甬矽电子（688362）2025年半年度管理层讨论与分析

证券之星消息，近期甬矽电子（688362）发布2025年半年度财务报告，报告中的管理层讨论与分析如下：

发展回顾：

一、报告期内公司所属行业及主营业务情况说明

    (一)主营业务情况

    公司主要从事集成电路的封装和测试业务，为集成电路设计企业提供集成电路封装与测试解决方案，并收取封装和测试服务加工费。公司封装产品主要包括“高密度细间距凸点倒装产品（FC类产品）、系统级封装产品（SiP）、晶圆级封装产品（Bumping及WLP）、扁平无引脚封装产品（QFN/DFN）、微机电系统传感器（MEMS）”5大类别。下游客户主要为集成电路设计企业，产品主要应用于射频前端芯片，AP类SoC芯片，触控芯片、WiFi芯片、蓝牙芯片、MCU等物联网AIoT芯片、电源管理芯片、计算类芯片、工业类和消费类产品等领域。

    公司于2017年11月设立，从成立之初即聚焦集成电路封测业务中的先进封装领域，车间洁净等级、生产设备、产线布局、工艺路线、技术研发、业务团队、客户导入均以先进封装业务为导向。报告期内，公司全部产品均为QFN、LGA、BGA、FlipChip、Bumping、WLCSP等中高端先进封装形式，并在系统级封装（SiP）、高密度细间距凸点倒装产品（FC类产品）、大尺寸/细间距扁平无引脚封装产品（QFN/DFN）、Bumping/WLP等先进封装领域具有较为突出的工艺优势和技术先进性。

    公司为了保持先进封装技术的先进性和竞争优势，在技术研发和产品开发布局上，一方面注重与先进晶圆工艺制程发展相匹配，另一方面注重以客户和市场需求为导向。结合半导体封测领域前沿技术发展趋势，以及物联网、5G、人工智能、大数据等应用领域对集成电路芯片的封测需求，公司陆续完成了倒装和焊线类芯片的系统级混合封装技术、5纳米晶圆倒装技术等技术的开发，并成功实现稳定量产。同时，公司已经掌握了系统级封装电磁屏蔽（EMIShielding）技术、芯片表面金属凸点（Bumping）技术、Fan-in技术，Fan-out、2.5D，并积极开发晶圆级封装技术、高密度系统级封装技术、大尺寸FC-BGA封装技术等，为公司未来业绩可持续发展积累了较为深厚的技术储备。

    (二)所处行业情况

    （1）公司所属行业及确定所属行业的依据

    公司主营业务为集成电路的封装和测试。根据《中国上市公司协会上市公司行业统计分类指引》，公司属于“计算机、通信和其他电子设备制造业（C39）”；根据《国民经济行业分类》（GB/T4754-2017），公司属于“计算机、通信和其他电子设备制造业（C39）”下属的“集成电路制造（C3973）”。公司业务细分行业为集成电路封装和测试业。

    （2）行业的发展阶段与基本特点

    20世纪70年代开始，随着半导体技术日益成熟，晶圆制程和封装工艺进步日新月异，一体化的IDM公司逐渐在晶圆制程和封装技术方面难以保持技术先进性。为了应对激烈的市场竞争，大型半导体IDM公司逐步将封装测试环节剥离，交由专业的封测公司处理，封测行业变成集成电路行业中一个独立子行业。

    20世纪90年代，随着全球化进程加快、国际分工职能深化，以及集成电路制程难度的不断提高，集成电路产业链开始向专业化的分工方向发展，逐渐形成了独立的半导体设计企业、晶圆制造代工企业和封装测试企业。在半导体产业转移、人力资源成本优势、税收优惠等因素促进下，全球集成电路封测厂逐渐向亚太地区转移，目前亚太地区占全球集成电路封测市场大约80%的份额。

