。虽然近几年全球半导体分立器件市场保持稳步增长，且亚洲地区特别是中国市场规模增幅巨大，但是如果由于中美贸易摩擦等因素引致下游市场整体持续波动、全球经济或国内经济发生重大不利变化，将对半导体分立器件行业及公司等行业内企业的经营业绩造成不利影响。
2、供应商依赖的风险
公司是半导体专业化垂直分工企业，芯片代工及封装测试环节主要通过向供应商采购。公司拥有涵盖了华虹宏力、华润上华、中芯集成等国内少数几家具备MOSFET、IGBT 等8 英寸半导体芯片代工能力的本土芯片代工供应商，并不断拓展韩国等地区的芯片代工供应渠道。而在封装测试环节，公司主要与长电科技（600584）、安靠技术（Amkor）、通富微电（002156）等全球领先的封装测试企业合作，一定程度上也保证了公司产品的领先性。由于半导体行业垂直分工的特殊性，专注于芯片设计环节的企业在选择供应商后一般不会轻易更换；同样，芯片代工及封装测试企业如若更换客户则需重新调整产线、设备技术参数、产能排期等，这将形成较大的更换成本。因此，双方在一定程度上相互依赖。如果公司主要供应商产能严重紧张或者双方关系恶化，则可能导致公司产品无法及时、足量供应，进而对公司的经营业绩产生不利影响。
3、供应链管理不善风险
半导体分立器件行业高度分工协作，产业链包括芯片设计、芯片制造、封装测试、对外销售等环节，各个环节相互依存、高度相关。行业内企业根据分工不同采用垂直一体化或垂直分工模式，其中部分垂直分工模式的企业主要负责芯片设计研发和销售环节，而将芯片制造、封装测试环节主要委托给专业代工厂商完成，因此，其产品质量、交货时间、生产能力等都与产业链其他环节紧密相关。公司为专业化垂直分工企业，与行业内优秀的芯片制造和封装测试厂商建立了长期、稳定的合作关系。公司建成封装测试产线，实现少部分功率器件的自主生产，公司不断加强生产环节的质量、成本管控，保障产品的品质。但是，如果公司对供应链及生产环节管理不善，导致产品质量、交付及时性等出现问题，则会影响公司产品销售和品牌声誉，对公司的经营造成不利影响。
4、毛利率下降的风险
2017年至2019年，公司综合毛利率分别为24.69%、31.63%和20.73%。2017年至2018年，受益于下游市场需求的持续增长，积极拓展毛利率较高的下游应用行业，大力开发新产品和新技术，积极开拓龙头客户从而提升公司品牌影响力和市场美誉度，公司综合毛利率保持稳定上升的趋势。2019年，受中美贸易摩擦及国内市场竞争有所加剧等因素影响，公司芯片和功率器件毛利率有所下降。半导体分立器件企业的经营业绩受产品技术水平、市场竞争情况、下游市场需求等因素影响较大，如果未来公司产品技术优势减弱、市场竞争加剧、市场供求形势出现重大不利变化、采购成本持续提高或者出现产品销售价格持续下降等情况，将导致公司综合毛利率下降。
八、财务报告审计截止日至招股意向书签署日主要财务信息
及经营情况
1、2020年1-6月经营情况
公司财务报告审计截止日为2019年12月31日，天衡会计师事务所（特殊普通合伙）对公司截止2020年6月30日的合并及母公司资产负债表，2020年1-6月的合并及母公司利润表、合并及母公司现金流量表以及财务报表附注进行了审阅，并出具了天衡专字（2020）01542号《审阅报告》。
发行人2020年1-6月财务报表主要财务数据如下：
单位：万元
项目 2020年6月30日 2019年12月31日 变动比率
总资产 79,265.73 80,785.53 -1.88%
股东权益 62,695.81 57,161.92 9.68%
其中：归属于母公司股东权益 62,695.81 57,161.92 9.68%
项目 2020年1-6月 2019年1-6月 变动比率
营业收入 38,428.31 32,834.82 17.04%
营业利润 6,227.02 4,227.91 47.28%
利润总额 6,228.03 4,231.56 47.18%
净利润 5,533.89 3,743.16 47.84%
归属于母公司股东的净利润 5,533.89 3,743.16 47.84%
扣除非经常性损益后归属于母 5,312.28 3,510.35 51.33%
公司股东的净利润
经营活动产生的现金流量净额 -2,042.33 2,730.55 -174.80%
2、2020年1-9月业绩预计
公司结合2020年1-6月经营及财务数据，预计2020年1-9月营业收入区间为64,000.00万元至65,500.00万元，同比上涨18.05%至20.82%；预计2020年1-9月归属于母公司所有者的净利润区间为9,200.00万元至9,700.00万元，同比上涨44.82%至52.69%；预计2020年1-9月扣除非经常性损益后归属于母公司所有者的净利润区间为8,800.00万元至9,300.00万元，较上年同期上涨49.29%至57.77%。
上述业绩预计的相关财务数据是发行人初步测算结果，预计数不代表发行人最终可实现的营业收入及净利润，也不代表发行人所做的盈利预测。
财务报告审计截止日至本招股意向书签署日，公司的经营模式、主要产品的生产、销售，主要客户及供应商的构成，税收政策以及其他可能影响投资者判断的重大事项均未发生重大不利变化。
第二节 本次发行概况
股票种类 人民币普通股（A股）
每股面值 1.00元
发行股数、占发行后总 本次拟公开发行股票2,530万股，不低于发行后总股本的25%，本次
股本的比例 发行全部为新股发行，原股东不公开发售股份。
发行价格 [ ]元
[ ]倍（发行价格除以每股收益，每股收益按2019年经审计的扣除
市盈率 非经常性损益前后孰低的归属于母公司股东的净利润除以本次发行
后总股本计算）
发行前每股净资产 7.53元/股（以2019年12月31日经审计的归属于母公司股东的净资
产除以本次发行前总股本计算）
发行后每股净资产 [ ]元/股（以2019年12月31日经审计的归属于母公司股东的净
资产加上本次发行募集资金净额之和除以本次发行后总股本计算）
市净率 [ ]倍（按照每股发行价格除以发行后每股净资产计算）
发行方式 采用网下向投资者询价配售与网上按市值申购向公众投资者定价发
行相结合的方式或中国证监会等监管机关认可的其他发行方式
符合相关资格规定的询价对象和在上海证券交易所开立股票交易账
发行对象 户的境内自然人、法人等投资者（中华人民共和国法律、法规和规范
性文件禁止购买者除外）
1、控股股东、实际控制人朱袁正及其一致行动人（叶鹏、戴锁庆、
周洞濂、王成宏、顾朋朋、吴国强、李宗清、王永刚、陆虹、肖东戈
共计10人）承诺：（1）自公司股票上市之日起36个月内，不转让或
者委托他人管理本人直接或间接持有的公司首次公开发行股票前已
发行的股份，也不由公司回购本人直接或间接持有的首次公开发行股
票前已发行的股份。（2）公司上市后6个月内如公司股票连续20个交
易日的收盘价均低于发行价，或者上市后6个月期末收盘价低于发行
价，其持有公司股票的锁定期限自动延长6个月（若发行人上市后发
生派发股利、送红股、转增股本、增发新股或配股等除息、除权行为
本次发行股份的流通 的，则前述价格将进行相应调整）。（3）若本人直接或间接持有的
限制和锁定安排 股份在锁定期满后两年内减持，减持价格将不低于首次公开发行股票
发行价（若公司上市后发生派发股利、送红股、转增股本、增发新股
或配股等除息、除权行为的，则前述价格将进行相应调整）。
2、持有公司股份的达晨创投、上海贝岭、国联创投、金浦新投、金
投控股、君熠投资、朱进强、中汇金玖、祥禾涌安、易辰创投、君昕
投资、武岳峰浦江、珠海横琴、郭艳芬、航虹智科、金控源悦、金控
远东、顾成标、上海谙稷共计19名股东承诺：自公司本次发行的股票
在证券交易所上市之日起12个月内，不转让或者委托他人管理现已持
有的公司股份，亦不由公司回购现已持有的股份。
3、持有公司股份的杨卓、朱兵、朱喜龙、宗臻、张照才、王根毅、
周永珍、朱久桃、徐振彦、杲永亮、李春香、杨茜、季康康、刘晶晶、
吕万雄、程月东、前海利信共计17名股东承诺：自发行人股票在证券
交易所上市之日起36个月内，不转让或者委托他人管理本人持有的公
司首次公开发行股票前已发行的股份，也不由公司回购本人持有的首
次公开发行股票前已发行的股份。
4、持有公司股份的董事、高级管理人员朱袁正、叶鹏、王成宏、顾
朋朋、王永刚、陆虹、肖东戈承诺：（1）自公司股票上市之日起36
个月内，本人不转让或者委托他人管理本次发行前本人直接或间接持
有的公司股份，亦不由公司回购该部分股份。（2）公司上市后6个月
内如公司股票连续20个交易日的收盘价均低于发行价，或者上市后6
个月期末收盘价低于发行价，本人直接或间接持有公司股份的锁定期
限自动延长6个月（若发行人上市后发生派发股利、送红股、转增股
本、增发新股或配股等除息、除权行为的，则前述价格将进行相应调
整）。（3）除前述锁定期外，在担任公司董事、监事或高级管理人
员期间，每年转让的股份不超过本人直接或间接持有公司股份总数的
25%；离职后6个月内，不转让本人直接或间接持有的公司股份。（4）
在任期届满前离职的，在就任时确定的任期内和任期届满后6个月内，
转让的股份不超过本人直接或间接持有公司股份总数的25%；离职后
6个月内，不转让本人直接或间接持有的公司股份；不违反法律、行
政法规、部门规章、规范性文件以及证券交易所业务规则对董监高股
份转让的其他规定。本人作出的上述承诺在本人直接或间接持有公司
股票期间持续有效，不因本人职务变更或离职等原因而放弃履行上述
承诺。
5、持有公司股份的监事吴国强、李宗清承诺：（1）自公司股票上市
之日起36个月内，本人不转让或者委托他人管理本次发行前本人直接
或间接持有的公司股份，亦不由公司回购该部分股份。（2）除前述
锁定期外，在担任公司董事、监事或高级管理人员期间，每年转让的
股份不超过本人直接或间接持有公司股份总数的25%；离职后6个月
内，不转让本人直接或间接持有的公司股份。（3）在任期届满前离
职的，在就任时确定的任期内和任期届满后6个月内，转让的股份不
超过本人直接或间接持有公司股份总数的25%；离职后6个月内，不
转让本人直接或间接持有的公司股份；不违反法律、行政法规、部门
规章、规范性文件以及证券交易所业务规则对董监高股份转让的其他
规定。本人作出的上述承诺在本人直接或间接持有公司股票期间持续
有效，不因本人职务变更或离职等原因而放弃履行上述承诺。
承销方式 余额包销
预计募集资金总额 本次发行预计募集资金[ ]亿元
预计募集资金净额 扣除发行费用后，本次发行预计募集资金[ ]亿元
本次发行费用预计共需5,473.50万元，其中：
发行费用概算 承销费用与保荐费用：3,800.00万元
审计费用与验资费用：631.13万元
律师费用：545.28万元
用于本次发行的信息披露费用：452.83万元
发行手续费：44.26万元
（注：以上发行费用均为不含税金额）
拟上市地点 上海证券交易所
第三节 发行人基本情况
一、发行人基本资料
注册中文名称 无锡新洁能股份有限公司
注册英文名称 WUXINCEPOWERCO.,LTD.
注册资本 7,590.00万元
法定代表人 朱袁正
成立日期 2013年1月5日
住所及其邮政编码 无锡市高浪东路999号B1号楼2层（214000）
电话号码 0510-85618058
传真 0510-85620175
互联网网址 http://www.ncepower.com
电子信箱 Info@ncepower.com
二、发行人历史沿革及设立情况
（一）设立方式
新洁能系经江苏省无锡工商行政管理局出具的《江苏省无锡工商行政管理局公司准予设立登记通知书》（（02000047）公司设立[2013]第01040001号）批准，由朱袁正、新潮集团、新洁能半导体共同发起设立的股份有限公司。公司于2013年1月5日取得江苏省无锡工商行政管理局核发的《企业法人营业执照》（注册号：320200000204840），注册资本1,000.00万元。
（二）发起人及其投入的资产内容
发行人系由朱袁正、新潮集团和新洁能半导体以货币出资方式共同发起设立，设立时的主要资产为各股东缴付出资的货币资金。
三、发行人的股本情况
（一）总股本、本次发行的股份、股份流通限制和锁定安排
本次发行前公司总股本为7,590.00万股，本次拟公开发行2,530.00万股，发行后总为10,120.00万股。按本次发行新股2,530.00万股计算，发行前后公司的股本结构变化如下：
股东名称 发行前 发行后
股份数量（万股） 比例 股份数量（万股） 比例
一、有限售条件股份
朱袁正 2,361.60 31.11% 2,361.60 23.34%
达晨创投 660.00 8.70% 660.00 6.52%
上海贝岭 600.00 7.91% 600.00 5.93%
国联创投 420.00 5.53% 420.00 4.15%
金浦新投 402.00 5.30% 402.00 3.97%
金投控股 334.20 4.40% 334.20 3.30%
君熠投资 334.20 4.40% 334.20 3.30%
朱进强 300.00 3.95% 300.00 2.96%
中汇金玖 270.00 3.56% 270.00 2.67%
祥禾涌安 240.00 3.16% 240.00 2.37%
易辰创投 228.00 3.00% 228.00 2.25%
君昕投资 199.80 2.63% 199.80 1.97%
武岳峰浦江 165.00 2.17% 165.00 1.63%
珠海横琴 150.00 1.98% 150.00 1.48%
叶 鹏 123.00 1.62% 123.00 1.22%
郭艳芬 90.00 1.19% 90.00 0.89%
航虹智科 90.00 1.19% 90.00 0.89%
金控源悦 90.00 1.19% 90.00 0.89%
金控远东 75.00 0.99% 75.00 0.74%
前海利信 60.00 0.79% 60.00 0.59%
戴锁庆 60.00 0.79% 60.00 0.59%
顾成标 60.00 0.79% 60.00 0.59%
王成宏 48.00 0.63% 48.00 0.47%
周洞濂 30.00 0.40% 30.00 0.30%
顾朋朋 24.00 0.32% 24.00 0.24%
肖东戈 15.00 0.20% 15.00 0.15%
杨 卓 12.00 0.16% 12.00 0.12%
朱 兵 12.00 0.16% 12.00 0.12%
朱喜龙 12.00 0.16% 12.00 0.12%
宗 臻 12.00 0.16% 12.00 0.12%
李宗清 12.00 0.16% 12.00 0.12%
吴国强 12.00 0.16% 12.00 0.12%
上海谙稷 10.20 0.13% 10.20 0.10%
陆 虹 9.00 0.12% 9.00 0.09%
张照才 9.00 0.12% 9.00 0.09%
王永刚 9.00 0.12% 9.00 0.09%
王根毅 9.00 0.12% 9.00 0.09%
周永珍 9.00 0.12% 9.00 0.09%
朱久桃 9.00 0.12% 9.00 0.09%
徐振彦 6.00 0.08% 6.00 0.06%
杨 茜 4.00 0.05% 4.00 0.05%
李春香 3.50 0.05% 3.50 0.05%
杲永亮 3.00 0.04% 3.00 0.03%
季康康 3.00 0.04% 3.00 0.03%
刘晶晶 3.00 0.04% 3.00 0.03%
吕万雄 0.75 0.01% 0.75 0.01%
程月东 0.75 0.01% 0.75 0.01%
二、本次发行股份
社会公众股东 - - 2,530.00 25.00%
合 计 7,590.00 100.00% 10,120.00 100.00%
1、公司控股股东、实际控制人朱袁正及其一致行动人（叶鹏、戴锁庆、周洞濂、王成宏、顾朋朋、吴国强、李宗清、王永刚、陆虹、肖东戈共计10人）承诺：
（1）自公司股票上市之日起36个月内，不转让或者委托他人管理本人直接或间接持有的公司首次公开发行股票前已发行的股份，也不由公司回购本人直接或间接持有的首次公开发行股票前已发行的股份。
（2）公司上市后6个月内如公司股票连续20个交易日的收盘价均低于发行价，或者上市后6个月期末收盘价低于发行价，其持有公司股票的锁定期限自动延长6个月（若发行人上市后发生派发股利、送红股、转增股本、增发新股或配股等除息、除权行为的，则前述价格将进行相应调整）。
（3）若本人直接或间接持有的股份在锁定期满后两年内减持，减持价格将不低于首次公开发行股票发行价（若公司上市后发生派发股利、送红股、转增股本、增发新股或配股等除息、除权行为的，则前述价格将进行相应调整）。
2、持有公司股份的达晨创投、上海贝岭、国联创投、金浦新投、金投控股、君熠投资、朱进强、中汇金玖、祥禾涌安、易辰创投、君昕投资、武岳峰浦江、珠海横琴、郭艳芬、航虹智科、金控源悦、金控远东、顾成标、上海谙稷共计19名股东承诺：自公司本次发行的股票在证券交易所上市之日起12个月内，不转让或者委托他人管理现已持有的公司股份，亦不由公司回购现已持有的股份。
3、持有公司股份的杨卓、朱兵、朱喜龙、宗臻、张照才、王根毅、周永珍、朱久桃、徐振彦、杲永亮、李春香、杨茜、季康康、刘晶晶、吕万雄、程月东、前海利信共计17名股东承诺：自发行人股票在证券交易所上市之日起36个月内，不转让或者委托他人管理本人持有的公司首次公开发行股票前已发行的股份，也不由公司回购本人持有的首次公开发行股票前已发行的股份。
4、持有公司股份的董事、高级管理人员朱袁正、叶鹏、王成宏、顾朋朋、王永刚、陆虹、肖东戈承诺：
（1）自公司股票上市之日起36个月内，本人不转让或者委托他人管理本次发行前本人直接或间接持有的公司股份，亦不由公司回购该部分股份。
（2）公司上市后6个月内如公司股票连续20个交易日的收盘价均低于发行价，或者上市后6个月期末收盘价低于发行价，本人直接或间接持有公司股份的锁定期限自动延长6个月（若发行人上市后发生派发股利、送红股、转增股本、增发新股或配股等除息、除权行为的，则前述价格将进行相应调整）。
（3）除前述锁定期外，在担任公司董事、监事或高级管理人员期间，每年转让的股份不超过本人直接或间接持有公司股份总数的25%；离职后6个月内，不转让本人直接或间接持有的公司股份。
（4）在任期届满前离职的，在就任时确定的任期内和任期届满后6个月内，转让的股份不超过本人直接或间接持有公司股份总数的25%；离职后6个月内，不转让本人直接或间接持有的公司股份；不违反法律、行政法规、部门规章、规范性文件以及证券交易所业务规则对董监高股份转让的其他规定。
本人作出的上述承诺在本人直接或间接持有公司股票期间持续有效，不因本人职务变更或离职等原因而放弃履行上述承诺。
5、持有公司股份的监事吴国强、李宗清承诺：
（1）自公司股票上市之日起36个月内，本人不转让或者委托他人管理本次发行前本人直接或间接持有的公司股份，亦不由公司回购该部分股份。
（2）除前述锁定期外，在担任公司董事、监事或高级管理人员期间，每年转让的股份不超过本人直接或间接持有公司股份总数的25%；离职后6个月内，不转让本人直接或间接持有的公司股份。
（3）在任期届满前离职的，在就任时确定的任期内和任期届满后6个月内，转让的股份不超过本人直接或间接持有公司股份总数的25%；离职后6个月内，不转让本人直接或间接持有的公司股份；不违反法律、行政法规、部门规章、规范性文件以及证券交易所业务规则对董监高股份转让的其他规定。
本人作出的上述承诺在本人直接或间接持有公司股票期间持续有效，不因本人职务变更或离职等原因而放弃履行上述承诺。
（二）发起人持股数量及比例
公司设立时总股本为1,000.00万股，发起人为朱袁正、新潮集团和新洁能半导体。公司发起设立时，各发起人的持股数量及持股比例如下：
序号 股东名称 持股数量（万股） 股权比例
1 朱袁正 510.00 51.00%