    如今摩尔定律降本收敛，先进封装接棒助力AI浪潮。芯片依靠制程微缩带动单位性能成本的快速下降，带动半导体产业蓬勃发展。芯片制程步入3nm及以下制程，摩尔定律降本效应大幅收敛，先进封装乘势而起。市场研究机构Yole数据显示，2025年全球先进封装市场预计总营收为569亿美元，同比增长9.6%；市场预计将在2028年达到786亿美元规模，2022—2028年间年化复合增速达10.05%，相比同期整体封装市场和传统封装市场，先进封装市场的增长更为显著，先进封装技术正逐渐成为封装市场增长的重要驱动力。通用大模型、AI手机及PC、高阶自动驾驶的发展均要求高性能算力，先进封装作为提升芯片性能的有效手段有望加速渗透与成长。

    二、经营情况的讨论与分析

    2025年上半年，随着全球终端消费市场持续回暖，产业链去库存周期基本结束，叠加AI应用场景不断涌现，集成电路行业整体景气度回升明显。8月4日，美国半导体行业协会（SIA）宣布，2025年第二季度全球半导体销售额达1797亿美元，同比增长近20%，环比增长7.8%。作为专注于中高端先进封测领域的封测企业，公司努力顺应行业趋势、抓住行业机遇，持续关注客户需求，围绕客户提供全方位服务，通过增强新客户拓展力度、加强新产品导入力度、提升产品品质、缩短供货周期、降低产品成本等多种方式，提升客户满意度和自身竞争力，报告期内，公司在客户端和产品端持续发力，稼动率整体保持相对饱和状态。得益于海外大客户持续放量及原有核心客户群成长，报告期内，公司实现营业收入201028.74万元，同比增长23.37%；实现归属于上市公司所有者的净利润3031.91万元，较上年同期增长150.45%。

    公司通过积极开发新客户、拓展新产品线等方式提升自身竞争力和盈利能力，报告期内，公司主要工作开展情况如下：

    1、行业整体景气度回升，叠加新客户拓展取得突破，营业收入同比增加23.37%；规模效应逐渐体现，期间费用率下降明显，盈利能力显著提升

    得益于海外大客户突破及原有核心客户群高速成长，报告期内公司实现营业收入201028.74万元，同比增长23.37%，实现归属于上市公司股东的净利润3031.91万元，较上年同期增长150.45%。报告期内，公司共有13家客户销售额超过5000万元，其中4家客户销售额超过1亿元，客户结构进一步优化；海外大客户取得较大突破，前五大客户中两家中国台湾地区行业龙头设计公司的订单持续增长。随着营收规模的增长，规模效应逐渐体现，期间费用率下降明显，盈利能力显著提升。2025年上半年，公司整体毛利率达到15.61%，其中2025年二季度单季度毛利率达到16.87%，环比增加2.68个百分点；期间费用率方面，管理费用率由2024上半年的8.00%下降至6.61%，财务费用率由6.07%同比下降至5.15%，规模效应逐渐体现，归母净利润同比增长150.45%。

    2、晶圆级封装、汽车电子等产品线持续丰富，“Bumping+CP+FC+FT”的一站式交付能力不断提升，下游客户群及应用领域不断扩大，打造多个业务增长极

    公司坚持自身中高端先进封装业务定位，报告期内公司积极推动二期项目建设，扩大公司产能规模，提升对现有客户的服务能力；同时，根据目前市场情况和公司战略，公司积极布局先进封装和汽车电子领域，积极布局包括Bumping、CP、晶圆级封装、FC-BGA、汽车电子等新的产品线，持续推动相关技术人才引进和技术攻关，提升自身产品布局和客户服务能力。公司重点打造的“Bumping+CP+FC+FT”的一站式交付能力不断提升，有效客户群持续扩大，量产规模稳步爬升，贡献了新的营收增长点。2025年上半年，公司晶圆级封测产品贡献营业收入8528.19万元，同比增长150.80%，预计2025年下半年将持续保持增长。客户群及应用领域方面，公司在汽车电子领域的产品在车载CIS、智能座舱、车载MCU、激光雷达等多个领域通过了终端车厂及Tier1厂商的认证；在射频通信领域，公司应用于5G射频领域的Pamid模组产品实现量产并通过终端客户认证，已经批量出货；AIoT领域，公司与原有核心AIoT客户群保持紧密合作，持续增加新品导入，部分核心客户份额进一步提升；同时，公司海外客户布局成效明显，在深耕中国台湾地区客户的基础上，积极拓展欧美客户群体。通过多产品线及多领域布局，公司已经形成了多个业务增长极，为持续发展奠定坚实基础。