2 新潮集团 470.00 47.00%
3 新洁能半导体 20.00 2.00%
合 计 1,000.00 100.00%
（三）发起人、控股股东和主要股东之间的关联关系
截至招股意向书签署日，公司发起人、控股股东、持股 5%以上的主要股东之间的关联关系如下：
主要股东/发起人名称 关联关系
朱袁正 公司实际控制人、控股股东朱袁正原参股的其他企业
新洁能半导体
除上述关联关系外，发起人、控股股东、持股 5%以上的主要股东之间不存在关联关系。
四、发行人的业务情况
（一）发行人的主营业务及产品
公司的主营业务为MOSFET、IGBT等半导体芯片和功率器件的研发设计及销售，公司销售的产品按照是否封装可以分为芯片和功率器件。公司产品系列齐全，广泛应用于消费电子、汽车电子、工业电子、新能源汽车/充电桩、智能装备制造、物联网、光伏新能源等领域。
公司主要产品按形态分类具体情况如下：
①芯片
gate source 1/2WP WG
n+ p+ n+ n+ p+ n+ tOX
pbody gate pbody
oxide
p- p-
n-drift
n+
drain
（芯片） （单芯片）注：“芯片”中包含数千颗“单芯片”产品；“单芯片”用于封装功率器件的单芯片公司是半导体行业内专业化垂直分工企业。芯片是由公司通过复杂的技术研发和产品设计流程后，将包含核心技术文档在内的研发设计方案交由芯片代工企业，芯片代工企业再通过其光刻、刻蚀、离子注入和正面金属化等半导体工艺制造流程，将晶圆材料片等原材料加工成包括电路结构、器件特定功能在内的芯片产品。下游部分客户采购公司芯片产品后，可以通过与其他种类的芯片和电子元器件合封，组合后形成具备特定功能的器件，再安装在电路板中实现相关作用。每片8英寸芯片包含数百颗至数万颗数量不等的单芯片，单芯片可以通过进一步封装测试形成半导体封装成品，即功率器件。
②功率器件
注：上述功率器件的封装外形依次分别为：TOLL封装、TO-263-7L封装、DFN5×6封装和DFN5
×6双基岛封装
功率器件主要由公司委托外部封装测试企业对芯片进行封装测试而成，少部分由公司对芯片自主封装后销售。功率器件主要是指已经封装好的 MOSFET、IGBT 等封装成品，主要结构包括芯片、塑封外壳、金属底座以及引线等结构，其中芯片是核心，发挥主要功能作用。芯片通过焊料固定在框架上、连同塑封外壳等给芯片提供支撑、保护、散热以及电气连接和隔离等作用，以便使器件与其他无源器件和有源器件等构成完整的电路系统。公司功率器件系列齐全，下游应用领域广泛，收入占比逐年增长。
公司产品器件结构不同、功能有所差异，主要分类包括沟槽型功率MOSFET、超结功率MOSFET、屏蔽栅功率MOSFET、绝缘栅双极型晶体管（IGBT）以及功率模块等多品类产品系列。
综上，公司的主要产品类型如下所示：
公司各类产品使用先进的设计技术和制造工艺来实现半导体功率器件低导通损耗、低开关损耗和高可靠性，从而提升能源转换效率，能满足不同的客户应用需求。公司各类产品的示意图及适用领域如下：
类别 具体内容 产品芯片元胞及部分产品 适用领域
示意图
MID、移动电源、手机数据线、数
码类锂电池保护板、车载导航、汽
S 车应急启动电源、多口USB充电
沟槽型功率 12V-250V G 器、LED户外广告屏、电动车控制、
MOSFET 沟槽型功率 逆变器、适配器、充电器、LED电
MOSFET 源、HID灯、手机快充、金牌PC
D 电源、TV电源板、电脑显卡、UPS
电源等。
S 手机充电器、快充、LED驱动电源、
超结功率 500V-900V G 适配器、大功率电动车充电器、大
MOSFET 超结功率 功率LED调光电源、超薄类PC适
MOSFET 配器、TV电源板、电动汽车充电桩、
D 通信电源等。
S 电子雾化器、充电桩、电动工具、
30V-300V G 智能机器人、无人机、移动电源、
屏蔽栅功率 屏蔽栅功率 S 数码类锂电池保护板、多口USB充
MOSFET MOSFET 电器、电动车控制、逆变器、适配
器、手机快充、金牌PC电源、TV
D 电源板、UPS电源等。
高密度场截 E
止型绝缘栅 G G G
双极型晶体 UPS电源、电焊机、电动汽车充电
管(IGBT) C 桩、变频器、逆变器、功率电源、
IGBT 太阳能、交流电机驱动、电磁加热
载流子存储 等。
型绝缘栅双
极型晶体管
(IGBT)
MOSFET或 大功率电动三轮车、电动四轮车、
其他 IGBT功率模 低速电动汽车、高速电动汽车的电
块 机控制，大功率马达驱动等。
（实物图）
公司的产品用途广泛，主要运用于消费电子、汽车电子、工业电子以及新能源汽车/充电桩、智能装备制造、物联网、光伏新能源等新兴领域。
公司产品下游运用行业情况如下图所示：
公司不断对产品系列更新升级，积极延伸所处产业链，逐步进入半导体功率器件的封装测试领域。目前，公司已初步建成先进封装测试生产线，实现少部分功率器件的自主生产。从产业链的角度来看，公司掌握了芯片设计、封装测试等重要环节，能依据行业技术发展和市场需求变动开展研发设计、并依据终端客户的需求直接生产所需产品，有利保证产品质量、提升产品性能、促进新产品开发、保障产品供应及获取更多的产业链价值。
（二）产品销售模式
公司采取直销为主、经销为辅的销售模式。在直销模式下，客户给公司下达订单，公司将产品交付给客户；公司经销模式为买断式经销，在该模式下公司将产品送至经销商。公司建立了完善的客户管理制度，对于长期合作客户，公司与其签订框架合作协议，并安排专员提供全方位服务；对于其他客户，公司根据客户的订单给其供货。公司仓管部负责产品发运，销售处负责产品售后服务。半导体行业上下游之间粘性较强，公司产品需要通过较为严格的质量认证测试，一旦受到客户的认可和规模化使用后，双方将形成长期稳定的合作关系。
（三）主要采购内容供应情况
1、采购内容
报告期内，公司销售的产品按照是否封装可以分为芯片和功率器件。公司是专业化垂直分工厂商，芯片主要由公司设计方案后交由芯片代工企业进行生产，功率器件主要由公司委托外部封装测试企业对芯片进行封装测试而成。因此，公司主要对外采购芯片代工及封测服务。
2、能源
公司能源消耗主要为办公用水、电等，该等能源供应稳定且整体金额较小。
（四）行业竞争情况以及发行人在行业中的竞争地位
中国产业信息网发布的《2014-2019 年中国半导体器件市场分析预测及投资战略咨询报告》显示，我国半导体分立器件行业集中度低，规模以上的半导体分立器件企业约有2,000家。行业内少数优质企业通过长期的技术积累和持续的自主创新，能够设计或生产附加值较高的产品，并满足客户严苛的产品认证标准，市场知名度较高，在国内竞争主体众多的环境中处于领先地位。
公司为国内领先的半导体功率器件设计企业之一，是国内8英寸先进工艺平台芯片投片量最大的半导体功率器件设计公司之一，也是国内半导体功率器件行业内最早专门从事MOSFET、IGBT研发设计的企业之一。在中国半导体行业协会发布的2016年、2017年、2018年和2019年中国半导体功率器件企业排行榜中，公司连续四年名列“中国半导体功率器件十强企业”。公司是江苏省科技厅、财政厅、国税局、地税局联合认定的高新技术企业，且为中国半导体行业协会会员、中国电源学会理事单位。公司亦为江苏半导体行业协会2017年度先进会员单位，已建立了江苏省功率器件工程技术研究中心、江苏省企业研究生工作站、东南大学-无锡新洁能功率器件技术联合研发中心。
自成立以来，公司始终专注于半导体功率器件行业，具备独立的MOSFET和IGBT 芯片设计能力和自主的工艺流程设计平台。公司基于全球半导体功率器件先进理论技术开发领先产品，是国内率先掌握超结理论技术，并量产屏蔽栅功率MOSFET 及超结功率 MOSFET 的企业之一，是国内最早同时拥有沟槽型功率MOSFET、超结功率MOSFET、屏蔽栅功率MOSFET及IGBT四大产品平台的本土企业之一。公司新产品开发能力强，产品导入市场速度快，已经掌握屏蔽栅功率MOSFET、超结功率MOSFET、IGBT等特色工艺技术，并形成了具有自主知识产权的核心技术体系。公司产品数量众多，应用广泛，特别能满足如消费电子、汽车电子、工业电子以及新兴领域的终端客户对产品的技术参数和性能多样性的需求，具有一定的市场占有率和较强的品牌影响力。
公司未来将以当前在市场中的竞争能力以及核心竞争优势为基础，巩固现有的市场地位，在国家产业政策大力支持下，继续开拓市场，加大研发力度，实现持续快速发展。
根据全球知名市场研究机构IHS统计数据显示，2016年、2017年国内MOSFET市场份额分别为22.07亿美元、26.39亿美元。公司2016年、2017年分别占国内MOSFET市场份额比例分别为（年度平均汇率分别为6.6423、6.7518）2.88%、2.83%，且公司为除英飞凌（Infineon）、安森美（ON Semiconductor）、瑞萨电子（Renesas Electronics）等9家外资品牌外的国内排名前茅的MOSFET研发设计及销售本土企业。根据IHS、电子工程世界网Yole相关数据，2018年全球MOSFET市场份额预计将增长至76亿美元，比照Yole关于国内功率器件占全球份额约39%测算，国内2018年MOSFET市场份额预计将达到29.64亿美元，公司占国内MOSFET市场份额比例达3.65%。
在中国半导体行业协会发布的中国半导体功率器件企业排行榜中，公司均名列其中，具体排名如下：
序号 荣誉名称 名次 颁发单位
1 2019年中国半导体行业功率器件十强企业 7
2 2018年中国半导体行业功率器件十强企业 6 中国半导体行业协会
3 2017年中国半导体行业功率器件十强企业 7 （CSIA）
4 2016年中国半导体行业功率器件十强企业 9
二极管、三极管、晶闸管等半导体功率器件主要基于投资规模为十亿元以内的4、6英寸晶圆片工艺平台进行生产，国内以上述产品为主的部分上市公司具备资本实力可以自建产线进行生产，因此主要采取IDM模式；而MSOFET、IGBT等因其产品特性和较高工艺要求则主要基于投资规模约30亿元的8英寸晶圆片工艺平台进行生产，行业内企业一般主要从事产品的研发设计，而将芯片制造委托给纯代工企业进行生产。在中国半导体行业功率器件十强企业中，公司为唯一一家主要基于先进的8英寸晶圆片工艺平台、且专门从事MOSFET和IGBT等半导体功率器件研发设计、并主要采用Fabless模式的非上市企业。
2018年中国半导体行业功率器件十强企业主要情况如下表所示：排名 企业名称 经营规模 业务模式 产品结构
上市公司。
2017 年度营业收入为 专业从事二极管系列产
扬杰科技 14.70亿元； 品，包括快恢复二极管、
1 （300373） 2018 年度营业收入为 IDM模式 齐纳二极管、整流桥等，
18.52亿元； 目前正逐步开发自己的
2019 年度营业收入为 MOSFET产品。
20.07亿元；
2 华微电子 上市公司。 IDM模式 其产品主要为功率半导
（600360） 2017 年度营业收入为 体，主要包括二极管、三
16.35亿元； 极管、双极型功率晶体
2018 年度营业收入为 管、MOSFET和IGBT。
17.09亿元；
2019 年度营业收入为
16.56亿元；
无锡华润华晶 主要产品为双极型功率
3 微电子有限公 央企下属企业（非上市 IDM模式 晶体管、MOS 型功率晶
司 公司） 体管、IGBT和特种二极
管等
上市公司。
2017 年度营业收入为
苏州固锝 18.5亿元； 半导体整流器件芯片、功
4 （603501） 2018 年度营业收入为 IDM模式 率二极管、整流桥等产品
18.9亿元；
2019 年度营业 收入
19.81亿元；
乐山无线电股 主要产品包含二极管、三
5 份有限公司 民营企业（非上市公司） IDM模式 极管、集成电路、桥式整
流器、MOSFET等
2017 年度营业收入为
5.04亿元； 主要产品包括沟槽型功
6 新洁能 2018 年度营业收入为 主要为 率 MOSFET、超结功率
7.16亿元； Fabless模式 MOSFET、屏蔽栅功率
2019 年度营业收入为 MOSFET和IGBT等。
7.73亿元（非上市公司）
国际合资企业，由恩智 主要产品包括可控硅整
瑞能半导体有 浦半导体（NXP）与北 流器和三端双向可控硅、
7 限公司 京建广资产管理有限公 IDM模式 硅功率二极管、高压晶体
司联合成立（非上市公 管和碳化硅二极管等
司）
常州银河世纪 2017 年度营业收入为 主要产品包括二极管、三
8 微电子股份有 6.12亿元（非上市公司） IDM模式 极管和桥式整流管等半
限公司 导体分立器件产品
上市公司。 公司主营产品包括晶闸
2017 年度营业收入为 管器件和芯片、防护类器
捷捷微电 4.31亿元； 件和芯片、二极管器件和
9 （300623） 2018 年度营业收入为 IDM模式 芯片、厚膜组件及功率模
5.37亿元； 块、晶体管器件和芯片
2019 年度营业收入为 等。
6.74亿元；
10 北京燕东微电 国有控股企业（非上市 IDM模式 主要产品包括模拟集成
子有限公司 公司） 电路、二极管产品、
VDMOS系列、CMOS、
场效应件等产品
五、发行人业务及生产经营有关的资产权属情况
（一）主要固定资产情况
1、与业务相关的主要固定资产
（1）房屋建筑物
截至本招股书签署日，公司及子公司拥有房屋建筑物1处，具体情况如下表：序号 房屋所有权证号 地址 建筑面积 所有权人 用途 取得
（m2） 方式
苏（2019）无锡市 新吴区研发一路以
1 不动产权第 东、研发二路以南 8,888.8 电基集成 工业 自建
0071063
（2）租赁的房屋建筑物
截至本招股书签署日，公司租赁的房屋建筑物共3处，具体情况如下表：序号 出租方 租赁位置 租赁面积 租赁价格 租赁期限
（㎡）
深圳市宝安区西 2017.12.17-
深圳市伯广 乡街道西乡大道 月租金总额为人民 2020.12.17和
1 投资咨询有 与前进二路交汇 240、158 币25,888元、16,906 2018.07.09-
限公司 处美兰商务中心 元 2020.12.17
802、807房
无锡龙世太 无锡市高浪东路 2019.11.1-
2 湖科技发展 999号B1号楼2 74 每平方米1元/日 2020.10.31
有限公司 层
浙江升和资 宁波市金融硅谷 2019.09.24-
3 产管理有限 产业园8号楼 153.4 每平方米1.9元/日 2022.10.03
公司 1007室
公司所有租赁房产的产权人与公司实际控制人、一致行动人、董事、监事、高级管理人员及其家庭关系密切成员之间不存在关联关系。
（3）主要设备
截至2019年12月31日，公司拥有的主要设备情况如下：序号 设备名称 单位 数量 成新率注
1 半导体动静态一体测试设备 台 1 80.00%
2 测试分选机 台 2 89.17%
3 K&S球焊键合机 台 10 94.17%
4 SOT23塑封设备 套 1 94.17%
5 TO2524*28 全自动切筋成形系统 套 1 92.50%
6 BESTEM-D310高晶度固晶机 台 3 94.17%
7 全自动装片机AD832i 台 2 94.17%
8 铝线键合机 台 10 92.50%
9 F206SOT23Handler测试分选机 台 2 94.17%
10 SOT2324*64切筋成形系统 台 1 94.17%
11 切割机DISCO DFD6341 台 2 92.50%
12 全自动装片机SD832D 台 3 92.50%
13 SOT23模具 套 2 94.17%
14 F246TO252Handler测试分选机 台 3 92.50%
15 全自动键合机 台 5 99.17%
注：成新率=设备剩余可使用年限/（设备已使用年限+设备剩余可使用年限）
（二）主要无形资产
1、土地使用权
截至2019年12月31日，公司拥有1项土地使用权，具体情况如下：
序 土地使用证号 地址 面积（㎡） 终止日期 颁证日期 权属
号
苏（2017）无 研发二路以南、 2067年9月3 2017年9月
1 锡市不动产权 研发一路以东 15,271.70 日 6日 电基集成
第0167038号
2、与业务相关的知识产权
（1）专利权
截至2020年1月19日，公司拥有97项专利，其中发明专利35项、实用新型59项，外观设计3项，具体情况如下：
序号 名称 专利号 专利申请日 授权公告日 申请类型 专利权人 取得方式
一种深沟槽功率 ZL2010 1
1 MOS器件及其制 0004030.1 2010.01.08 2011.05.11 发明专利 新洁能 转让取得
造方法
沟槽型大功率 ZL2010 1
2 MOS器件及其制 0003953.5 2010.01.08 2011.05.11 发明专利 新洁能 转让取得
造方法
一种具有改进型
3 终端保护结构的 ZL2009 1 2009.12.29 2011.06.22 发明专利 新洁能 转让取得
沟槽型功率MOS 0215280.7
器件
一种具有改进型 ZL2010 1
4 终端的半导体器 0169959.X 2010.05.04 2011.06.22 发明专利 新洁能 转让取得
件及其制造方法
一种沟槽型大功 ZL2010 1
5 率MOS器件及其 0005206.5 2010.01.15 2011.07.20 发明专利 新洁能 转让取得
制造方法
一种超势垒半导 ZL2010 1
6 体整流器件及其 0135350.0 2010.03.17 2011.10.26 发明专利 新洁能 转让取得
制造方法
一种沟槽功率 ZL2010 1
7 MOS器件及其制 0160987.5 2010.04.23 2012.01.11 发明专利 新洁能 转让取得
造方法
一种沟槽型功率 ZL2010 1
8 MOS器件及其制 0136934.X 2010.03.30 2012.02.29 发明专利 新洁能 转让取得
造方法
沟槽型肖特基势 ZL2010 1
9 垒整流器及其制 0124527.7 2010.03.04 2012.05.30 发明专利 新洁能 转让取得
造方法
具有改进型终端 ZL2010 1
10 的IGBT及其制造 0509621.4 2010.10.15 2012.07.25 发明专利 新洁能 转让取得
方法
低栅极电荷低导
11 通电阻深沟槽功 ZL20111 2011.08.22 2012.11.07 发明专利 新洁能 转让取得
率MOSFET 器件 0241525.0
及其制造方法
一种改进型终端 ZL2010 1
12 结构的沟槽功率 0158456.2 2010.03.12 2012.11.21 发明专利 新洁能 转让取得
MOS器件
一种具有改善型 ZL2010 1
13 集电极结构的 0191133.3 2010.06.04 2013.01.02 发明专利 新洁能 转让取得
IGBT
具有超结结构的 ZL20111
14 平面型功率 0210968.3 2011.07.26 2013.01.23 发明专利 新洁能 转让取得
MOSFET器件及
其制造方法
一种沟槽结构的 ZL20111
15 功率MOSFET器 0241526.5 2011.08.22 2013.01.30 发明专利 新洁能 转让取得
件及其制造方法
一种具有超结结 ZL20111
16 构的半导体器件 0132941.7 2011.05.20 2013.04.24 发明专利 新洁能 原始取得
及其制造方法
超高元胞密度深 ZL20111
17 沟槽功率MOS器 0405658.7 2011.12.08 2013.06.05 发明专利 新洁能 原始取得
件及其制造方法
具有超结结构的 ZL20111
18 半导体器件及其 0367643.6 2011.11.18 2014.03.19 发明专利 新洁能 原始取得
制造方法
一种具有低导通 ZL20121
19 饱和压降的IGBT 0058109.1 2012.03.08 2014.08.13 发明专利 新洁能 原始取得
及其制造方法
具有终端结构的 ZL20121
20 超结半导体器件 0088330.1 2012.03.29 2015.03.04 发明专利 新洁能 原始取得
及其制造方法
一种新型结构的 ZL20131
21 VDMOS器件及其 0142008.7 2013.04.22 2015.06.17 发明专利 新洁能 原始取得
制造方法
一种超结 ZL20131
22 MOSFET器件及 0408434.0 2013.09.06 2016.06.08 发明专利 新洁能 原始取得
其制造方法
一种具有改进型
23 封装结构的半导 ZL20141 2014.03.03 2016.06.15 发明专利 电基集成 转让取得
体器件及其制造 0075114.2
方法
一种单周期电流 ZL20141
24 控制功率模块装 0274393.5 2014.06.18 2016.08.24 发明专利 新洁能 原始取得
置
25 沟槽型IGBT器件 ZL20141 2014.06.05 2016.10.05 发明专利 新洁能 原始取得
及其制造方法 0247145.1
一种具有精确检 ZL20141
26 测功能的IGBT及 0201967.6 2014.05.13 2017.01.11 发明专利 新洁能 原始取得
其制造方法
27 功率半导体器件 ZL20141 2014.06.05 2017.01.11 发明专利 新洁能 原始取得
及其制造办法 0247892.5
28 具有低特征导通 ZL20141 2014.09.25 2017.02.01 发明专利 新洁能 原始取得
电阻的功率 0500191.8
MOSFET器件及
其制造方法
利用电荷耦合实
29 现耐压的功率 ZL20151 2015.03.31 2017.09.05 发明专利 新洁能 原始取得
MOS器件及其制 0149864.4
备方法
30 沟槽功率MOS器 ZL20151 2015.01.28 2017.10.20 发明专利 新洁能 原始取得
件及其制造方法 0045005.0
31 半桥驱动电路 ZL20151 2015.10.30 2018.07.27 发明专利 新洁能 原始取得
0726410.9
改善反向恢复特
32 性及雪崩能力的 ZL20161 2016.01.13 2019.02.15 发明专利 新洁能 原始取得
超结MOS器件及 0021133.6
其制造方法
具有载流子存储 ZL20161
33 结构的IGBT器件 0170267.4 2016.03.23 2019.02.15 发明专利 新洁能 原始取得
及其制造方法
一种大电流功率
34 半导体器件的封 ZL20161 2016.09.26 2019.10.11 发明专利 新洁能 原始取得
装结构及制造方 0852313.9
法
一种优化开关特 ZL20161
35 性的超结半导体 0729581.1 2016.08.25 2019.12.06 发明专利 新洁能 原始取得
器件及制造方法
一种深沟槽的功 ZL20182
36 率半导体器件 0164326.1 2018.01.30 2018.09.11 实用新型 新洁能 原始取得
37 一种沟槽型半导 ZL20102 2010.03.04 2010.11.10 实用新型 新洁能 转让取得
体整流器 0131168.3
38 具有超结结构的 ZL20102 2010.05.04 2010.12.15 实用新型 新洁能 转让取得
半导体器件 0188114.0
一种改进型终端 ZL20122
39 结构的功率MOS 0092694.2 2012.03.13 2012.10.03 实用新型 新洁能 转让取得
器件
40 功率MOSFET器 ZL20112 2011.11.25 2012.10.03 实用新型 新洁能 转让取得
件 0476787.0
能实现电流双向 ZL20152
41 流通的功率 0016806.X 2015.01.09 2015.06.03 实用新型 新洁能 原始取得
MOSFET器件
提高截止效果的 ZL20122
42 沟槽型功率MOS 0000743.5 2012.01.04 2012.11.14 实用新型 新洁能 转让取得
器件
43 一种超结半导体 ZL2015 2 2015.06.12 2015.10.14 实用新型 新洁能 原始取得
器件 0408572.3
具有防静电保护 ZL20162
44 结构的低压 0009622.5 2016.01.06 2016.06.15 实用新型 新洁能 原始取得
MOSFET器件
45 一种引线框架 ZL20142 2014.02.19 2014.07.23 实用新型 新洁能 原始取得
0072897.4
46 集成磁路多电平 ZL20142 2014.03.20 2014.07.23 实用新型 新洁能 原始取得
开关电源装置 0129205.5
47 一种半导体器件 ZL20142 2014.03.13 2014.08.27 实用新型 新洁能 原始取得
封装引线框架 0112295.7
具有电流采样功 ZL20142
48 能的沟槽型功率 0274024.1 2014.05.26 2014.09.24 实用新型 新洁能 原始取得
MOSFET器件
49 沟槽型功率 ZL20162 2016.06.23 2016.12.07 实用新型 新洁能 原始取得
MOSFET器件 0629808.0
一种大电流功率 ZL20162
50 半导体器件的封 0733119.4 2016.07.12 2017.02.22 实用新型 新洁能 原始取得
装结构
51 电动车过流保护 ZL20142 2014.06.18 2014.11.05 实用新型 新洁能 原始取得
装置 0326953.2
具有终端结构的 ZL20142
52 场截止型IGBT器 0464575.4 2014.08.15 2014.12.17 实用新型 新洁能 原始取得
件
利用电荷耦合实 ZL20152
53 现耐压的肖特基 0190631.4 2015.03.31 2015.08.12 实用新型 新洁能 原始取得
二极管
54 薄型功率模块 ZL20152 2015.07.31 2015.11.18 实用新型 新洁能 原始取得
0572096.9
55 采用功率模块的 ZL20152 2015.07.29 2015.12.16 实用新型 新洁能 原始取得
电机控制器 0559228.4
功率端子以及利 ZL20152
56 用所述功率端子 0647805.5 2015.08.25 2016.01.13 实用新型 新洁能 原始取得
的功率模块
适用于电荷耦合 ZL20162
57 器件的半导体结 0267014.4 2016.03.31 2016.08.17 实用新型 新洁能 原始取得
构
适用于三端功率 ZL20162
58 器件的薄型封装 0130576.4 2016.02.19 2016.08.17 实用新型 新洁能 原始取得
模块
59 功率模块 ZL20162 2016.04.13 2016.08.31 实用新型 新洁能 原始取得
0306528.6
一种优化开关特 ZL20162
61 性的超结半导体 0945153.8 2016.08.25 2017.04.19 实用新型 新洁能 原始取得
器件
高集成度的低压 ZL20162
62 沟槽栅DMOS器 1188364.8 2016.11.04 2017.04.26 实用新型 新洁能 原始取得
件
具有低导通压降 ZL20162
63 的绝缘栅双极型 1309158.8 2016.12.01 2017.05.24 实用新型 新洁能 原始取得
晶体管器件
64 功率模块用底板 ZL20162 2016.08.30 2017.05.24 实用新型 新洁能 原始取得
及功率模块 0992712.0
65 沟槽DMOS器件 ZL20162 2016.11.04 2017.05.24 实用新型 新洁能 原始取得
1188365.2
具有终端保护区 ZL2017201
66 的超结半导体器 32638.X 2017.02.14 2017.09.05 实用新型 新洁能 原始取得
件
67 一种电荷耦合功 ZL20172 2017.04.19 2017.11.10 实用新型 新洁能 原始取得
率MOSFET器件 0413251.1
68 电荷耦合功率 ZL2017 2 2017.04.19 2017.12.01 实用新型 新洁能 原始取得
MOSFET器件 0412542.9
一种降低导通电 ZL2017 2
69 阻的功率半导体 0802726.6 2017.07.04 2018.02.06 实用新型 新洁能 原始取得
器件
一种优化终端结 ZL2017 2
70 构的沟槽型半导 0877752.5 2017.07.19 2018.02.06 实用新型 新洁能 原始取得
体器件
适用于深沟槽的 ZL2017 2
71 功率半导体器件 0905927.9 2017.07.25 2018.02.06 实用新型 新洁能 原始取得
结构
72 晶体管器件的终 ZL2017 2 2017.08.07 2018.03.13 实用新型 新洁能 原始取得
端结构 0978114.2
一种具有多个浓 ZL20172
73 度中心的超结半 1047506.3 2017.08.21 2018.04.03 实用新型 新洁能 原始取得
导体器件
74 一种功率半导体 ZL2017 2 2017.09.22 2018.04.03 实用新型 新洁能 原始取得
器件 1223304.X
75 一种晶圆级功率 ZL2017 2 2017.10.10 2018.04.17 实用新型 新洁能 原始取得
半导体器件 1303825.6
76 一种优化器件特 ZL2017 2 2017.10.31 2018.05.04 实用新型 新洁能 原始取得
性的半导体结构 1423121.2
一种抗耐压冲击 ZL2017 2
77 软关断的IGBT器 1875361.6 2017.12.27 2018.08.03 实用新型 新洁能 原始取得
件结构
一种高雪崩耐量 ZL2018 2
78 的深沟槽功率器 0487064.2 2018.04.08 2018.10.12 实用新型 新洁能 原始取得
件
79 一种带沟槽的终 ZL2018 2 2018.04.08 2018.10.12 实用新型 新洁能 原始取得
端结构 0487063.8
80 一种功率半导体 ZL2018 2 2018.04.08 2018.10.12 实用新型 新洁能 原始取得
器件终端结构 0486621.9
81 一种屏蔽栅功率 ZL2018 2 2018.08.10 2019.02.12 实用新型 新洁能 原始取得
MOSFET器件 1288168.7
82 一种绝缘栅双极 ZL2018 2 2018.08.16 2019.03.01 实用新型 新洁能 原始取得
型半导体器件 1320354.4
83 高浪涌电流能力 ZL2018 2 2018.08.29 2019.03.15 实用新型 新洁能 原始取得
碳化硅二极管 1397087.0
一种高浪涌电流 ZL2018 2
84 能力碳化硅二极 1397084.7 2018.08.29 2019.03.15 实用新型 新洁能 原始取得
管
85 一种SiC功率器件 ZL2018 2018.09.11 2019.04.05 实用新型 新洁能 原始取得
终端 21482781.2
一种高耐压的碳 ZL2018
86 化硅肖特基二极 21666677.9 2018.10.15 2019.04.12 实用新型 新洁能 原始取得
管
87 耗尽型MOSFET ZL2018 2 2018.09.21 2019.05.03 实用新型 新洁能 原始取得
器件 1564557.8
优化热分布的碳 ZL2018 2
88 化硅肖特基二极 1843868.8 2018.11.09 2019.05.03 实用新型 新洁能 原始取得
管
89 一种碳化硅肖特 ZL2018 2 2018.11.09 2019.05.03 实用新型 新洁能 原始取得
基二极管 1843834.9
一种半封闭式屏 ZL2018 2
59 蔽栅IEGT器件结 1851832.4 2018.11.09 2019.05.03 实用新型 新洁能 原始取得
构
90 一种多次外延的 ZL2018 2 2018.12.04 2019.07.09 实用新型 新洁能 原始取得
超结终端结构 2023624.1
一种具有低热阻 ZL20192 新洁能、
91 的半导体器件封 0247774.2 2019.02.27 2019.09.06 实用新型 电基集成 原始取得
装结构
92 一种IGBT结构 ZL20192 2019.05.24 2019.12.06 实用新型 新洁能 原始取得
0759868.8
93 大电流半导体功 ZL20192 2019.05.31 2019.12.20 实用新型 电基集成 原始取得
率器件 0813483.5
利于焊接的大电 ZL20192
94 流半导体功率器 0812348.9 2019.05.31 2019.12.17 实用新型 电基集成 原始取得
件
95 封装引线框架 ZL20143 2014.03.13 2014.09.10 外观设计 新洁能 原始取得
0049102.3
96 封装框架 ZL2014 3 2014.02.19 2014.09.24 外观设计 新洁能 原始取得
（TO-220） 0030111.8
97 封装引线框架 ZL2014 3 2014.03.03 2015.02.11 外观设计 新洁能 原始取得
（TO-220） 0039432.4
注1：第1项至第15项发明专利、第37项至第40项和第42项实用新型专利为新洁能从新
洁能半导体转让取得；
注2：第23项发明专利为新洁能原始取得后转让至全资子公司电基集成。
（2）商标权
截至本招股书签署日，公司拥有12项商标权，具体情况如下：序 注册证号 注册商标 注册类别 注册公告日 有效期至 权利人
号
1 7962650 第9类 2011年10月 2021年10月 新洁能
28日 27日
2 7962678 第9类 2011年6月 2031年6月 新洁能
14日 13日
3 7962696 第9类 2011年10月 2021年10月 新洁能
28日 27日
4 9700201 第9类 2012年8月 2022年8月 新洁能
21日 20日
5 12789607 第9类 2014年12月 2024年12月 新洁能
14日 13日
6 32978713 第9类 2019年5月 2029年5月 电基集成
14日 13日
7 32978714A 第9类 2019年7月 2029年7月 电基集成
14日 13日
8 32287895A 第9类 2019年8月7 2029年8月 电基集成
日 6日
9 32287896A 第9类 2019年8月7 2029年8月 电基集成
日 6日
10 32287897 第9类 2019年10月 2029年10月 电基集成
7日 6日
11 38627474A 第9类 2020年3月7 2030年3月 新洁能
日 6日
12 40427995 第9类 2020年4月7 2030年4月 新洁能
日 6日
（3）发表的核心期刊
截至本招股书签署日，公司参与在IEEE TDMR等国际知名期刊中发表论文13篇，其中SCI收录论文7篇，具体如下：
序号 论文名称 发表时间 发表期刊 收录
情况
InvestigationontheBreakdownFailureinStripe
1 Trench-GateField-StopInsulatedBipolar 2016年 IEEETDMR SCI
TransistorWithLow-SaturationVoltage
2 FailureAnalysisandImprovementforHighPower 2017年 IEEETDMR SCI
Single-Phase Module
1200 VFS-IGBTwithelectricfieldmodulation
3 layertoimprovetrade-offbetweenavalanche 2017年 IETEL SCI
ruggedness andon-statevoltagedrop
Novel failuremechanismandimprovementfor Superlattices
4 split-gatetrenchMOSFETwithlargecurrentunder 2018年 and SCI
unclamped inductiveswitchstress Microstructures
5 AlowlossIGBTwithshallowp-welltoadjustthe 2016年 ISPSD2016 EI
carrierprofilesattheemitterside
6 DesigncriterionofthesuperjunctionDMOSfor 2016年 ISPSD2016 EI
lowEMInoiseintheflybackconvertersystem
7 Anovelsplit-gatestructurefor85Vapplication 2016年 EDSSC2016 EI
withlowoutputcapacitance
Investigations ofinhomogeneousreverserecovery
8 behavioroftheBodyDiode inSuperjunction 2017年 ISPSD2017 EI
MOSFET
9 Influenceofforwardcurrentfreewheelingtimeon 2017年 IPFA2017 EI
di/dtrobustnessofSJ-MOSFETbodydiode
10 FailureMechanismInvestigationsofTypeII 2018年 ICSICT2018 EI
Short-Circuit inTrenchGateIGBTDevice
11 SJ-MOSFETwithwave-typefieldlimitingringfor 2018年 SSE SCI
highdi/dtrobustnessofbodydiodereverserecovery
Analysis andOptimizationoftheSwitchingNoise
12 forSuper-JunctionMOSFETinFullBridge 2019年 SSE SCI
ConverterSystem
BreakdownVoltageWalk-inPhenomenonand
13 OptimizationfortheTrench-gateP-typeMOSFET 2020年 IEEETED SCI
undersingleavalanchestress.pdf
（三）发行人获得的主要荣誉和资质
截至本招股意向书签署日，公司获得的部分荣誉和资质情况如下表所示：序号 证书名称 获得时间 颁发机构
1 2019年中国半导体功率器件十强企业 2020年3月 中国半导体行业协会
2 江苏省科学技术一等奖 2020年3月 江苏省人民政府
3 2018年中国半导体功率器件十强企业 2019年5月 中国半导体行业协会
4 江苏省功率器件工程技术研究中心 2018年10月 江苏省科学技术厅
5 2017年中国半导体功率器件十强企业 2018年4月 中国半导体行业协会
6 2017年度先进会员单位 2018年3月 江苏省半导体行业协会
7 2017年度中国半导体行业协会会员证 2017年 中国半导体行业协会
8 中国电源学会理事单位 2017年6月 中国电源学会
9 无锡市功率器件工程技术研究中心 2017年6月 无锡市科学技术局
10 2016年中国半导体功率器件十强企业 2017年3月 中国半导体行业协会