    3、持续加大研发投入，积极布局扇出式封装及2.5D/3D封装等先进封装领域

    报告期内，公司持续加大研发投入，研发投入金额达到14218.15万元，占营业收入的比例为7.07%，同比增长51.28%。报告期内，公司新增申请发明专利26项，实用新型专利35项，软件著作权1项；新增获得授权的发明专利33项，实用新型专利58项，软件著作权2项。公司通过实施Bumping项目已掌握RDL及凸点加工能力，并积极布局扇出式封装（Fan-out）及2.5D封装工艺，相关产品线均已实现通线，目前正在与部分客户进行产品验证。公司自身技术水平和客户服务能力得到显著提升。

    4、持续提升智造能力，加大国产替代力度，运营降本提效

    公司积极推动智能生产变革，通过数字化工厂建设等多种方式，促进规划、生产、运营全流程实现数字化管理和智能动态调度。通过不断推动精益生产变革，提高生产效率。同时坚持不断推动国产设备和材料导入，提升国产替代水平，保障自主可控的同时降低运营成本，实现运营降本增效。

    5、组织管理持续优化，实施股权激励，增强核心团队稳定性

    公司持续优化组织管理能力，通过构建科学的绩效考核体系和长期股权激励等措施，不断提升员工工作积极性，提升整体人均效能，实现核心员工利益与公司利益长期绑定，为公司的持续稳定发展奠定良好基础。报告期内，公司完成了2023年限制性股票激励计划第二个归属期的股份归属事项，向符合授予条件的244名激励对象归属121.353万股第二类限制性股票，占报告期末公司股本总额40962.593万股的0.30%。

    展望2025年下半年，随着AI大模型的发展，AI赋能千行百业的态势更加清晰，应用场景将进一步拓展，AI手机、AIPC、AI眼镜等新型产品形态有望推动消费市场进一步回暖；同时，以比亚迪等全球新能源汽车龙头企业推动的智驾平权及机器人领域的创新都将带动集成电路产品的销售。根据美国半导体行业协会（SIA）预估，预计下半年全球将延续同比增长态势。世界半导体贸易统计组织（WSTS）也预测，2025全年预期上调至7280亿美元，年增长率达15.4%，较原预测提升4个百分点。2026年展望微幅调升，预计增长9.9%至8000亿美元。公司晶圆级封装、汽车电子等产品线持续丰富，“Bumping+CP+FC+FT”的一站式交付能力形成，二期项目产能逐步释放，下游客户群及应用领域不断扩大，包括中国台湾地区头部IC设计公司拓展取得重要突破。公司将继续围绕增长目标，一方面继续坚持大客户战略，在深化原有客户群合作的基础上，积极推动包括中国台湾地区、欧洲地区等头部设计企业的进一步合作，不断提升自身竞争力和市场份额；另一方面，公司将扎实稳健推进Bumping、CP、晶圆级封装、FC-BGA、2.5D等新产品线，持续提升自身工艺能力和客户服务能力。公司预期2025年下半年营业收入将持续保持增长。