江苏省科学技术厅
11 高新技术企业证书 2017年11月、 江苏省财政厅
2014年9月 江苏省国家税务局
江苏省地方税务局
12 2016年度中国半导体行业协会会员证 2016年 中国半导体行业协会
13 第九届无锡市专利奖-优秀奖 2016年 无锡市人民政府
14 ISO质量体系证书 2016年10月、 英国标准协会（BSI）
2013年10月
15 江苏省企业研究生工作站 2015年7月 江苏省教育厅
16 江苏省半导体行业协会会员证 2015年1月 江苏省半导体行业协会
（四）发行人产品获得的主要荣誉
截至2019年12月31日，公司产品获得的部分荣誉和资质情况如下表所示：序号 项目名称 编号 获得时间 颁发机构
高新技术产品认定证书-
1 屏蔽栅沟槽型功率 150211G0050N 2015年6月 江苏省科学技术厅
MOSFET
2 高新技术产品认定证书- 140211G0060N 2014年5月 江苏省科学技术厅
超结功率MOSFET
3 高新技术产品认定证书- 140211G0058N 2014年5月 江苏省科学技术厅
沟槽型功率MOSFET
高新技术产品认定证书-
4 绝缘栅双极型晶体管 140211G0059N 2014年5月 江苏省科学技术厅
（IGBT）
六、同业竞争与关联交易
（一）同业竞争
1、公司与控股股东、实际控制人及一致行动人之间不存在同业竞争
公司控股股东、实际控制人朱袁正直接持有公司31.11%股权。同时朱袁正分别与叶鹏、王成宏、戴锁庆、周洞濂、顾朋朋、吴国强、李宗清、王永刚、陆虹、肖东戈共计10名股东签订有关一致行动的协议，约定上述十位股东在公司股东大会或董事会表决时，应主动与朱袁正保持一致，因此朱袁正可控制的股权比例为35.62%。截至本招股意向书签署日，朱袁正及一致行动人未从事任何与公司相同、相似的业务，与公司之间不存在同业竞争。
2、公司与控股股东、实际控制人及一致行动人控制的其他企业之间不存在同业竞争
控股股东、实际控制人朱袁正及一致行动人未控制其他企业。
（二）关联交易
1、经常性关联交易
（1）采购商品/接受劳务情况
报告期内，公司与关联方之间的发生的采购交易具体情况如下：
单位：万元
2019年度 2018年度 2017年度
关联方 主要交易 占采购 占采购 占采购
内容 金额 总额的 金额 总额的 金额 总额的
比例 比例 比例
长电科技注1 封测服务 - - 2,522.69 4.43% 4,306.98 10.65%
灿升实业注2 封测服务 - - - - 14.92 0.04%
红光股份注3 封测服务 82.58 0.13% 435.13 0.76% - -
合 计 82.58 0.13% 2,957.82 5.19% 4,321.89 10.69%
注1：长电科技于2017年7月不再为公司关联方，本招股书基于谨慎性原则，延长披露1年，
表格中披露金额为2018年1-7月采购数据。长电科技采购金额包括公司对其控股子公司新顺
微电子、长电先进的采购金额。
注 2：灿升实业系公司实际控制人朱袁正的原一致行动人、原持有公司 0.79%股权的股东洪
雪君及其配偶控制的企业，2018年7月5日，洪雪君签订补充协议，解除一致行动人关系；
本招股书基于谨慎性原则，延长披露1年。
注3：2018年5月22日，公司股东达晨创投委派董事王文荣担任红光股份董事。2018年9
月28日，根据红光股份（831034）公告，王文荣辞去红光股份董事，本招股书基于谨慎性原
则，延长披露1年，故2018年披露交易金额为2018年5-12月公司向红光股份的采购金额，
2019年披露为2019年1-9月的采购金额。
①向长电科技采购封测服务
公司是以半导体芯片和功率器件研发设计为主的企业，需对外采购封测服务。公司选择长电科技作为封测服务供应商的主要原因为长电科技是全球排名第三、国内排名第一的封测服务龙头企业，其封装测试业务的先进工艺和高良品率能够保证公司的产品质量和性能。
2017年至2018年1-7月，公司向长电科技主要采购封测服务，总金额分别为4,306.98万元和2,522.69万元，占当年采购总额的比例分别为10.65%和4.43%，2018年全年，公司向长电科技采购金额为4,107.78万元，占当年采购总额的比例为7.21%，2019年，公司向长电科技采购金额为3,936.98万元，占当期采购总额的比例为 6.01%，采购占比持续降低。公司向长电科技采购定价系参考市场价格协商确定，交易价格公允。报告期内，公司积极拓展其他封测供应渠道，现已与安靠技术（Amkor）、通富微电（002156）、上海捷敏等十余家封测企业开展持续稳定合作；此外，2016年起，公司逐步投入封装测试技术研发，并于2018年下半年开始自建封装测试产线，未来将减少封测委外代工。具体分析如下：
I、公司向长电科技釆购封测服务占公司同类采购业务的比例
报告期内，公司与长电科技发生关联采购业务的具体情况如下：
单位：万元
2018年1-7月 2017年度
关联方 主要交易内容 金额 占当年同类 金额 占当年同类
采购的比 采购的比
长电科 封测服务 2,499.65 19.90% 4,301.33 55.48%
技 芯片 23.04 14.61% 5.64 6.94%
注1：长电科技于2017年7月不再为公司关联方，本招股书基于谨慎性原则，延长披露1年，
表格中披露金额为2018年1-7月采购数据。向长电科技采购金额包括公司对其控股子公司新
顺微电子、长电先进的采购金额。
根据上表，2017年至2018年1-7月，公司向长电科技采购封测服务的金额分别为4,301.33万元和2,499.65万元，占当年同类采购额的比分别为55.48%和19.90%，采购金额和占比逐年下降。2018年全年，公司向长电科技采购封测服务的总金额为4,083.44万元，占当年同类采购额的比例为32.51%；2019年，公司向长电科技采购封测服务金额为 3,936.98 万元，占当年同类采购额的比例为30.67%，采购金额和占比整体下降。
II、采购的定价依据
公司与长电科技采购定价依据主要为市场情况协商定价，具体的定价依据如下：
公司向长电科技采购定价过程：公司与长电科技签订框架合作协议，每年与长电科技协商确定本年度的采购基准单价，采购基准单价经双方内部经营决策通过后一般不会变化，若出现需采购的特殊要求的产品时长电科技会依据产品具体要求重新协商确定采购价格。
公司向长电科技采购定价主要考虑：封装形式的类别、封装产品的主要材料及其价格波动、产品测试时间长短及测试效率、特殊工艺要求等，并综合考虑长电科技的产能规模、工艺水平、质量及品质（良品率等）、品牌效应、管理水平等因素。
III、采购价格公允性说明
根据对长电科技的访谈及获取其出具的《基本信息情况表》，公司向长电科技的采购价格均处于其向其他客户销售均价范围之内，且较中值差异很小，公司向长电科技的采购价格与长电科技向非关联方客户销售同类服务价格不存在重大差异。
公司向长电科技采购单价与向其他非关联供应商采购同类封测服务的均价亦不存在重大差异，将长电科技的采购单价替换为非关联供应商平均采购单价测算后，相关金额差异亦较小，占公司当期营业成本的比例分别为 0.86%、0.38%和0.54%，占比极低。
综上，公司向长电科技采购交易价格公允，不存在向公司输送利益的情形。
②向灿升实业采购封测服务
灿升实业系公司实际控制人朱袁正的原一致行动人、原持有公司 0.79%股权的股东洪雪君及其配偶控制的企业；2018年6月和9月，洪雪君将其持有的公司全部股份转让至无关联第三方。报告期内，由于公司主要封测服务供应商排产因素，公司部分零星加急订单选择向灿升实业采购。2017年，公司向灿升实业采购封测服务的金额为14.92万元，占当期采购总额的比例分别为0.04%，占比极低，交易价格公允。2018年及2019年，公司未向灿升实业采购封测服务。具体分析如下：
I、公司向灿升实业釆购封测服务占公司同类采购业务的比例
单位：万元
关联 主要交 2019年度 2018年度 2017年度
方 易内容 金额 购占同额的类比采金额 占购同额的类采比金额 占购同额的类比采
灿升 封测服 - - - - 14.92 0.19%
实业 务
根据上表，公司向灿升实业采购封测服务金额和占比极低，且2018年起不再发生采购业务。
II、采购的定价依据
公司与灿升实业采购定价依据主要为市场情况协商定价，具体的定价依据如下：
由于灿升实业拥有半导体功率器件封装测试产线，对于临时性、交期较为紧张的订单，公司会向灿升实业采购少量如“SOT-23-3L”等的工艺成熟简单但交期较为紧急的封测服务。由于公司向灿升实业采购具有临时性，因此主要通过订单采购的形式，交易价格依据订单确定。
公司向灿升实业采购定价主要考虑：封装形式的类别、封装产品的主要材料及其价格波动、产品测试时间长短及测试效率、产品交期要求等因素。
III、采购价格公允性说明
根据对灿升实业的访谈及获取其出具的《基本信息情况表》，公司向灿升实业采购的主要封装形式的价格均处于其向其他客户销售均价范围之内，且较中值差异很小。因此，公司采购灿升实业封测服务的价格与其他第三方不存在重大差异，采购交易价格公允，不存在向公司输送利益的情形。
③向红光股份采购封测服务
2016年起，红光股份始终为公司封测服务供应商。公司董事王文荣系公司股东达晨创投委派，达晨创投于2017年11月投资红光股份，并委派王文荣于2018年5月22日担任其董事。2018年9月28日，根据红光股份公告，王文荣辞去红光股份董事职务。2018年5-12月和2019年1-9月，公司向红光股份采购封测服务，交易金额分别为435.13万元和82.58万元，占当年采购总额的比例为0.76%和0.13%，占比极低。2019年，公司向红光股份采购总额为113.55万元，占当年采购总额的比例为 0.17%。公司向红光股份采购定价系参考市场价格协商确定，交易价格公允。具体分析如下：
I、公司向红光股份釆购封测服务占公司同类采购业务的比例
2018年5-12月，公司向红光股份采购封测服务的金额为435.13万元，占当年同类采购额的比例为3.46%；2019年1-9月，公司向红光股份采购封测服务的金额为82.58万元，占当年同类采购额的比例为0.64%；2019年，公司向红光股份采购总额为113.55万元，占当年同类采购额的比例为0.88%，采购占比较低。
II、采购价格的定价依据
公司与红光股份采购和销售定价主要依据市场情况协商定价，具体的定价依据如下：
红光股份（831034）为无锡地区的半导体封装测试企业，2014年于全国中小企业股份转让系统挂牌。公司于 2016 年开始与其开展合作，主要向其采购“TO-252”、“SOT-23”、“SOP-8”等形式的封测服务。公司每年与其协商确定相关封装形式的采购单价，由于“TO-252”、“SOT-23”、“SOP-8”属于相对成熟的封装形式，因此其交易定价较为稳定。
公司向红光股份采购定价主要考虑：封装形式的类别、封装产品的主要材料及其价格波动、产品测试时间长短及测试效率以及综合考虑红光股份的产品工艺、品质、产能规模及质量管控等。
III、采购价格公允性说明
根据对红光股份的访谈及获取其出具的《基本信息情况表》，公司向红光股份的采购定价与红光股份向非关联方客户销售同类服务均价不存在重大差异。
公司向红光股份采购单价与向其他非关联供应商采购同类封测服务的均价亦不存在重大差异，2018年和2019年，将红光股份的采购单价替换为非关联供应商采购均价测算后，相关采购金额差异较小，占当期营业成本的比例为-0.08%和-0.04%，占比极低。因此，公司向红光股份采购交易价格公允，不存在向公司输送利益的情形。
（2）销售商品/提供劳务
报告期内，公司与关联方之间发生的销售交易具体情况如下：
单位：万元
2019年度 2018年度 2017年度
关联方 主要交易内 占销售 占销售 占销售
容 金额 总额的 金额 总额的 金额 总额的
比例 比例 比例
长电科技注1 芯片及成品 - - 957.73 1.34% 2,204.92 4.38%
上海贝岭 芯片及成品 144.91 0.19% 437.12 0.61% 777.15 1.54%
灿升实业注2 芯片 417.57 0.54% 473.80 0.66% 1,181.10 2.34%
合计 562.48 0.73% 1,868.65 2.61% 4,163.17 8.26%
注1：长电科技于2017年7月不再为公司关联方，本招股书基于谨慎性原则，延长披露1年，
表格中披露金额为2018年1-7月销售金额。公司主要与长电科技及其子公司芯长电子、宿迁
长电、深圳长电发生销售交易，故合并披露。
注2：灿升实业于2018年7月不再为公司关联方，本招股书基于谨慎性原则，延长披露1年，
表格中披露金额为2019年1-7月销售金额。
①向长电科技销售芯片及成品
报告期内，公司向长电科技及其子公司销售芯片及少量功率器件，主要原因为：长电科技及其子公司部分从事二极管、三极管以及少量MOSFET等的销售，而公司是国内MOSFET产品的主要供应商之一，因此上述公司向新洁能采购部分芯片并封装测试后再自行销售。2017年至2018年1-7月，公司向长电科技合计销售金额分别2,204.92万元和957.73万元，占当年营业收入的比例分别为4.38%和1.34%，2018年全年，公司向长电科技销售金额为1,741.47万元，占当年销售收入的比例为2.43%，2019年，公司向长电科技销售金额为2.32万元，占当年销售收入的比例为0.003%，交易占比整体较低且持续下降，未对公司经营业绩产生重大影响。公司向长电科技的销售价格系参照市场价格协商确定，交易价格公允。具体分析如下：
I、公司向长电科技销售芯片及功率器件占公司同类销售业务的比例
报告期内，公司与长电科技发生关联销售业务的具体情况如下：
单位：万元
主要交易内 2018年1-7月 2017年度
关联方 容 金额 占当年同类销 金额 占当年同类销
售的比 售的比
长电科技 芯片 902.57 4.21% 2,167.06 10.09%
功率器件 55.16 0.11% 37.86 0.13%
公司向长电科技主要销售芯片。2017年至2018年1-7月，公司主要向长电科技销售芯片的金额分别为2,167.06万元和902.57万元，占当年同类销售收入的比分别为10.09%和4.21%，销售金额和占比逐年下降。2018年全年，公司向长电科技销售芯片的总金额为1,674.22万元，占当年同类销售收入的比为7.80%，2019年，公司向长电科技销售芯片金额为 2.32 万元，占当年同类销售收入的比例为0.01%，销售金额和占比较上年持续下降。
II、销售价格的定价依据
公司与长电科技销售定价主要依据市场价格及供求关系协商确定，具体的定价依据如下：
公司向长电科技销售定价过程：由于长电科技与公司合作时间较长，为公司长期稳定的重要客户，且其为国内A股上市公司，资金实力、品牌影响力及商业美誉度均较高，因此公司将其作为战略客户，并依照市场价格（同类战略客户销售单价），结合市场供求关系协商确定其产品销售价格。公司与长电科技签订框架合作协议，每年根据市场价格与长电科技协商确定本年度的销售基准单价。在实际订单合作中，公司会依据市场供需关系、芯片代工成本波动以及其他非关联战略客户销售单价波动等因素，协商调整销售价格。
公司向长电科技销售定价主要考虑：市场价格、市场供需关系、芯片的类别、芯片代工的成本等并综合考虑长电科技的回款能力、订货数量、品牌效应等因素。
III、销售价格公允性说明
从细分产品类别看，公司向长电科技主要销售沟槽型功率MOSFET芯片，公司向长电科技销售沟槽型功率 MOSFET 芯片单价较其他非关联战略客户销售同类产品的均价比较如下：
单位：元/片
公司名称 2018年1-7月 2017年
长电科技 2,385.24 1,803.71
其他非关联战略客户 2,327.81 1,778.95
差异率 2.47% 1.39%
公司对长电科技的销售定价与公司向其他非关联战略客户销售同类产品的单价不存在重大差异，销售交易价格公允，不存在向公司输送利益的情形。
②向上海贝岭销售芯片及成品
上海贝岭系持有公司 7.91%股份的股东，公司主要向其销售芯片及少量功率器件，主要原因为：上海贝岭主要从事IC设计业务，其生产经营中需将IC、MCU以及MOSFET等电子元器件进行组合销售。由于公司是国内MOSFET产品的主要供应商之一，因此，上海贝岭向公司采购MOSFET芯片及少量功率器件。报告期各期，公司向上海贝岭销售金额分别为777.15万元、437.12万元和144.91万元，占当期销售收入的比例分别为1.54%、0.61%和0.19%，交易占比较低且持续下降。公司向上海贝岭的销售价格系参照市场价格协商确定，交易价格公允。具体分析如下：
I、公司向上海贝岭销售芯片和功率器件占同类销售业务的比例
报告期内，公司与上海贝岭发生的关联销售业务的具体情况如下：
单位：万元
2019年度 2018年度 2017年度
关联方 主要交易 占同类销 占同类销 占同类销
内容 金额 售收入的 金额 售收入的 金额 售收入的
比 比 比
上海贝 芯片 144.08 0.71% 429.70 2.00% 724.04 3.37%
岭 功率器件 0.83 0.001% 7.42 0.01% 53.11 0.18%
2017年至2019年，公司主要向上海贝岭销售芯片，销售芯片金额分别为724.04万元、429.70万元和144.08万元，占同类销售收入比例分别为3.37%、2.00%和0.71%，销售金额和占比均较小，且逐年降低。
II、销售价格的定价依据
经核查，公司与上海贝岭销售定价主要依据市场情况协商定价的形式，具体的定价依据如下：
公司向上海贝岭销售定价过程：由于上海贝岭为A股上市公司，在半导体行业具有品牌影响力，公司与其合作对开拓市场及提升品牌美誉度具有帮助；此外，上海贝岭是公司合作多年的优质客户，需求稳定、回款状况良好，因此公司将其作为战略客户，并依照市场价格（同类战略客户销售单价），结合市场供求关系协商确定其产品销售价格。公司与上海贝岭签订框架合作协议，并依据具体订单协商确定销售单价，在实际过程中，公司根据市场供需关系、市场价格波动以及芯片代工成本波动等因素并综合考虑上海贝岭的需求及回款情况，调整芯片及功率器件的销售单价并与上海贝岭重新协商确定销售价格。
公司向上海贝岭销售定价主要考虑：芯片的类别、芯片代工的成本、市场供需关系、其他非关联战略客户的销售价格等，并综合考虑上海贝岭的回款能力、订货数量、品牌效应等因素。
III、销售价格公允性说明
从细分产品类别看，公司向上海贝岭主要销售沟槽型功率MOSFET芯片，公司向上海贝岭销售沟槽型功率 MOSFET 芯片单价较向其他非关联战略客户销售同类产品的均价比较如下：
单位：元/片
公司名称 2019年度 2018年度 2017年度
上海贝岭 1,923.66 2,412.67 1,729.25
其他非关联战略客户 1,960.61 2,334.66 1,778.95
差异率 -1.88% 3.34% -2.79%
根据上表，2017年至2019年，公司向上海贝岭销售沟槽型功率MOSFET芯片的销售价格与公司向其他非关联战略客户销售同类产品的均价差异较小，销售价格公允，不存在向公司输送利益的情形。
③向灿升实业销售芯片
报告期内公司向灿升实业销售芯片，灿升实业采购公司芯片后自主封装并将封装后的成品对外销售。2017年至2019年1-7月，公司向灿升实业销售金额分别为1,181.10万元、473.80万元和417.57万元，占当期销售收入的比例分别为2.34%、0.66%和0.54%。报告期内，公司向灿升实业销售芯片整体交易占比较低，销售价格系参照市场价格协商确定，交易价格公允。具体分析如下：
I、公司向灿升实业销售芯片占公司同类销售业务的比例
报告期内，公司与灿升实业发生关联销售业务的具体情况如下：
单位：万元
2019年1-7月 2018年度 2017年度
关联 主要交 占同类销 占同类销 占同类销
方 易内容 金额 售收入的 金额 售收入的 金额 售收入的
比 比 比
灿升实 芯片 417.57 2.06% 473.80 2.21% 1,181.10 5.50%
业
2017年至2019年1-7月，公司向灿升实业销售芯片金额分别为1,181.10万元、473.80万元和417.57万元，占当年同类销售收入的比例分别为5.50%、2.21%和2.06%，整体呈下降趋势。2019年全年，公司向灿升实业销售产品金额为934.36万元。
II、销售价格的定价依据
公司与灿升实业销售定价依据主要为依据市场价格及供求关系协商，具体的定价依据如下：
公司向灿升实业销售定价过程：由于灿升实业是公司在华南市场开拓积累的优质客户，其成立于2002年，拥有较为先进的封装设备产线，为深圳市高新技术企业；灿升实业与国内众多知名品牌企业建立合作，产品广泛应用于电池、适配器、充电器、移动电源等领域。由于灿升实业与公司合作期限较长，且其业务规模、采购需求、回款能力均较强，在华南市场具有一定影响力，因此公司将其作为战略客户，并依照市场价格（同类战略客户销售单价），结合市场供求关系协商确定其产品销售价格。在实际订单中，公司根据市场供需关系、芯片代工成本波动以及灿升实业的回款能力等因素，综合调整销售价格。由于报告期初，公司竞争对手通过降低价格的形式与公司竞争灿升实业，公司考虑到华南市场开拓、品牌影响力建设、且该客户回款能力较好，经友好协商给予灿升实业相对较低但合理的销售价格，灿升实业则主要以银行转账方式回款，回款周期很短。
公司向灿升实业销售定价主要考虑：芯片的类别、芯片代工的成本、市场供需关系、其他非关联战略客户的销售价格、华南地区的市场开拓意义以及灿升实业的回款能力、市场地位及合作期限等因素。
III、销售价格公允性说明
从细分产品类别看，公司主要向灿升实业销售沟槽型功率MOSFET芯片，公司向灿升实业销售沟槽型功率 MOSFET 芯片单价较其他非关联战略客户销售同类产品的均价比较如下：
单位：元/片
公司名称 2019年 2018年 2017年
灿升实业 1,819.55 2,209.86 1,730.30
其他非关联战略客户 1,960.61 2,334.66 1,778.95
差异率 -7.19% -5.35% -2.73%
根据上表，2017年至2018年，公司向灿升实业销售沟槽型功率MOSFET芯片的均价较其他非关联战略客户的销售均价不存在重大差异。
2019年，公司向灿升实业销售沟槽型功率表MOSFET芯片的均价低于向其他非关联战略客户的销售均价，主要原因系受到中美贸易摩擦等因素的影响，公司华南地区的部分涉及外销业务的客户，其采购芯片的需求及采购单价下降幅度较大。公司向灿升实业销售沟槽型功率MOSFET芯片的均价与向华南地区的其他非关联客户的销售单价1,836.94元/片差异率为-0.95%，整体差异较小。
综上，公司对灿升实业的销售定价与公司向其他同类客户销售同类产品的单价不存在重大差异，交易价格公允，不存在向公司输送利益的情形。
（3）关联管理人员薪酬
单位：万元
项 目 2019年度 2018年度 2017年度
关键管理人员税前薪酬总 521.79 636.96 504.07
额
（4）公司与长电科技采购封测服务并对其销售芯片及成品的具体内容及两者间是否存在直接相关性，相关采购、销售的交易性质属于购销交易还是加工
公司主要向长电科技采购“TO-220”、“TO-252”、“SOP-8”、“SOT-23”等封装形式的封测服务，公司向长电科技采购封测服务主要原因为公司是以半导体芯片和功率器件研发设计为主的企业，需对外采购封测服务，长电科技是全球排名第三、国内排名第一的封测服务龙头企业，其封装测试业务的先进工艺和高良品率能够保证公司的产品质量和性能。除封测服务外，公司亦向长电科技原子公司新顺微采购少量二极管芯片用于与公司IGBT芯片进行合封，相关采购金额较小。公司主要向长电科技销售沟槽型功率MOSFET芯片，主要原因为长电科技及其子公司部分从事二极管、三极管以及少量 MOSFET 等的销售，而公司是国内MOSFET产品的主要供应商之一，因此上述公司向新洁能采购部分芯片并自行封装测试后销售。公司向长电科技主要采购封测服务，而向长电科技销售的是芯片和功率器件，采购和销售内容属于不同性质业务，完全区别且交易相互独立，不存在直接相关性。
公司向长电科技采购的具体采购过程为：公司与长电科技签订合作协议，运营处将封装订单、封装规格书（包括封装形式、工艺参数、测试规范等）提供给长电科技并将需要封装测试的芯片提供给长电科技，长电科技依据具体的封装订单将公司提供的芯片通过划片、装片、键合、塑封、电镀、切筋、测试、包装等一系列加工过程生产出公司所需的功率器件，在采购封装测试的过程中，封装所需的芯片由公司提供，长电科技提供塑封料、引线（铜线）等辅材，并按照协议约定以加工数量*加工单价的方式计算收取加工费（其中耗用的塑封料、引线等不单独计价，含在加工费里），因此公司向长电科技采购封测服务属于“委托加工”的业务范畴。
公司向长电科技销售的具体销售过程为：公司与长电科技及子公司签订销售协议，长电科技及其子公司芯长电子、宿迁长电、深圳长电主要向公司采购芯片产品并自行封装测试后对外销售。2019年，长电科技自身业务转型，主动减少功率器件的销售业务，仅向公司采购少量芯片用于工艺研发，采购金额大幅下降。根据公司与长电科技签订的销售协议，公司向长电科技提供协议约定的芯片和功率器件，长电科技依据具体产品及单价支付款项，公司向长电科技销售业务属于购销交易。
（5）早期关联销售占比较高及对各关联方减少销售的原因及合理性
下游客户向公司采购芯片后根据用途不同可分为以下两类：第一类客户主要采购芯片用于封装测试后销售或与其他产品合并销售；第二类客户主要采购芯片后用于与IC等芯片合封形成集成电路模块进行销售，该部分客户产品功能与公司存在区别。报告期初，公司主要芯片客户为第一类客户，公司为缓解经营资金压力，并快速扩展市场，与该部分客户开展合作；2017年至2018年，随着公司逐步提高功率器件的销售占比，公司优化芯片客户结构，减少市场竞争，芯片销售主要向第二类客户侧重。
报告期早期关联销售占比较高主要原因为：报告期早期，公司以芯片销售为主，主要向长电科技、灿升实业、上海贝岭销售芯片产品，上述关联方属于第一类客户。公司早期为缓解经营资金压力，并快速扩展市场，对上述关联方销售占比相对较高。
报告期内，公司对各关联方减少销售的主要原因系：1）公司销售结构调整：随着公司功率器件细分型号不断丰富、品牌知名度不断提升以及公司逐步具备满足芯片产品进一步封装所需的资金实力，公司主动调整芯片产品和功率器件的比例结构，逐步降低了芯片的销售占比，提高了功率器件的销售占比，从而能够获得更多产品毛利。2017年至2019年，公司芯片销售金额分别为：21,478.31万元、21,462.91万元和20,246.66 万元，占主营业务收入的比例分别为42.68%、30.01%和26.24%，金额及占比均逐年下降。公司早期因以销售芯片为主，因此相应地向包括关联方在内的客户销售芯片产品金额相对较多；随着公司销售结构的调整，公司逐年减少了芯片销售规模，引致向包括关联方在内的客户销售芯片金额相应下降。2）市场因素：由于指纹识别、手机双摄等新兴应用兴起挤压了8英寸的芯片代工的产能以及公司主动降低芯片销售的比例，加之手机、PC等消费电子领域市场需求持续旺盛，2017年起，公司MOSFET芯片销售逐渐出现供不应求的状况。加之公司优化客户结构，逐步加大与采购公司芯片用于 IC 合封的客户的合作，减少了对长电科技、灿升实业、上海贝岭等采购公司芯片用于直接封装或组合销售的客户的金额及占比。3）客户因素：2019 年，公司对长电科技的销售金额和占比大幅下降主要原因为长电科技自身业务转型，主动减少功率器件的销售业务，仅向公司采购少量芯片用于工艺研发，因此销售金额及占比大幅下降；2019年，公司对上海贝岭的销售金额和占比大幅下降主要原因为在半导体行业周期性波动的背景下，上海贝岭专注于集成电路IC设计主业，减少了购买MOSFET并组合销售的业务量，因此减少了对公司产品的采购。
2、关联方应收应付款项余额
报告期内，公司关联方期末往来余额如下：
单位：万元
项目 关联方 2019年 2018年 2017年
12月31日 12月31日 12月31日
长电科技注 - - 408.31
应收账款 上海贝岭 60.79 32.75 189.88
灿升实业注 - 207.96 89.84
长电科技注 - - 1,095.29
应付账款 灿升实业 - - -
红光股份注 - 35.16 -
注：长电科技于2017年7月不再为公司关联方，此处不披露其2018年12月31日和2019
年12月31日的期末往来余额；灿升实业、红光股份分别于2018年7月、2018年9月不再
为公司关联方，此处不披露其2019年12月31日的期末往来余额。
（三）独立董事对关联交易发表的意见
2018年11月2日，发行人独立董事发表《独立董事关于确认公司最近三年及一期关联交易的意见》，认为：公司报告期发生的关联交易是基于公司正常的生产经营需要而进行，并经管理层充分论证和谨慎决策。上述关联交易履行了相关决策程序或已经其他非关联股东认可，符合公司章程等有关制度的规定，关联交易的发生有其必要性，关联交易按照等价有偿、公允的原则定价，没有违反公开、公平、公正的原则，不存在显失公平以及损害发行人和其他股东利益的情形，不会对公司业务独立性造成影响。
七、董事、监事、高级管理人员
薪酬 持股 与公司
姓名 职务 性 年 任期 简要经历 兼职情况 情况 比例 的其他
别 龄 起止日期 (万元) [注2] 利益关
[注1] 系
曾任中国华晶电子集团公司助理工程
师、刻蚀工艺主管，新加坡微电子研究院
（InstituteofMicroelectronics,IME）工程师，
德国西门子松下有限公司（Siemens
董事长兼 2019年3月 Matsushita ComponentsGmbH）产品工程技 新洁能香港董事，
朱袁正 总经理 男 55 15日-2022 术经理，无锡华润上华半导体有限公司研发 电基集成执行董事 79.57 31.11% 无
年3月14日 副处长，苏州硅能半导体科技有限公司董 兼总经理
事、总经理，新洁能半导体董事、董事长兼
总经理，电芯联智控董事长兼总经理。现任
公司董事长兼总经理，新洁能香港董事，电
基集成执行董事兼总经理。
董事兼副 2019年3月 曾任无锡华润上华半导体有限公司项
叶 鹏 总经理 男 37 15日-2022 目经理，新洁能半导体董事、副总经理，电 未在其他单位兼职 69.72 1.62% 无
年3月14日 芯联智控董事。现任公司董事兼副总经理。
2019年3月 曾任中国华晶电子集团公司生产管理
王成宏 董事兼副 男 51 15日-2022 调度员，东芝半导体（无锡）有限公司制造 未在其他单位兼职 65.52 0.63% 无
总经理 年3月14日 课长，新洁能半导体运营总监，公司监事、
运营总监。现任公司董事兼副总经理。
2019年3月 曾任新洁能半导体销售工程师、销售处
顾朋朋 董事 男 32 15日-2022 长。现任公司董事兼新洁能深圳分公司负责 未在其他单位兼职 55.01 0.32% 无
年3月14日 人。
深圳市达晨财智创
曾任索尼（中国）有限公司主管，上海 业投资管理有限公
上创新微投资管理有限公司投资经理，红光 司业务合伙人，上
股份董事。现任深圳市达晨财智创业投资管 海浪擎信息科技有
2019年3月 理有限公司业务合伙人，上海浪擎信息科技 限公司董事，上海
王文荣 董事 男 33 15日-2022 有限公司董事，上海音智达信息技术有限公 音智达信息技术有 - - 无
年3月14日 司董事，北京谛声科技有限责任公司董事， 限公司董事，北京
无锡威峰科技股份有限公司董事，公司董 谛声科技有限责任
事。 公司董事，无锡威
峰科技股份有限公
司董事
无锡清石华晟投资
有限公司董事，上
海临芯投资管理有
曾任上海天歌通信技术有限公司项目 限公司董事、副总
管理主管，联芯科技有限公司战略与市场部 经理，新疆浦富股
总经理，上海浦东科技投资有限公司投资总 权投资有限公司经
监，无锡清石华晟投资有限公司副总经理， 理，深圳临芯投资
合肥东芯通信股份有限公司董事。现任无锡 有限公司执行董事
清石华晟投资有限公司董事，上海临芯投资 兼总经理，浙江临
2019年3月 管理有限公司董事、副总经理，新疆浦富股 晟投资管理有限公
宋延延 董事 女 44 15日-2022 权投资有限公司经理，深圳临芯投资有限公 司监事，无锡英迪 - - 无
年3月14日 司执行董事兼总经理，浙江临晟投资管理有 芯微电子科技股份
限公司监事，无锡英迪芯微电子科技股份有 有限公司监事会主
限公司监事会主席，上海声瀚信息科技有限 席，上海声瀚信息
公司董事，湖南格兰德芯微电子有限公司董 科技有限公司董
事，思睿博半导体（珠海）有限公司董事， 事，湖南格兰德芯
昂赛微电子（上海）有限公司董事，公司董 微电子有限公司董
事。 事，思睿博半导体
（珠海）有限公司
董事，昂赛微电子
（上海）有限公司
董事
上海歆霖投资管理
有限公司执行董
事，上海小南国华
晶食品科技发展有
限公司董事长，小
南国控股有限公司
董事，TangMedia
Partners Limited董
曾任Arthur Anderson LLP审计师，法 事，TangMedia
国巴黎百富勤融资有限公司投资银行部经 Partners(China)
理，贝尔斯登亚洲公司董事、总经理，上海 Limited董事，Tang
小南国海之源餐饮管理有限公司CEO，上海 MediaPictures
蓝英房地产投资有限公司执行董事，上海蓝 HongKongLimited
育房地产投资有限公司执行董事。现任上海 董事，Contech
歆霖投资管理有限公司执行董事，上海小南 TelevisionLimited
国华晶食品科技发展有限公司董事长，小南 董事，IM Global
国控股有限公司董事，TangMedia Partners LLC董事，Global
Limited董事，TangMediaPartners(China) RoadEntertainment
2019年3月 Limited董事，Tang Media PicturesHong LLC董事，Global
康 捷 独立董事 男 43 15日-2022 KongLimited董事，Contech Television RoadEntertainment 6.00 - 无
年3月14日 Limited董事，IM GlobalLLC董事，Global TelevisionLLC董
RoadEntertainmentLLC董事，Global Road 事，上海歆霖影业
Entertainment TelevisionLLC董事，上海歆 有限公司执行董
霖影业有限公司执行董事，上海歆畅企业管 事，上海歆畅企业
理咨询有限公司执行董事，上海歆时投资管 管理咨询有限公司
理有限公司执行董事，上海灵迅影视传媒有 执行董事，上海歆
限公司执行董事兼总经理，浙江东阳歆霖文 时投资管理有限公
化传媒有限公司经理、执行董事，上海歆光 司执行董事，上海
影业有限公司执行董事，北京歆光影业有限 灵迅影视传媒有限
公司执行董事、经理，上海灵迅企业发展有 公司执行董事兼总
限公司执行董事、总经理，公司独立董事。 经理，浙江东阳歆
霖文化传媒有限公
司经理、执行董事，
上海歆光影业有限
公司执行董事，北
京歆光影业有限公
司执行董事、经理，
上海灵迅企业发展
有限公司执行董
事、总经理
中央财经大学会计
财务专业副教授，
曾任中央财经大学讲师，九州证券股份 成都华神科技集团
有限公司独立董事，沈阳商业城股份有限公 股份有限公司独立
司独立董事。现任中央财经大学会计财务专 董事，聚辰半导体
2019年3月 业副教授，成都华神科技集团股份有限公司 股份有限公司独立
黄益建 独立董事 男 40 15日-2022 独立董事，聚辰半导体股份有限公司独立董 董事，久期智博（北 6.00 - 无
年3月14日 事，久期智博（北京）投资有限公司执行董 京）投资有限公司
事，北京石头世纪科技股份有限公司独立董 执行董事，北京石
事，中电电机股份有限公司（603988.SH） 头世纪科技股份有
独立董事，公司独立董事。 限公司独立董事，
中电电机股份有限
公司（603988.SH）
独立董事
东南大学电气工程
学院电力电子技术
现任东南大学电气工程学院电力电子 系主任、分布式发
2019年3月 技术系主任、分布式发电与主动配电网研究 电与主动配电网研
窦晓波 独立董事 男 40 15日-2022 所副所长、博士生导师，南京磐能电力科技 究所副所长、博士 6.00 - 无
年3月14日 股份有限公司独立董事，南京国铁电气有限 生导师，南京磐能
责任公司独立董事，公司独立董事。 电力科技股份有限
公司独立董事，南
京国铁电气有限责
任公司独立董事
2019年3月 曾任无锡华润华晶微电子公司研发工
李宗清 监事会主 男 35 15日-2022 程师，中芯国际集成电路制造有限公司失效 未在其他单位兼职 53.14 0.16% 无
席 年3月14日 分析工程师，新洁能半导体产品经理。现任
公司监事会主席兼技术部项目处长。
曾任中国电子科技集团公司第五十八
2019年3月 研究所刻蚀工艺技术主管，丹东安顺微电子
吴国强 监事 男 53 15日-2022 有限公司产品部经理、生产部经理，新洁能 未在其他单位兼职 35.08 0.16% 无
年3月14日 半导体销售经理。现任公司监事兼销售部项
目处长。
曾任上海深远文体设备有限公司财务
2019年3月 会计，龙旗科技（上海）有限公司财务经理、上海岭芯微电子有
刘松涛 监事 男 41 15日-2022 投资经理，苏州同冠微电子有限公司监事， 限公司总经理，深 - - 无
年3月14日 上海贝岭投资主管、投资部经理。现任上海 圳市锐能微科技有
岭芯微电子有限公司总经理，深圳市锐能微 限公司监事
科技有限公司监事，公司监事。
任无锡第一棉纺织厂财务审计部会计，
国联证券有限责任公司下属营业部的财务 无锡国联产业投资
部会计、财务部经理、总经理助理，国联期 有限公司首席风险
货有限责任公司财务部负责人，无锡国联物 官，中丽（天津）
2019年3月 业有限责任公司财务部负责人，无锡大饭店 产城融合发展基金
纪文勇 监事 男 49 15日-2022 有限公司财务总监，江苏中科泛联物联网科 管理有限公司监 - - 无
年3月14日 技股份有限公司财务总监，无锡微纳产业发 事，无锡市总会计
展有限公司董事、副总经理。现任无锡国联 师协会副会长，无
产业投资有限公司首席风险官，中丽（天津）锡国发云轫创业投
产城融合发展基金管理有限公司监事，无锡 资有限公司监事会
市总会计师协会副会长，无锡国发云轫创业 主席
投资有限公司监事会主席，公司监事。
曾任恒信证券有限责任公司投资部经
理，泰阳证券有限责任公司投行部高级经 上海金浦新朋投资
2019年3月 理，信泰证券有限责任公司投行部高级经 管理有限公司董
陈 伟 监事 男 46 15日-2022 理，齐鲁证券有限公司投行部执行总经理， 事、副总经理，理 - - 无
年3月14日 华福证券有限责任公司投行部副总经理、股 昂生态能源股份有
权业务部总经理。现任上海金浦新朋投资管 限公司监事
理有限公司董事、副总经理，理昂生态能源
股份有限公司监事，公司监事。
2019年3月 曾任无锡华润上华半导体有限公司工
王永刚 副总经理 男 44 15日-2022 艺开发经理、质量经理。现任公司副总经理。未在其他单位兼职 54.49 0.12% 无
年3月14日
曾任江苏华锦五金机械总公司会计，无
2019年3月 锡市大公税务师事务所职员，江苏神剑数码
陆 虹 财务负责 女 42 15日-2022 科技有限公司财务经理，新洁能半导体董 未在其他单位兼职 45.63 0.12% 无
人 年3月14日 事、财务经理、财务负责人，电芯联智控监