    三、报告期内核心竞争力分析

    (一)核心竞争力分析

    1、客户资源优势

    凭借稳定的封测良率、灵活的封装设计实现性、不断提升的量产能力和交付及时性，公司获得了集成电路设计企业的广泛认可，并同众多国内外知名设计公司缔结了良好的合作关系。报告期内，公司围绕客户提供全方位服务，通过增强新客户拓展力度、加大新产品导入力度、提升产品品质、缩短供货周期、降低产品成本等多种方式，提升客户满意度，公司客户结构持续优化，与多家细分领域头部客户建立战略合作伙伴关系，并获得多家客户颁发的战略合作供应商、最佳合作供应商、优秀战略合作伙伴等荣誉。报告期内，公司共有4家客户销售额超过1亿元，13家客户（含前述4家客户）销售额超过5000万元，客户结构持续优化。

    2、技术及产品结构优势

    公司系国家高新技术企业，公司2020年入选国家第四批“集成电路重大项目企业名单”。公司具备较强的技术研发能力，截至2025年6月30日，公司总计获得授权的发明专利191项，实用新型专利297项，外观设计专利3项，软件著作权9项；在高密度细间距凸点倒装产品（FC类产品）、系统级封装产品、4G/5G射频功放封装技术、高密度大尺寸框架封装产品、MEMS封装产品、IC测试等领域均拥有核心技术。公司“年产25亿块通信用高密度集成电路及模块封装项目”被评为浙江省重大项目。

    公司从成立之初即聚焦集成电路封测业务中的先进封装领域，车间洁净等级、生产设备、产线布局、工艺路线、技术研发、业务团队、客户导入均以先进封装业务为导向，业务起点较高。因此与同行业竞争者相比，甬矽电子产品结构较为优化，销售收入主要来自于中高端封装产品，并在射频前端芯片封测、AP类SoC芯片封测、触控IC芯片封测、WiFi芯片封测、蓝牙芯片封测、MCU等物联网AIoT芯片封测等新兴应用领域具有良好的市场口碑和品牌知名度。

    3、人才优势

    公司拥有完整高效的研发团队，并重视研发队伍的培养和建设，研发团队核心人员均具备丰富的集成电路封装测试行业技术开发经验。公司拥有专业的工程技术和生产管理团队，可以根据客户提出的各种封装测试要求及时做出响应，并根据市场需求对产品种类和产量进行快速调整。截至2025年6月30日，公司拥有研发技术人员1017人，占公司总人数的比例为17.12%。

    (三)核心技术与研发进展

    1、核心技术及其先进性以及报告期内的变化情况

    1、高密度细间距倒装凸点互联芯片封装技术

    倒装是将晶粒（Die）通过凸点（Bump）与基板线路进行连接的技术，可在晶粒和基板之间形成短间距、高密度的连接通路。倒装芯片迎合了集成电路追求更高I/O密度、更小尺寸、更快运算速度、更高可靠性和更佳经济性的发展趋势。高密度细间距倒装凸点互联芯片封装技术作为先进封装代表性技术之一，被广泛应用在高性能通讯基带（Baseband）、图像处理芯片、电源管理芯片（PMIC）和人工智能（AI）芯片等领域。

    公司在倒装芯片领域拥有以下核心技术：

    （1）高精度倒装贴装技术

    公司量产的先进封装倒装芯片最小凸点间距已小于50um，最小凸点直径接近30um，单晶粒上的凸点数量、贴装精度及量产产品的最小线宽和最小线间距均达到了行业领先水平。

    （2）底部塑封材料填充技术

    倒装芯片晶粒通过晶圆凸块（Bump）与基板连接，连接后晶粒与基板间存在极细小的缝隙（约30~50微米），封装企业需要使用树脂材料将底部缝隙填充，起到加强粘合和保护作用。但由于倒装芯片底部缝隙过于狭窄，填充时极易发生填充不全或填充过多导致溢胶等风险。公司通过反复试验掌握了塑封材料的固化时间、流动性以及填充料粒径等材料特性，并结合填充的真空、温度、压力、时间等封装参数，成功开发了倒装芯片真空模塑底部填充技术和应对高密度细间距芯片的毛细作用底部填充技术，攻克了相关技术难题。