事，电基集成财务负责人。现任公司财务负
责人。
2019年3月 曾任河南永华联合会计师事务所（普通
肖东戈 董事会秘 男 30 15日-2022 合伙）审计员，河南亚圣实业集团有限公司 未在其他单位兼职 45.63 0.20% 无
书 年3月14日 审计专员，广发证券股份有限公司机构业务
部项目经理。现任公司董事会秘书。
注1：此处薪酬情况为2019年度税前薪酬。王文荣、宋延延、刘松涛、纪文勇、陈伟均为公
司机构投资者委派董事或监事，不在公司领取薪酬。
注2：此处持股比例为直接持股。
八、发行人控股股东及其实际控制人的简要情况
截至目前，公司控股股东、实际控制人朱袁正直接持有公司31.11%股权。同时朱袁正分别与叶鹏、王成宏、戴锁庆、周洞濂、顾朋朋、吴国强、李宗清、王永刚、陆虹、肖东戈共计10名股东签订有关一致行动的协议，约定上述十位股东在公司股东大会或董事会表决时，应主动与朱袁正保持一致，因此朱袁正可控制的股权比例为35.62%。除此之外，朱袁正未从事任何与公司相同、相似的业务，与公司之间不存在同业竞争。公司控股股东、实际控制人简要情况如下：
朱袁正，男，1964年出生，中国国籍，无永久境外居留权，身份证号码：22010419640309****，住所：江苏省无锡市滨湖区蓓蕾新村**。
九、财务会计信息及管理层讨论与分析
（一）简要财务报表
1、简要合并资产负债表
单位：万元
项目 2019年12月31日 2018年12月31日 2017年12月31日
资产总额 80,785.53 61,749.17 46,142.10
流动资产 69,333.29 51,053.91 43,619.52
固定资产 9,373.65 4,628.40 735.48
负债总额 23,623.61 14,408.20 10,939.26
流动负债 22,845.34 14,380.06 10,939.26
股东权益 57,161.92 47,340.97 35,202.84
归属母公司股东的股东权益 57,161.92 47,340.97 35,202.84
2、简要合并利润表
单位：万元
项目 2019年度 2018年度 2017年度
营业总收入 77,253.69 71,579.03 50,375.98
营业利润 11,057.09 16,245.68 6,326.14
利润总额 11,049.44 16,228.76 6,314.66
净利润 9,820.95 14,141.89 5,189.11
归属母公司股东的净利润 9,820.95 14,141.89 5,189.11
扣非后归属母公司股东的净利润 8,762.74 13,955.56 6,867.81
3、简要合并现金流量表
单位：万元
项目 2019年度 2018年度 2017年度
经营活动产生的现金流量净额 7,512.66 9,437.76 7,217.11
投资活动产生的现金流量净额 -2,237.29 -8,331.84 -740.37
筹资活动产生的现金流量净额 - -2,028.76 11,084.77
汇率变动对现金的影响 -2.10 17.57 -32.28
现金及现金等价物净增加额 5,273.28 -905.26 17,529.22
（二）非经常性损益
报告期内，本公司非经常性损益情况如下表所示：
单位：万元
项 目 2019年度 2018年度 2017年度
非流动性资产处置损益 -0.30 -1.15 -0.66
计入当期损益的政府补助（与企业业
务密切相关，按照国家统一标准定额 1,253.88 236.50 495.38
或定量享受的政府补助除外）
委托他人投资或管理资产的损益 - - 10.91
除上述各项之外的其他营业外收入 -7.35 -15.77 -10.81
和支出
与公司正常经营业务无关的其他应 - - -
收款项计提的资产减值损失
其他符合非经常性损益定义的损益 - - -2,099.30
项目（股份支付）
减：所得税影响额 188.01 33.24 74.22
减：少数股东权益影响额 - - -
非经常性损益合计 1,058.21 186.33 -1,678.70
（三）主要财务指标
项目 2019年12月31日 2018年12月31日 2017年12月31日
流动比率 3.03 3.55 3.99
速动比率 2.44 2.78 3.50
资产负债率（母公司） 28.23% 21.74% 22.92%
归属于母公司股东的每股净资产
（元）注 7.53 6.24 4.64
无形资产占净资产比例 0.33% 0.16% 0.01%
（扣除土地使用权）
项目 2019年度 2018年度 2017年度
存货周转率（次） 4.81 5.70 7.12
应收账款周转率（次） 9.53 11.43 6.06
息税折旧摊销前利润（万元） 11,811.63 16,412.69 6,438.31
归属于母公司股东的净利润 9,820.95 14,141.89 5,189.11
（万元）
归属于母公司股东扣除非经常性 8,762.74 13,955.56 6,867.81
损益后的净利润（万元）
利息保障倍数 - - 375.62
每股净现金流量（元）注 0.69 -0.12 2.31
每股经营活动产生的现金流量净
额（元）注 0.99 1.24 0.95
注：在计算该等指标时，为保证可比计算口径，公司股本数量均采用7,590万股。
（四）管理层讨论与分析
1、公司财务状况分析
报告期各期末，公司各类资产金额及占总资产的比例如下：
单位：万元
项 目 2019年12月31日 2018年12月31日 2017年12月31日
金额 占比 金额 占比 金额 占比
货币资金 29,306.33 36.28% 20,221.72 32.75% 22,902.86 49.64%
应收票据 14,938.24 18.49% 12,130.85 19.65% 8,380.86 18.16%
应收账款 10,052.23 12.44% 5,338.78 8.65% 6,542.53 14.18%
预付款项 40.09 0.05% 66.85 0.11% 123.58 0.27%
其他应收款 188.12 0.23% 1,053.96 1.71% 346.53 0.75%
存货 13,703.00 16.96% 11,124.82 18.02% 5,321.47 11.53%
其他流动资产 1,105.29 1.37% 1,116.93 1.81% 1.70 0.00%
流动资产合计 69,333.29 85.82% 51,053.91 82.68% 43,619.52 94.53%
固定资产 9,373.65 11.60% 4,628.40 7.50% 735.48 1.59%
在建工程 342.22 0.42% 4,473.88 7.25% 468.26 1.01%
无形资产 1,286.70 1.59% 1,199.53 1.94% 1,149.87 2.49%
商誉 3.01 0.00% 3.01 0.00% 3.01 0.01%
长期待摊费用 72.75 0.09% - - -
递延所得税资 358.48 0.44% 132.73 0.21% 108.30 0.23%
产
其他非流动资 15.43 0.02% 257.72 0.42% 57.66 0.12%
产
非流动资产合 11,452.24 14.18% 10,695.26 17.32% 2,522.57 5.47%
计
资产总计 80,785.53 100.00% 61,749.17 100% 46,142.10 100%
报告期各期末，公司资产总额分别为 46,142.10 万元、61,749.17 万元和80,785.53 万元。其中，流动资产占总资产的比例分别为 94.53%、82.68%和85.82%，主要由货币资金、应收票据及应收账款、存货等构成；非流动资产占总资产的比例分别为5.47%、17.32%和14.18%，主要由固定资产、在建工程、无形资产、递延所得税资产构成。
报告期各期末，公司主要资产构成及变动情况如下图所示：
报告期内公司偿债能力指标如下所示：
指 标 2019年12月31日 2018年12月31日 2017年12月31日
流动比率 3.03 3.55 3.99
速动比率 2.44 2.78 3.50
资产负债率（母公司） 28.23% 21.74% 22.92%
指 标 2019年度 2018年度 2017年度
息税折旧摊销前利润 11,811.63 16,412.69 6,438.31
（万元）
利息保障倍数 - - 375.62
报告期内，公司存货周转率、应收账款周转率如下：
指 标 2019年度 2018年度 2017年度
存货周转率（次） 4.81 5.70 7.12
应收账款周转率（次） 9.53 11.43 6.06
2、公司盈利能力分析
报告期内，公司营业收入明细情况如下：
单位：万元
项 目 2019度 2018年度 2017年度
金额 占比 金额 占比 金额 占比
主营业务收入 77,147.55 99.86% 71,508.23 99.90% 50,329.92 99.91%
其他业务收入 106.14 0.14% 70.80 0.10% 46.06 0.09%
合 计 77,253.69 100.00% 71,579.03 100.00% 50,375.98 100.00%
报告期内，公司主营业务收入占营业收入的比重在99%以上，其他业务收入占比极低，公司营业收入、主营业务收入均保持逐年增长。公司其他业务收入主要为向客户提供研究开发服务及出售废料。报告期内，公司提供研究开发服务的收入分别为39.50万元、44.19万元和28.66万元，金额很小。
公司产品按照产品形式可分为芯片和功率器件两类，按照产品具体内容可分为沟槽型功率MOSFET、屏蔽栅功率MOSFET、超结功率MOSFET及其他。报告期内，公司具体产品的收入构成具体情况如下：
单位：万元
项目 具体产品 2019年度 2018年度 2017年度
金额 占比 金额 占比 金额 占比
沟槽型功率 15,991.85 20.73% 18,142.10 25.37% 19,163.23 38.08%
MOSFET
屏蔽栅功率 649.68 0.84% 517.22 0.72% 277.01 0.55%
MOSFET
芯片 超结功率 3,582.28 4.64% 2,801.14 3.92% 2,026.21 4.03%
MOSFET
其他 22.84 0.03% 2.45 0.00% 11.86 0.02%
小计 20,246.66 26.24% 21,462.91 30.01% 21,478.31 42.68%
沟槽型功率 30,524.35 39.57% 27,959.68 39.10% 21,188.33 42.10%
MOSFET
功率器 屏蔽栅功率 18,202.75 23.59% 15,657.70 21.90% 5,160.77 10.25%
件 MOSFET
超结功率 7,986.65 10.35% 6,395.11 8.94% 2,500.30 4.97%
MOSFET
其他 187.14 0.24% 32.83 0.05% 2.20 0.00%
小计 56,900.89 73.76% 50,045.32 69.99% 28,851.61 57.32%
合计 77,147.55 100% 71,508.23 100% 50,329.92 100%
上述产品中，沟槽型功率MOSFET和屏蔽栅功率MOSFET主要用于手机周边、平衡车等消费电子领域以及电动车控制器、电动车大功率充电器等电动车领域，超结功率MOSFET主要用于LED照明、HID灯等照明领域以及TV电源、服务器电源等消费电子领域，其他类型产品主要用于电动工具、工业电机等工业电子领域。
报告期内，公司主营业务收入按地区分布情况如下：
单位：万元
项目 2019年度 2018年度 2017年度
金额 占比 金额 占比 金额 占比
境内销售 74,205.11 96.19% 70,515.99 98.61% 47,433.89 94.25%
其中：华东地区 34,686.64 44.96% 34,676.73 48.49% 23,418.40 46.53%
华南地区 37,525.99 48.64% 33,919.40 47.43% 22,211.89 44.13%
其他地区 1,992.49 2.58% 1,919.85 2.68% 1,803.59 3.58%
境外销售 2,942.43 3.81% 992.24 1.39% 2,896.03 5.75%
其中：东亚地区 2,819.61 3.65% 891.16 1.25% 2,888.43 5.74%
其他地区 122.82 0.16% 101.08 0.14% 7.59 0.02%
合计 77,147.55 100% 71,508.23 100% 50,329.92 100%
报告期内，公司以内销为主，外销为辅，且内销及外销收入占比基本稳定。其中，公司内销以华东和华南地区为主，外销以东亚地区为主。
报告期内，公司主营业务收入按销售模式分类情况如下：
单位：万元
项目 2019年度 2018年度 2017年度
金额 占比 金额 占比 金额 占比
直销 43,648.90 56.58% 41,524.47 58.07% 33,991.45 67.54%
经销 33,498.65 43.42% 29,983.76 41.93% 16,338.47 32.46%
合计 77,147.55 100.00% 71,508.23 100.00% 50,329.92 100.00%
报告期内，公司直销收入占比分别为67.54%、58.07%和56.58%，经销收入占比分别为32.46%、41.93%和43.42%。报告期内，公司以直销为主。
报告期内，公司综合毛利率情况如下表：
项 目 2019年度 2018年度 2017年度
综合毛利率 20.73% 31.63% 24.69%
主营业务毛利率 20.62% 31.56% 24.62%
其中：芯片 17.82% 35.32% 25.45%
功率器件 21.61% 29.94% 24.00%
报告期内，公司主营业务按主要产品类别划分的毛利率变动情况如下：
2017年至2018年，公司综合毛利率呈平稳上升态势。2017年及2018年，公司综合毛利率增长较大的主要原因为：公司芯片毛利率持续快速上升以及功率器件销售占比和毛利率均有所提升，引致公司综合毛利率增长较大。2019年，公司芯片和功率器件毛利率均有所下降，引致公司综合毛利率有所下滑。
3、现金流量分析
报告期内，公司现金流量情况如下：
单位：万元
项 目 2019年度 2018年度 2017年度
经营活动现金流入小计 76,027.85 70,473.08 54,535.72
经营活动现金流出小计 68,515.19 61,035.31 47,318.62
经营活动产生的现金流量净额 7,512.66 9,437.76 7,217.11
投资活动现金流入小计 - - 1,010.91
投资活动现金流出小计 2,237.29 8,331.84 1,751.28
投资活动产生的现金流量净额 -2,237.29 -8,331.84 -740.37
筹资活动现金流入小计 - - 12,101.62
筹资活动现金流出小计 - 2,028.76 1,016.86
筹资活动产生的现金流量净额 - -2,028.76 11,084.77
汇率变动对现金及现金等价物的影 -2.10 17.57 -32.28
响
现金及现金等价物净增加额 5,273.28 -905.26 17,529.22
报告期内，公司现金流量主要数据变动情况如下图所示：4、未来影响公司财务状况和盈利能力的因素分析
（1）国家产业政策的扶持
半导体产业是我国支柱产业之一，半导体分立器件行业是半导体产业的重要组成部分。发展我国半导体分立器件相关产业，提升国内半导体分立器件研发生产能力是我国成为世界半导体制造强国的必由之路。国家有关部门出台了《“十三五”国家战略性新兴产业发展规划》、《中国制造2025》等多项政策为半导体分立器件行业的发展提供了政策保障，明确了发展方向。此外，《战略性新兴产业重点产品和服务指导目录》等多项政策亦明确了电力电子功率器件的地位和范围，提出了要重点发展MOSFET和IGBT功率器件的要求。国家相关政策的出台有利于半导体分立器件行业市场规模的增长，并进一步促进了半导体分立器件行业健康、稳定和有序的发展。
（2）所得税政策
公司为经江苏省科技厅、江苏省财政厅、江苏省国税局和江苏省地税局联合认定的高新技术企业。根据《中华人民共和国企业所得税法》规定，“国家需要重点扶持的高新技术企业，减按15%的税率征收企业所得税”。报告期内，公司所得税税率减按15%执行。根据目前的经营状况及发展趋势，公司具备维系高新技术企业资格的各项条件。
（3）研发能力
公司为国内领先的半导体功率器件设计企业之一，2016年至2019年连续四年名列“中国半导体功率器件十强企业”。公司是江苏省科技厅、财政厅、国税局、地税局联合认定的高新技术企业，且为中国半导体行业协会会员、中国电源学会理事单位。公司亦为江苏半导体行业协会2017年度先进会员单位，已建立了江苏省功率器件工程技术研究中心、江苏省企业研究生工作站、东南大学-无锡新洁能功率器件技术联合研发中心。公司参与的“智能功率驱动芯片设计及制备的关键技术与应用”项目已获得2019年度江苏省科学技术一等奖，并获得2020年度国家技术发明奖提名且已经通过初评。自成立以来，公司始终专注于半导体功率器件行业，具备独立的MOSFET和IGBT芯片设计能力和自主的工艺技术平台。公司新产品开发能力强，产品导入市场速度快，已经掌握了屏蔽栅功率MOSFET、超结功率MOSFET、IGBT等特色工艺技术，并形成了具有自主知识产权的核心技术体系。公司是国内率先量产全球先进技术的屏蔽栅功率MOSFET及超结功率MOSFET的公司之一，是国内最早同时拥有沟槽型功率MOSFET、超结功率MOSFET、屏蔽栅功率MOSFET及IGBT四大产品平台的本土企业之一。截至2020年1月19日，公司已拥有97项专利，其中发明专利35项。此外，公司参与在IEEETDMR等国际知名期刊中发表论文13篇，其中SCI收录论文7篇。公司与科研院所在功率器件设计领域开展长期合作，针对重点项目成立了技术攻关小组，以全力推进高端功率MOSFET和IGBT芯片及模块的研发与产业化，并且持续布局SiC/GaN宽禁带半导体功率器件的前沿领域，紧跟最先进的技术梯队，提升公司核心产品竞争力。
（4）公司股票发行上市的影响
本次公开发行募集资金到位后，将进一步增大公司的资产规模，优化产品结构，强化规模效应，降低生产成本；有助于改善公司的法人治理结构和管理水平，提高公司知名度和影响力，进一步提高公司盈利水平，从而全面提升公司的综合竞争实力和抗风险能力。
（五）股利分配政策
1、股利分配一般政策
公司股票全部为普通股，每股享有同等权益，实行同股同利的分配政策，按各股东持有股份的比例派发股利。
2、报告期股利分配情况
2015年4月21日，新洁能召开2015年第一次临时股东大会，决议以2014年度末总股本1,000.00万股为基数，每10股派发股票红利7.2股，共计720.00万股。
2018年5月14日，新洁能召开2017年度股东大会，决议以2,530.00万股总股本为基数，以股票发行溢价形成的资本公积向全体股东以每10股转增20股。
2018年9月12日，新洁能召开2018年第一次临时股东大会，决议以未分配利润向全体股东每10股派发现金红利2.64元（含税）。
3、发行前滚存利润的安排
根据公司2018年11月19日通过的2018年第三次临时股东大会决议：为兼顾新老股东利益，在公司首次公开发行股票完成后，由本公司新老股东按持股比例共同享有本次首次公开发行股票前的滚存利润。
4、发行后的股利分配政策