    （3）先进制程晶圆低介电常数层应力仿真技术

    由于先进制程晶圆通常使用低介电常数（Low-K）材料制作（注：介电常数为衡量绝缘材料电性能的重要指标之一，通过降低集成电路中使用的介电材料的介电常数，可以降低集成电路的漏电电流，降低导线之间的电容效应，降低集成电路发热等等），为降低介电常数会在材料中添加纳米级空洞，大幅降低了材料的结构强度，导致晶圆的低介电层极易因外力破裂。倒装芯片在封装过程中，需经过回流焊、塑封等诸多热加工环节，不同材料因热加工产生的应力不同、形变程度不同，封装企业需通过材料选型搭配、封装结构设计、工艺流程控制、仿真模拟实验等诸多技术手段降低封装过程中可能产生的晶圆低介电常数层破裂风险（Low-K/ELKCrack）。公司采用了先进的应力仿真技术，在封装项目开发阶段即对产品进行结构建模，对产品结构应力、热应力进行仿真分析研究，选择最佳特性的封装材料，并在封装过程中进行精细的热制程应力释放控制。

    （4）倒装芯片露背式封装散热技术

    公司研发部门通过热仿真分析以及技术攻关，成功开发并量产芯片背露的倒装芯片（ExposeddieFC-CSP，ED-FC-CSP）封装技术。芯片的背面硅层直接裸露在塑封体的表面，芯片运行过程中产生的热量直接传导至散热器，解决了因塑封材料阻隔导致散热效率不够的问题。

    2、应用于4G/5G通讯的射频芯片/模组封装技术

    射频芯片是将高频交流电磁波信号和数字信号进行转换，包括射频收发器、功率放大器、低噪声放大器、滤波器、射频开关、天线调谐开关等，是移动通讯领域最重要的集成电路芯片。射频芯片的封装对表面贴装、装片、焊线等具体工艺实施环境均有严苛的技术要求。公司对4G/5G射频芯片的封装技术展开了大量技术攻关，并形成了高精度表面贴装技术、多芯片装片技术、高效率散热技术、特殊材质（如砷化镓晶圆）倒装芯片技术、先进焊线工艺等一系列技术成果，量产能力持续提升。

    3、混合系统级封装（Hybrid-SiP）技术

    公司的混合系统级封装是在先进系统级封装基础上，采用“倒装芯片封装+正装焊线芯片封装”的整合封装技术，在一个封装体内集成了电容、电阻、电感、晶振、滤波器、先进倒装芯片以及高密度焊线芯片。公司在混合系统级封装领域掌握了以下技术：

    （1）基板表面处理工艺

    混合系统级封装由于要将倒装芯片和焊线芯片封在一个封装体内，基板焊盘涉及多种材料焊接，不同的焊接材料需要采用不同基板焊盘表面处理工艺，所对应的焊接工艺也有所不同。与此同时，公司所使用的多层基板由绿漆、铜线、玻璃纤维等不同材料叠合而成。因此，多种材料和复合材料组成的基板进行焊接时，不同材料因膨胀系数不同，其受热形变量不同。若不能充分考虑各种材料之间的形变量协调性，最终封装体极易产生质量缺陷。公司通过基板层结构建模和SiP封装形变仿真分析，对产品进行优化设计和工艺优化，克服混合系统级封装热加工环节中基板和塑封体的形变影响。

    （2）塑封模流仿真技术

    通过塑封模流仿真技术并与试验验证相结合，解决了因系统级封装集成度高、结构复杂，塑封时要兼顾正装芯片焊线保护（防止正装芯片的焊线在注塑过程中被塑封树脂冲击变形）和倒装芯片底部完整填充困难的问题。

    （3）共形电磁屏蔽技术

    由于混合系统级封装元器件密度较高，传统金属屏蔽罩的方式不满足其电磁屏蔽需求。公司于2020年开发了共形电磁屏蔽技术，通过在成品芯片上表面和四个侧面通过磁控溅射方式溅镀5-10微米厚度的金属镀层，来实现电磁屏蔽。共形电磁屏蔽技术不会增加系统级封装尺寸，同时电磁屏蔽效果达到30dB以上（dB是衡量电磁屏蔽效果的指标之一，数值越高代表屏蔽效果越好，30dB屏蔽能力能够覆盖手机等绝大部分消费类产品的需求），显著提升了公司系统级封装产品的集成度和芯片性能。