根据公司 2018 年第三次临时股东大会审议通过的上市后适用的《公司章程（草案）》，公司发行上市后，股利分配政策主要内容如下：
“（一）公司利润分配原则
公司的利润分配政策应重视对投资者的合理投资回报，利润分配政策将保持连续性和稳定性。公司的利润分配不得超过累计可分配利润的范围，不得损害公司持续经营能力。
（二）利润分配形式
公司可以采取现金、股票或两者相结合的方式分配股利，现金分红优先于其他分红方式。具备现金分红条件的，应当采用现金分红进行利润分配。采用股票股利进行利润分配的，应当具有公司成长性、每股净资产的摊薄等真实合理因素。
（三）现金分红条件
公司实施现金分红一般应同时满足以下条件：
1、公司未分配利润为正、该年度实现盈利且该年度实现的可分配利润（即公司弥补亏损、提取公积金后的税后利润）为正，现金分红后公司现金流仍然可以满足公司正常生产经营的需要；
2、审计机构对公司该年度财务报告出具标准无保留意见的审计报告（中期现金分红无需审计）。
3、公司未来十二个月内无重大对外投资计划或重大现金支出（公司首次公开发行股票或再融资的募集资金投资项目除外）。重大投资计划或重大现金支出是指：公司未来十二个月内拟建设项目、对外投资、收购资产或者购买设备的累计支出达到或者超过公司当年实现的母公司可供分配利润的50%且超过5000万元人民币。
（四）现金分红的比例和间隔：
公司原则上每年进行一次现金分红，公司每年以现金方式分配的利润不少于当年实现的可分配利润的20%，公司董事会可以根据公司的盈利状况及资金需求提议进行中期现金分红。
公司董事会应当综合考虑公司所处行业特点、发展阶段、自身经营模式、盈利水平以及是否有重大资金支出安排等因素，区分下列情形，并按照本章程规定的程序，提出差异化的现金分红政策：
1、公司发展阶段属成熟期且无重大资金支出安排的，进行利润分配时，现金分红在本次利润分配中所占比例最低应达到80%；
2、公司发展阶段属成熟期且有重大资金支出安排的，进行利润分配时，现金分红在本次利润分配中所占比例最低应达到40%；
3、公司发展阶段属成长期且有重大资金支出安排的，进行利润分配时，现金分红在本次利润分配中所占比例最低应达到20%；
公司发展阶段不易区分但有重大资金支出安排的，可以按照前项规定处理。重大资金支出安排是指：公司未来十二个月内拟建设项目、对外投资、收购资产或者购买设备的累计支出达到或者超过公司当年实现的母公司可供分配利润的50%且超过5000万元人民币。
（五）发放股票股利的条件
在保证公司股本规模和股权结构合理的前提下，基于回报投资者和分享企业价值考虑，公司可以发放股票股利，具体方案需经公司董事会审议后提交公司股东大会批准。
（六）利润分配的决策机制和程序
1、董事会审议利润分配需履行的程序和要求：公司在进行利润分配时，公司董事会应当先制定预分配方案，并经独立董事认可后方能提交董事会审议；董事会审议现金分红具体方案时，应当认真研究和论证公司现金分红的时机、条件和比例、调整的条件、决策程序等事宜，独立董事应当发表明确意见。利润分配预案经董事会过半数以上表决通过，方可提交股东大会审议。
2、股东大会审议利润分配方案需履行的程序和要求：股东大会对现金分红具体方案进行审议时，应当通过多种渠道主动与股东特别是中小股东进行沟通和交流（包括但不限于提供网络投票表决、邀请中小股东参会等方式），充分听取中小股东的意见和诉求，并及时答复中小股东关心的问题。
（七）利润分配政策调整的决策机制与程序
1、公司根据生产经营情况、投资规划和长期发展的需要，或者外部经营环境发生变化，确需调整利润分配政策的，调整后的利润分配政策不得违反中国证监会和证券交易所的有关规定。
2、有关调整利润分配政策的议案由董事会制定，并分别经监事会和二分之一以上独立董事认可后方能提交董事会审议，独立董事应当对利润分配政策调整发表独立意见。
3、调整利润分配政策的议案应分别提交董事会、股东大会审议，在董事会审议通过后提交股东大会批准，公司应安排通过证券交易所交易系统、互联网投票系统等网络投票方式为社会公众股东参加股东大会提供便利。股东大会审议调整利润分配政策的议案需经出席股东大会的股东所持表决权的2/3以上通过。
公司独立董事可在股东大会召开前向公司社会公众股股东征集其在股东大会上的投票权，独立董事行使上述职权应当取得全体董事的二分之一以上同意。”（六）公司控股子公司、参股子公司基本情况
截至本招股书签署日，公司拥有新洁能香港、电基集成2家全资子公司以及新洁能深圳分公司、新洁能宁波分公司2家分公司，无参股子公司。具体情况如下：
1、新洁能香港
公司名称 新洁能功率半导体（香港）有 成立时间 2010年7月6日
限公司
注册资本 51.00万美元 实收资本 6.10万美元
注册地址 香港皇后大道中181号新纪元广场（低座）1501室
经营范围 电力电子元器件的研发、生产、销售；集成电路的研发、销售和贸
易
股东名称 股权比例
股东构成 新洁能 100.00%
合计 100.00%
2019年12月31日 2018年12月31日
主要财务数据（万元） 总资产 61.97 总资产 62.27
（已经申报会计师审 净资产 61.97 净资产 62.27
计） 2019年度 2018年度
净利润 -0.30 净利润 5.52
2、电基集成
公司名称 无锡电基集成科技有限公司 成立时间 2017年3月21日
注册资本 12,000.00万元 实收资本 12,000.00万元
注册地址 无锡市新吴区研发二路以南、研发一路以东
电子元器件、电力电子元器件及半导体模块产品及其它电子产品的
设计、制造、销售；集成电路及其它电子产品的研发、设计、技术
经营范围 转让、技术服务、制造、销售；计算机软件的研发、技术转让；环
境保护专用设备的制造、销售；自营和代理各类商品及技术的进出
口业务（国家限定企业经营或禁止进出口的商品和技术除外）。（依
法须经批准的项目，经相关部门批准后方可开展经营活动）
股东名称 股权比例
股东构成 新洁能 100.00%
合计 100.00%
2019年12月31日 2018年12月31日
主要财务数据（万元） 总资产 13,157.51 总资产 13,368.84
（已经申报会计师审 净资产 11,762.76 净资产 11,946.87
计） 2019年度 2018年度
净利润 -184.11 净利润 -44.70
3、新洁能深圳分公司
公司名称 无锡新洁能股份有限公司深圳分 成立时间 2013年12月4日
公司
统一社会信用代码 914403000846106229
营业场所 深圳市宝安区西乡街道西乡大道与前进二路交汇处美兰商务中心
802
电力电子元器件、集成电路、电子产品的研发、设计、技术转让、
技术服务、销售；计算机软件的研发、技术转让；利用自有资产对
经营范围 外投资；自营和代理各类商品及技术的进出口业务（法律、行政法
规、国务院决定禁止的项目除外，限制的项目须取得许可后方可经
营）。环境保护专用设备的制造、销售。
4、新洁能宁波分公司
公司名称 无锡新洁能股份有限公司宁波分 成立时间 2019年10月10日
公司
统一社会信用代码 91330212MA2GU7ACX6
营业场所 浙江省宁波市鄞州区实怡中心8幢26号10-6
电力电子元器件、集成电路、电子产品的研发、设计、技术转让、
技术服务、销售；计算机软件的研发、技术转让；环境保护专用设
经营范围 备销售；自营和代理各类商品及技术的进出口业务（国家限定企业
经营或禁止进出口的商品和技术除外）。（依法须经批准的项目，经
相关部门批准后方可开展经营活动）
第四节 募集资金运用
根据2018年11月19日通过的2018年第三次临时股东大会决议，公司拟申请向社会公开发行人民币普通股A股，发行数量为不超过2,530.00万股。募集资金总额将根据市场情况和向询价对象的询价情况确定。根据股东大会的授权，2020年6月2日经公司第三届董事会第八次会议及2020年7月31日经公司第三届董事会第九次会议审议通过，对本次投资项目的募集资金使用金额进行调整。
本次发行A股募集资金计划全部用于以下与主营业务相关的项目：
单位：万元
序 项目名称 投资总额 募集资金使
号 用金额
1 超低能耗高可靠性半导体功率器件研发升级及产业化 48,118.04 20,000.00
2 半导体功率器件封装测试生产线建设 32,014.90 20,000.00
3 碳化硅宽禁带半导体功率器件研发及产业化 11,419.27 -
4 研发中心建设 5,501.86 4,898.80
5 补充流动资金 5,000.00 -
合 计 102,054.07 44,898.80
在本次公开发行股票募集资金到位前，公司将根据项目进度的实际情况，暂以自有资金或负债方式筹集资金，先行投入。本次发行股票募集资金到位后，再予以置换。如本次发行的实际募集资金量少于投资项目资金需求量，公司将通过银行贷款和其他自筹资金解决。
一、超低能耗高可靠性半导体功率器件研发升级及产业化项
目
本项目位于无锡新吴区，研发一路以东，研发二路以南地块。项目旨在对公司现有产品升级换代，开发新一代超低能耗高可靠性半导体功率器件，突破超低能耗功率器件设计技术门槛，打破国外产品在高端应用领域的垄断地位。
本项目总投资额为48,118.04万元，具体投资构成如下：
单位：万元
序号 项目 投资额 占比 第一年 第二年 第三年
1 固定资产投资 6,094.60 12.67% 3,689.40 2,405.20 -
1.1 设备投资 5,764.60 11.98% 3,359.40 2,405.20 -
1.2 土建投资 330.00 0.69% 330.00 - -
2 研发费用 33,782.29 70.21% 7,067.47 11,353.53 15,361.29
2.1 开发费用 1,182.00 2.46% 198.00 442.00 542.00
2.2 试制费用 25,486.30 52.97% 5,394.91 8,548.49 11,542.90
2.3 封装测试费用 6,763.99 14.06% 1,424.56 2,263.03 3,076.39
2.4 IPcore 350.00 0.73% 50.00 100.00 200.00
3 软件投资 1,120.00 2.33% 1,120.00
4 铺底流动资金 7,121.15 14.80% 2,373.72 2,373.72 2,373.72
合 计 48,118.04 100.00% 14,250.59 16,132.44 17,735.01
项目建设期为36个月，运营期为T+1期至T+10期。根据规划，项目建成后，运营期T+1期部分开发产品陆续正式投产，T+1期达到设计产能的40%，T+2期产能达到80%，T+3期完全达产。根据可行性研究报告，在各项经济因素与可行性研究报告预期相符的前提下，本项目的经济效益评价指标测算结果如下：
指标名称 指标值
年平均销售收入（万元） 83,144.45
年平均利润总额（万元） 7,491.05
年平均上缴所得税（万元） 1,123.66
年平均税后利润（万元） 6,367.39
年总投资收益率 15.57%
所得税前 所得税后
内部收益率 24.15% 21.19%
财务净现值（ic=10%）（万元） 24,729.48 18,920.37
投资回收期（含建设期) 5.74 6.15
二、半导体功率器件封装测试生产线建设项目
本项目位于无锡新吴区，研发一路以东，研发二路以南地块。主要建设内容包括：针对公司现有的封装形式（DPAK/SOT/TO）进行产业链延伸；TO-247/TO-3PIGBT及大功率MOSFET芯片封装；低热阻SOP-8封装的产业化；基于Cu-Clip工艺技术，实现高功率密度低功耗器件封装；芯片封装集成器件及大功率模块的研发和封装产业化。
本项目总投资额为32,014.90万元，具体投资构成如下：
单位：万元
序号 项目 投资额 占比 第一年 第二年
1 固定资产投资 29,319.40 91.58% 20,671.40 8,648.00
1.1 设备投资 25,482.00 79.59% 16,834.00 8,648.00
1.2 土建投资 3,837.40 11.99% 3,837.40 -
2 软件投资 255.00 0.80% - 255.00
3 铺底流动资金 2,440.50 7.62% 1,220.25 1,220.25
合 计 32,014.90 100.00% 21,891.65 10,123.25
项目建设期为18个月，运营期为T+1期至T+10期。运营期T+1期公司开始正式投产，产能利用率为40%，T+2期为80%，T+3到T+10期100%完全达产。根据可行性研究报告，在各项经济因素与可行性研究报告预期相符的前提下，本项目的经济效益评价指标测算结果如下：
指标名称 指标值
年平均销售收入（万元） 28,494.62
年平均利润总额（万元） 5,107.24
年平均上缴所得税（万元） 1,276.81
年平均税后利润（万元） 3,830.42
年总投资收益率 15.95%
所得税前 所得税后
内部收益率 16.52% 12.45%
财务净现值（ic=10%）（万元） 10,670.81 3,893.75
投资回收期（含建设期） 6.61 7.61
三、碳化硅宽禁带半导体功率器件研发及产业化项目
本项目位于无锡新吴区，研发一路以东，研发二路以南地块。本项目是基于宽禁带半导体碳化硅材料的功率器件研发及产业化，包括SiC SBD（肖特基二极管）及SiC MOSFET两类产品。本项目的实施旨在突破高压SiC功率器件关键技术，重点针对碳化硅二极管浪涌电流能力提升技术、碳化硅二极管雪崩耐量提升技术、沟槽底部氧化层峰值电场抑制技术、器件终端边缘电场疏导技术进行研发。开发碳化硅功率器件，打破国外产品在碳化硅宽禁带半导体功率器件技术垄断，实现我国碳化硅功率器件的国产化。
本项目总投资额为11,419.27万元，具体投资构成如下：
单位：万元
序号 项目 投资额 占比 第一年 第二年 第三年
1 固定资产投资 767.75 6.72% 426.65 341.10 -
1.1 设备投资 497.75 4.36% 156.65 341.10 -
1.2 土建投资 270.00 2.36% 270.00 - -
2 研发费用 9,561.85 83.73% 1,667.62 2,850.19 5,044.04
2.1 开发费用 848.00 7.43% 224.00 312.00 312.00
2.2 试制费用 8,158.19 71.44% 1,345.55 2,374.71 4,437.93
2.3 封装测试费用 355.67 3.11% 58.07 103.48 194.11
2.4 IPcore 200.00 1.75% 40.00 60.00 100.00
3 软件投资 280.00 2.45% 280.00 - -
4 铺底流动资金 809.67 7.09% 269.89 269.89 269.89
合计 11,419.27 100.00% 2,644.16 3,461.18 5,313.93
项目建设期为36个月，即为T+1期至T+3期。根据规划，项目建设期公司将完成SiC SBD及SiC MOSFET系列产品的研发。同时，T+1期部分开发产品陆续正式投产，T+1期达到设计产能的40%，T+2期产能达到80%，T+3期完全达产。根据可行性研究报告，在各项经济因素与可行性研究报告预期相符的前提下，本项目的经济效益评价指标测算结果如下：
指标名称 指标值
年平均销售收入（万元） 9,541.13
年平均利润总额（万元） 855.04
年平均上缴所得税（万元） 128.26
年平均税后利润（万元） 726.78
年总投资收益率 7.49%
所得税前 所得税后
内部收益率 16.64% 14.74%
财务净现值（ic=10%）（万元） 1,901.29 1,304.56
投资回收期（含建设期) 7.06 7.36
四、研发中心建设项目
本项目位于无锡新吴区，研发一路以东，研发二路以南地块。项目旨在完善和加强公司在半导体功率器件领域的综合技术研发能力与项目产业化能力，依托公司研发中心，充分调动产业链核心技术资源，创新开发功率器件领域的新技术、新产品，打破国际大厂在高端功率器件上的长期垄断地位。研发中心计划开展的主要研发项目有：高能效高可靠性电机驱动系统中功率器件的研发与产业化、低能耗大功率MOSFET模块的研发及功率器件综合实验室的升级。
项目总投资为5,501.86万元，具体投资构成如下：
单位：万元
序号 项目 投资额 占比 第一年
1 固定资产投资 5,335.86 96.98% 5,335.86
1.1 设备投资 4,870.86 88.53% 4,870.86
1.2 土建投资 465.00 8.45% 465.00
2 软件投资 166.00 3.02% 166.00
合 计 5,501.86 100.00% 5,501.86
本项目实施后，虽不产生直接的经济效益，但研发中心的建设将提升公司整体研发实力、提高核心竞争力，研发实力的提升可增强客户对公司的信任度，进一步强化公司的品牌优势，扩大市场份额，实现公司长远的战略目标。
五、补充流动资金项目
报告期内，公司发展迅速，经营规模呈现快速增长趋势。2016年至2018年，公司分别实现营业收入42,211.51万元、50,375.98万元和71,579.03万元，年复合增长率达到30.22%。在国家半导体产业政策大力支持以及下游市场需求持续增长的背景下，预计未来公司经营规模仍将保持快速增长的趋势。公司资产主要以流动资产为主，公司日常经营较多涉及现款支付，折旧、摊销类的非现金支出相对较少。因此，公司需要保持较高水平的流动资金用于新产品技术研发、人才引进、原材料采购、市场销售等环节，以保持公司的竞争优势和行业领先地位，推动公司业务可持续发展。
通过补充流动资金，公司可进一步优化财务结构，防范经营风险，保证公司业务的顺利开展，有利于公司扩大业务规模，提高公司的综合竞争力，为公司未来可持续发展创造宽松的资金环境和良好的融资条件。
第五节 风险因素和其他重要事项
一、风险因素
（一）市场风险
1、市场波动风险
半导体分立器件作为基础性电子元器件,为国民经济的多个领域所必不可缺,因此半导体分立器件行业的下游分布极为广泛。广泛的下游应用领域提升了公司应对单一市场波动风险的能力，但半导体分立器件行业与宏观经济的整体发展的景气程度密切相关，国内经济整体增速放缓及中美贸易摩擦等因素通过对下游行业的生产经营产生不利影响进而传导至半导体分立器件行业。如果宏观经济波动较大或长期处于低谷，半导体分立器件行业的市场需求也将随之受到影响；下游行业的波动和低迷会导致对半导体分立器件的需求下降、价格敏感性提高。虽然近几年全球半导体分立器件市场保持稳步增长，且亚洲地区特别是中国市场规模增幅巨大，但是如果由于中美贸易摩擦等因素引致下游市场整体持续波动、全球经济或国内经济发生重大不利变化，将对半导体分立器件行业及公司等行业内企业的经营业绩造成不利影响。
2、行业竞争风险
近年来随着我国消费电子、汽车电子、工业电子等多个行业的蓬勃发展以及新能源汽车/充电桩、智能装备制造、物联网、光伏新能源等新兴领域凸起，国内对半导体分立器件的需求迅速扩大，直接拉动了行业的快速发展，也吸引了国内外企业进入到行业内，市场竞争日趋激烈。一方面，国内半导体分立器件企业不断增加，且部分企业不断通过技术升级等措施提高竞争力；另一方面，国外优秀的半导体分立器件企业进入国内抢占市场份额。在日趋激烈的市场竞争环境下，如果公司不能持续进行技术升级、提高产品性能、降低产品成本以及优化营销网络，则很可能在未来的市场竞争中丧失优势，从而对公司持续盈利造成不利影响。
3、产品替代风险