    4、多芯片（Multi-chip）/高焊线数球栅阵列（WB-BGA）封装技术

    球栅阵列封装具有高密度的I/O引脚数，以及多项电性能优势，同时具备良好的终端焊接性和芯片可靠性，是高密度、高性能、多I/O引脚芯片封装的优化选择方案。

    公司研发团队通过自主研发，掌握了多芯片堆叠、高焊线数球栅阵列（WB-BGA）、形变仿真设计等封装技术，并在上述技术的支持下，公司研发团队开发了散热片和塑封一次性压塑成型的HS-WBBGA封装形式，为尺寸在25*25mm以上的大颗WB-BGA芯片的翘曲和共面性问题提供了良好的解决方案，并使芯片的散热性能得到了提升。

    5、基于引线框的高密度/大尺寸的QFN封装技术

    公司引线框架类QFN封装主要服务于高集成密度的QFN芯片，封装尺寸覆盖0.7*1.1mm—12.3*12.3mm，并主要集中在5*5mm以上大尺寸领域。公司研发团队成功解决了细引脚间距QFN切割铜屑残留导致引脚短路的难题，使芯片引脚密度提升25%~40%，并实现规模化量产，良率达99.9%以上。

    QFN封装形式因其开发周期短、封装成本低等优势，受到芯片设计企业的青睐。近年来，部分传统采用BGA封装形式的芯片，开始转为采用复杂结构的QFN封装形式。公司研发团队通过自主研发，引入了硅垫片和多次装片工艺，在QFN封装形式内实现了多芯片堆叠方案及多基岛、多芯片平铺技术，同时成功实现了多焊线层数及超长线弧焊线技术，极大提高了公司的市场竞争力。

    6、MEMS&光学传感器封装技术

    MEMS传感器是采用微电子和微机械加工技术制造出来的新型传感器。公司所封装的MEMS传感器主要为硅麦克风，该产品需要在晶圆上制作悬梁、薄膜、空腔、密封洞、针尖、微弹簧等复杂的机械结构，这些微机械结构容易因机械接触而损坏。在传统封装工艺中，通常使用金刚石刀进行晶圆切割（即划片工艺），并同时使用纯水对刀片进行冷却和冲洗。但金刚石刀片高速旋转产生的压力和扭力，纯水冲洗产生的冲击力，以及物理切割产生的硅碎屑都容易对MEMS传感器中的机械微结构造成不可逆的破坏。为了适应MEMS传感器的特性，公司采用了隐形切割技术：先利用激光切割晶圆表面，激光切割完成后晶圆内部会形成改质层，并在晶圆表面形成裂纹，再通过专用扩片设备把晶粒分开，显著提高了MEMS传感器封装良率。

    7、多应用领域先进IC测试技术

    公司具备完整的芯片终测（FT测试）能力，可自主进行测试方案开发和测试治具设计，拥有设备连接治具（Docking）、探针台接口板（PIB）、探针卡、KIT、测试座（Socket）等一系列测试工具，满足各类项目研发和产品测试需求。

    8、先进晶圆级封装技术

    公司已具备先进晶圆级封装（Wafer-levelPackaging，即WLP）技术，包括对先进制程晶圆进行高密度、细间距重布线的技术（RedistributionLayer，即RDL）、晶圆凸块技术（Bumping）、扇入/扇出（Fan-in/Fan-out）技术等。同时，公司还在积极开发基于晶圆级封装技术的小芯粒（Chiplet）多维异构技术。目前，公司先进晶圆级封装技术主要应用领域包括系统级芯片（SoC）、运算类芯片、网络通讯芯片等。