半导体分立器件行业属于技术密集型行业，具有技术和产品更新换代速度较快的特点。半导体分立器件下游应用领域日新月异，产品的形态、功能以及差异化需求在短时间内都可能发生很大变化，这都导致半导体分立器件产品生命周期越来越短，替代现象日趋显现。未来，随着新材料的应用和新技术的不断突破，在满足经济性条件下，新一代的半导体分立器件产品将可能出现，并对现有的产品形成一定冲击。如果公司不能持续紧跟行业发展前沿并进行技术升级换代、研发适应行业和市场的产品，则公司存在产品被替代的风险，从而失去持续经营能力。
4、采购价格波动风险
芯片代工和封测服务为公司主要的采购内容，占产品成本的比重较大。芯片代工和封测服务价格的波动将对公司的经营业绩产生一定影响。芯片代工价格一方面受到硅晶圆材料价格和制造成本、人工成本影响，另一方面则受到芯片代工企业投资规模和产能影响；封测服务价格受到原材料价格和人工成本等影响。报告期内，公司与国内主要的芯片代工企业和封装测试企业建立了较为紧密的合作关系，对其采购价格在一定区间内合理波动，且公司亦能够通过适度调整产品结构和价格、产品技术升级等方式进行应对。但是，如果芯片代工和封测服务的市场价格持续大幅上涨、而公司无法采取有力措施进行应对，则将对公司盈利能力造成不利影响。
（二）运营风险
1、供应商依赖的风险
公司是半导体专业化垂直分工企业，芯片代工及封装测试环节主要通过向供应商采购。公司拥有涵盖了华虹宏力、华润上华、中芯集成等国内少数几家具备MOSFET、IGBT 等8 英寸半导体芯片代工能力的本土芯片代工供应商，并不断拓展韩国等地区的芯片代工供应渠道。而在封装测试环节，公司主要与长电科技（600584）、安靠技术（Amkor）、通富微电（002156）等全球领先的封装测试企业合作，一定程度上也保证了公司产品的领先性。由于半导体行业垂直分工的特殊性，专注于芯片设计环节的企业在选择供应商后一般不会轻易更换；同样，芯片代工及封装测试企业如若更换客户则需重新调整产线、设备技术参数、产能排期等，这将形成较大的更换成本。因此，双方在一定程度上相互依赖。如果公司主要供应商产能严重紧张或者双方关系恶化，则可能导致公司产品无法及时、足量供应，进而对公司的经营业绩产生不利影响。
2、供应链管理不善风险
半导体分立器件行业高度分工协作，产业链包括芯片设计、芯片制造、封装测试、对外销售等环节，各个环节相互依存、高度相关。行业内企业根据分工不同采用垂直一体化或垂直分工模式，其中部分垂直分工模式的企业主要负责芯片设计研发和销售环节，而将芯片制造、封装测试环节主要委托给专业代工厂商完成，因此，其产品质量、交货时间、生产能力等都与产业链其他环节紧密相关。公司为专业化垂直分工企业，与行业内优秀的芯片制造和封装测试厂商建立了长期、稳定的合作关系。公司建成封装测试产线，实现少部分功率器件的自主生产，公司不断加强生产环节的质量、成本管控，保障产品的品质。但是，如果公司对供应链及生产环节管理不善，导致产品质量、交付及时性等出现问题，则会影响公司产品销售和品牌声誉，对公司的经营造成不利影响。
3、新产品开发风险
公司销售的产品按照是否封装可以分为芯片和功率器件，按照功能分类已形成沟槽型功率MOSFET、超结功率MOSFET、屏蔽栅功率MOSFET、绝缘栅双极型晶体管（IGBT）以及功率模块等多品类产品系列，且MOSFET等产品系列较为全面。公司在现有产品的基础上，仍紧跟半导体分立器件行业发展前沿，以国际一流企业的最新技术和产品为标杆，以下游市场需求为导向，不断进行新产品的开发。但是，半导体功率器件新产品的研发往往需要一定的时间周期，需要投入较多的人力成本和资金成本，且面临较大的失败风险，或者开发的新产品尚不具备商业价值，可能导致前期的各项成本投入无法收回，从而影响公司经营业绩。
4、产品质量控制风险
半导体分立器件属于基础性电子元器件，为下游产品的核心部件之一。半导体分立器件的下游产品对性能要求严格，电子元器件质量出现问题将对下游客户的销售和品牌产生不利影响。因此，半导体分立器件下游行业对器件的质量非常重视，往往在采购前和合作过程中均需反复验证和测试。公司始终将产品质量控制作为持续发展的重要基础之一，建立了较为健全的质量控制体系，并在各个环节严格把控，产品质量整体保持稳定。但是，半导体分立器件技术和工艺复杂，在不同环节很可能由于多种因素导致产品质量不佳或性能下降，从而导致质量纠纷，影响公司的市场地位和品牌影响力。
5、经营模式风险
公司主要采用Fabless经营模式，专注于MOSFET、IGBT等半导体芯片和功率器件的研发设计及销售环节，芯片主要由公司设计方案后交由芯片代工企业进行生产，功率器件主要由公司委托外部封装测试企业对芯片进行封测代工而成，尽管公司已初步完成先进封装测试生产线的建设，将少部分芯片自主封装后对外销售。由于公司本身不具备芯片制造能力以及封装测试生产线规模相对较小，芯片制造、封装测试环节仍需依托芯片代工企业和外部封装测试企业。为保证公司产品供应环节的稳定，公司已与多家具有雄厚实力的芯片代工企业和封装测试企业建立了长期稳定的合作关系。但在半导体分立器件行业生产旺季，可能会存在芯片代工企业和封装测试企业产能不足，不能完全保证公司产品及时供应的风险。（三）技术风险
1、技术升级的风险
半导体分立器件行业为技术密集型行业，行业竞争的关键在于新技术、新产品的竞争。新技术、新产品的研发及产业化应用周期长、投入大，且新产品量产后，还面临着产品更新换代速度快、产品不能满足市场需求变化的风险。公司拥有高素质的技术研发团队，并与科研院所在半导体功率器件设计领域开展长期合作。公司还成立了技术研发小组专门从事新技术和新产品的研发，并依据行业技术发展趋势、市场动态以及客户需求确定公司的研发规划和具体措施。但是，如果公司的新技术、新工艺的研发未能持续升级换代，新产品的产业化未能保持市场领先地位，将会对公司的市场竞争和经营产生不利的影响。
2、技术人才流失风险
研发设计能力是半导体分立器件企业竞争力的核心之一，其主要来源于企业的研发技术人才，因此半导体分立器件产业的快速发展对专业技术人才产生了巨大的需求。公司在产品技术升级、新产品推出、产品的售后服务等方面高度依赖于公司的研发团队。自成立以来，公司已培养和引进了一批高素质研发人才，并通过实施股权激励、签订保密协议等多项激励和约束机制，以维系研发团队稳定。但是，如果公司核心研发人员大量流失，公司的研发能力、新产品开发及持续盈利能力将受到一定的影响，并可能给公司带来新的竞争对手。
（四）财务风险
1、毛利率下降的风险
2017年至2019年，公司综合毛利率分别为24.69%、31.63%和20.73%。2017年至2018年，受益于下游市场需求的持续增长，积极拓展毛利率较高的下游应用行业，大力开发新产品和新技术，积极开拓龙头客户从而提升公司品牌影响力和市场美誉度，公司综合毛利率保持稳定上升的趋势。2019年，受中美贸易摩擦及国内市场竞争有所加剧等因素影响，公司芯片和功率器件毛利率有所下降。半导体分立器件企业的经营业绩受产品技术水平、市场竞争情况、下游市场需求等因素影响较大，如果未来公司产品技术优势减弱、市场竞争加剧、市场供求形势出现重大不利变化、采购成本持续提高或者出现产品销售价格持续下降等情况，将导致公司综合毛利率下降。
2、应收账款回收风险
报告期各期末，公司应收账款余额分别为 6,903.92 万元、5,620.98 万元和10,588.73万元，占营业收入的比例分别为13.70%、7.85%和13.71%。虽然报告期各期末公司应收账款账龄结构良好，一年以内账龄的应收账款占比超过99%，与同行业可比上市公司相比，公司应收账款占营业收入比例较低、应收账款周转率较高，发生坏账损失的风险较小，且公司已制订合理的坏账计提政策并有效执行，但若公司下游客户经营不利或由于其他原因导致无法按期支付货款，公司存在因货款回收不及时、应收账款金额增多、应收账款周转率下降引致的风险。
3、存货跌价风险
报告期各期末，公司存货净额分别为5,321.47万元、11,124.82万元和13,703.00万元，占总资产的比例分别为11.53%、18.02%和16.96%。随着公司业务规模的扩大，存货余额也会进一步上升。公司产品技术更新换代速度较快，如果未来出现由于公司未及时把握下游行业变化或其他难以预计的原因导致存货无法顺利实现销售，且其价格出现迅速下跌的情况，将增加计提存货跌价准备的风险，对公司经营业绩及经营现金流产生不利影响。
4、所得税优惠政策变动的风险
公司于2017年11月17日通过了高新技术企业复审，取得了《高新技术企业证书》（证书编号：GR201732001619）。根据财政部和国家税务总局发布的《关于实施高新技术企业所得税优惠有关问题的通知》（国税函[2009]203号），公司享受高新技术企业的所得税优惠政策，报告期内企业所得税实际执行税率为15%。虽然国家税收优惠政策具备持续性，但未来如果上述税收优惠政策发生变化，或者本公司不再具备享受相应税收优惠的资质，则将对公司的经营业绩带来较大的不利影响。
（五）募集资金投资项目风险
1、募集资金投资项目实施风险
公司本次募集资金投资项目主要包括“超低能耗高可靠性半导体功率器件研发升级及产业化”、“半导体功率器件封装测试生产线建设”、“碳化硅宽禁带半导体功率器件研发及产业化”和“研发中心建设”等。本次募集资金投资项目以国家产业政策为基础，充分把握半导体分立器件行业发展趋势而确定。上述募投项目的实施，有利于公司把握行业发展趋势，进一步巩固公司现有业务和培育新的业绩增长点，有效提升公司的技术研发实力和市场竞争力。但是，本次募投项目的实施，公司仍然面临来自市场变化、技术替代、宏观经济波动、募投项目管理等多方面的挑战和不确定性，因此公司存在无法如期完成募投项目或者项目投资收益不达预期的风险。
2、新增折旧摊销费用影响业绩的风险
公司的固定资产和无形资产整体规模较小。本次募投项目计划新增设备投入和生产场地投入，未来将引致公司资产总额增长幅度较高。随着新增固定资产和无形资产规模的扩大，募投项目投产后，资产折旧摊销会出现较快增长。尽管公司募投项目新增销售收入及利润总额较高，足以抵消募投项目新增的投资项目折旧摊销费用，但如果市场环境发生重大不利变化，公司现有业务及募投项目产生的收入及利润水平未实现既定目标，本次募投项目将存在因资产增加而引致的折旧摊销费用影响未来经营业绩的风险。
（六）其他风险
1、关联交易风险
报告期内，公司存在向关联方采购封测服务或销售产品的情形。针对上述关联交易，第一，公司制定了《关联交易决策制度》，对公司关联交易定价机制、审批决策程序等予以规范，并要求公司严格执行；第二，公司积极扩大采购渠道，加大销售力度，逐步减少与关联方之间的采购与销售占比；第三，公司控股股东、实际控制人、主要股东及公司董事、监事、高级管理人员签署减少和规范关联交易的相关承诺。虽然公司与关联方之间的关联购销主要系受到行业特点、技术要求、产品质量控制等因素影响而采取的自发市场行为，交易具有其合理性、公允性，交易占比逐年下降，但如果未来公司关联购销定价不公允，可能对公司和股东的经济利益产生不利影响。
2、成长性风险
公司的主营业务为MOSFET、IGBT等半导体芯片和功率器件的研发设计及销售。随着半导体功率器件下游需求的迅猛增长以及公司产品技术实力不断提升，公司经营规模迅速扩大。报告期内，公司营业收入分别为50,375.98万元、71,579.03万元和77,253.69万元，2018年和2019年分别同比增长42.09%和7.93%。近年来国内半导体分立器件行业不断发展，国际巨头不断涌入，国内新进入者不断增多，行业竞争日趋激烈。未来公司能否保持持续、快速的增长，仍然受制于产业政策支持、宏观经济发展、下游行业增长、公司技术实力提升以及经营管理完善等多方面因素，因此，公司未来的经营业绩可能面临成长性风险。
3、摊薄即期回报风险
报告期内，公司扣除非经常性损益后的每股收益分别为0.98、1.84和1.15，扣除非经常性损益后加权平均净资产收益率分别为26.04%、33.28%和16.77%。本次发行募集资金到位后，公司的总股本和净资产将会相应增加，通过本次募集资金提升公司研发实力、资金实力，其综合经济效益的产生需要一定的时间，投资项目回报的实现需要一定周期。本次募集资金到位后的短期内，公司净利润增长幅度可能会低于总股本和净资产的增长幅度，每股收益和加权平均净资产收益率等财务指标将出现一定幅度的下降，股东即期回报存在被摊薄的风险。
二、其他重要事项
截至2019年12月31日，公司正在履行的重大商务合同如下：
（一）重要合同
1、重大销售合同
报告期内，公司与部分长期合作、采购量大、采购频繁的客户签订销售框架合同，日常销售以订单为交易依据。截至2019年12月31日，公司正在履行的对生产经营活动有重大影响的主要销售框架合同如下：
序号 合同相对方 合同编号 合同期限 合同标的
1 常州力森电子有限公 NCEGXHT229 2018.01.01- 产品型号、数量
司 2019.12.31 等均以订单为准
2 星恒电源股份有限公 NCEGXHT224 2018.01.01- 产品型号、数量
司 2019.12.31 等均以订单为准
3 苏州工业园区东南科 NCEGXHT170-1 2019.12.23- 产品型号、数量
技有限公司 长期 等均以订单为准
4 无锡市晶汇电子有限 NCEGXHT254 2018.12.30- 产品型号、数量
公司 2020.12.29 等均以订单为准
5 上海晶丰明源半导体 NCEGXHT122 2017.09.19- 产品型号、数量
股份有限公司 2020.09.18 等均以订单为准
6 深圳市高斯宝电气技 HR-PU-HP10-08A2 2017.07.31- 产品型号、数量
术有限公司 长期 等均以订单为准
7 广东科通电子实业有 NCEGXHT195 2018.01.01- 产品型号、数量
限公司 2019.12.31 等均以订单为准
8 南京江智科技有限公 NCEGXHT236 2018.01.01- 产品型号、数量
司 2019.12.31 等均以订单为准
9 杰华特微电子（杭州） NCEGXHT121 2019.08.01- 产品型号、数量
有限公司 长期 等均以订单为准
10 昆山九通电子有限公 NCEGXHT251 2018.12.30- 产品型号、数量
司 2020.12.29 等均以订单为准
11 揭阳市中晶电子科技 NCEGXHT233 2018.01.01- 产品型号、数量
有限公司 2019.12.31 等均以订单为准
12 无锡川本飞龙电子科 080201 2016.08.02- 产品型号、数量
技有限公司 2026.08.01 等均以订单为准
13 常州市易尔通电子有 NCEGXHT253 2018.12.30- 产品型号、数量
限公司 2020.12.29 等均以订单为准
14 昂宝电子（上海）有 NCEGXHT208 2018.01.01- 产品型号、数量
限公司 2019.12.31 等均以订单为准
15 深圳市润得源电子有 NCEGXHT110-1 2019.06.10- 产品型号、数量
限公司 长期 等均以订单为准
16 深圳市粤嘉鸿电子有 NCEGXHT150 2019.07.20- 产品型号、数量
限公司 长期 等均以订单为准
17 东莞市盛锋电子有限 NCEGXHT162 2017.08.25- 产品型号、数量
公司 2020.08.24 等均以订单为准
18 深圳市嘉龙腾电子有 NCEGXHT211 2018.07.16- 产品型号、数量
限公司 2020.07.15 等均以订单为准
19 安徽省东科半导体有 NCEGXHT212-1 2019.11.10- 产品型号、数量
限公司 长期 等均以订单为准
20 南京高上美电子有限 NCEGXHT277 2019.05.07- 产品型号、数量
公司 2021.05.06 等均以订单为准
21 广州视琨电子科技有 114-SK 2018.09.01- 产品型号、数量
限公司 长期 等均以订单为准
22 深圳市金誉半导体股 NCEGXHT112-2 2018.07.01- 产品型号、数量
份有限公司 2020.06.30 等均以订单为准
2、重大采购合同
公司采购合同的订立方式主要是通过签订框架协议，日常采购以订单作为交易依据。截至2019年12月31日，公司正在履行的对生产经营活动有重大影响的主要采购框架合同如下：
序号 合同相对方 合同编号 合同期限 合同标的
1 华虹宏力 【2018】0602 2018.06.05- 芯片代工
2021.06.04
2 华润上华 WXXJN-CSMC-18120901 2018.12.09- 芯片代工
2021.12.08
3 华润微 rev.20170724 2017.08.17- 芯片代工
长期
4 长电科技 S03001-01 2019.03.02- 封测服务
2021.03.01
5 江阴苏阳电子 S03002-03 2019.06.17- 封测服务
股份有限公司 2022.06.16
6 上海捷敏 SH-2017-111 2018.01.01- 封测服务
2021.12.31
7 成都集佳科技 S03016-01 2017.01.01- 封测服务
有限公司 2020.12.31
中芯集成电路 2018.03.05-
8 制造（绍兴）有 20180305-01 2021.03.04 芯片代工
限公司
（二）公司对外担保情况
截至招股意向书签署日，公司无对外担保情况。
（三）重大诉讼及仲裁事项
截至本招股意向书签署日，公司不存在对财务状况、经营成果、声誉、业务活动、未来前景等可能产生较大影响的重大诉讼或仲裁事项。
截至本招股意向书签署日，公司主要股东、控股子公司、董事、监事、高级管理人员和核心技术人员均不存在作为一方当事人的重大诉讼或仲裁事项。
截至本招股意向书签署日，公司董事、监事、高级管理人员和核心技术人员不存在涉及刑事诉讼的情况。
第六节 本次发行各方当事人和发行时间安排
一、本次发行各方当事人的情况
名 称 住所 联系电话 传真 联系人
发行人：无锡新洁能股份 无锡市高浪东路999号B1号 0510-85618058 0510-85620175 肖东戈
有限公司 楼2层
保荐人（主承销商）：平 深圳市福田区福田街道益田
安证券股份有限公司 路 5023 号平安金融中心 B 0755-22626653 0755-25325422 盛金龙
座第22-25层
发行人律师：江苏世纪同 南京市中山东路 532-2 号 D 025-83304480 025-83329335 阚赢
仁律师事务所 幢5楼 张若愚
申报会计师：天衡会计师 南京市建邺区江东中路 106 游世秋
事务所（特殊普通合伙） 号万达广场商务楼 B 座（14 025-84711188 025-84716883 杨贤武
幢）20楼
股票登记机构：中国证券 上海市浦东新区陆家嘴东路
登记结算有限责任公司上 166号中国保险大厦 021-58708888 021-58899400 -
海分公司
收款银行：平安银行总行 - - - -
营业部
拟上市的证券交易所：上 上海市浦东南路 528 号证券 021-68808888 021-68804868 -
海证券交易所 大厦
二、本次发行上市的重要日期
初步询价日期 2020年9月10日
发行公告刊登日期 2020年9月15日
网上网下申购、缴款日期 2020年9月16日、2020年9月18日
股票上市日期 本次股票发行结束后将尽快申请在上海证券交易所上市
第七节 备查文件
投资者可以在下列地点查阅整套发行申请材料和有关备查文件。
（一）发行人：无锡新洁能股份有限公司
联系地址：无锡市新吴区新加坡工业园新达路延伸段（道路东侧）
联系人： 肖东戈
联系电话：0510-85618058
传真： 0510-85620175
（二）保荐人（主承销商）：平安证券股份有限公司
联系地址：深圳市福田区福田街道益田路5023号平安金融中心B座第22-25层
联系人： 盛金龙
联系电话：0755-22626653
传真： 0755-25325422（此页无正文，为《无锡新洁能股份有限公司首次公开发行股票招股意向书摘要》之签署页）
无锡新洁能股份有限公司
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