    公司研发团队通过自主研发，在先进晶圆级封装领域掌握的主要核心技术如下：

    （1）晶圆高密度、细间距重布线（RDL）及晶圆凸块（Bumping）技术

    通过多层次工艺参数验证及适配的光刻胶、显影液、电镀液等材料应用选型和调试，公司在凸点间距、直径、单晶粒凸点数量及重布线最小线宽、线间距达到了行业前沿，大幅提高了芯片的电性能和算力密度。此外，公司研发团队积极布局新材料的应用，成功实现低温烘烤PI胶工艺，为扇出（Fan-out）封装技术奠定了良好的基础。

    （2）基于多层重布线（RDL）技术的WLCSP扇入式封装

    多层重布线WLCSP封装在布线电性能、形变应力以及多次曝光显影等方面均存在较高的技术挑战。公司研发团队采用建模仿真技术对重布线（RDL）结构方案进行优化设计，并对多重曝光、显影技术的工艺参数和精度进行优化和改进，成功实现多达3P3M~4P4M结构的WLCSP封装。

    （3）8寸及12寸晶圆的CP（ChipProbing）测试能力

    公司研发团队通过自主研发，实现了完整的8寸及12寸晶圆CP测试量产，总共6个测试平台，可支持-55℃~150℃测试温度区间，适用于模拟、数字等不同芯片晶圆的测试场景，满足公司研发项目和产品测试的要求。

    （4）高密度、细间距重布线（RDL）重新布线技术

    通过对光刻、电镀等工艺技术途径最佳参数的探索，对光阻材料性能的优化调控，公司已经掌握高密度、高速的互联线路RDL技术，并通过实现超细线宽/距RDL布线层的AOI微观异常精度检测方法，使其成为保证产品质量的重要检测工具和过程质量控制工具。最终形成高密度互连线路的规模化集成和组装的能力，能够满足日益增长的数据传输速度和带宽的技术需求。

    （5）硅中介层露铜技术

    硅中介层作为2.5D/3D先进封装领域的关键要素，发挥着至关重要的作用。其应用模式主要体现为，将多个芯片集成于无源或有源硅中介层之上，借助中介层所具备的高密度布线结构以及导电柱，构建起芯片之间的互连通道。通过这种直接连接机制，信号传输路径得以大幅缩减，进而使信号延迟显著降低，确保了数据能够以更为高效的速率在芯片间实现传输，精准契合了高性能HPC芯片对于高速数据传输所提出的严苛标准与要求。公司已经掌握硅中介层露铜技术制造的关键工艺，涵盖化学研磨工艺、薄膜沉积工艺以及干法蚀刻工艺等核心环节。通过对上述工艺的精准把控，所构建的硅中介层结构能够充分满足2.5D/3D封装的性能要求。

    （6）硅中介层多芯片异构集成技术

    先进的2.5D/3D封装技术在硅中介层上实现多芯片的异构集成整合。在此过程中，不仅维持了较高的性能水准，还极大程度上削减了设计的复杂程度，显著降低了制造成本，进而契合高性能计算（HPC）、人工智能（AI）、网络通信等前沿应用领域的多元需求。公司已经掌握超细重布线RDL细线宽/距技术、高精度倒装芯片贴装及热压焊接技术等，具备了多芯片/大尺寸异构集成封装能力。并且通过胶膜底填技术保护其微凸块焊接、细线路，避免芯片ELK层Crack等失效问题，有力保障了产品的可靠性与稳定性。

    2、报告期内获得的研发成果

    报告期内，公司新增申请发明专利26项，实用新型专利35项，软件著作权1项；新增获得授权的发明专利33项，实用新型专利58项，软件著作权2项。

    五、报告期内主要经营情况

    报告期内，公司实现营业收入201028.74万元，同比增加23.37%；公司归属上市公司股东的净利润为3031.91万元，同比增长150.45%；归属于上市公司股东的扣除非经常性损益的净利润为-4316.49万元，同比减少2759.00万元。

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