长光华芯（688048）2025年半年度管理层讨论与分析

证券之星消息，近期长光华芯（688048）发布2025年半年度财务报告，报告中的管理层讨论与分析如下：

发展回顾：

一、报告期内公司所属行业及主营业务情况说明

    (一)所属行业情况

    公司聚焦半导体激光细分行业，主营业务为半导体激光芯片、器件及模块等激光行业核心元器件的研发、制造与销售。根据国家统计局发布的《国民经济行业分类》（GB/T4754-2017），公司所处行业属于门类“C制造业”中的大类“C39计算机、通信和其他电子设备制造业”中“C3976光电子器件制造”，指利用半导体光—电子（或电—光子）转换效应制成的各种功能器件制造。

    半导体产业是现代信息产业的基础，广泛应用于计算机、网络通信、消费电子、智能化工业设备等领域，是关系国民经济和社会发展全局的基础性、先导性和战略性产业。

    半导体激光行业通常包括激光芯片、激光器件、激光模块及直接半导体激光器等领域，而直接半导体激光器则是半导体激光行业的终端产品，由半导体激光器模块、输出光学系统、电源系统、控制系统及机械结构等构成，在电源系统和控制系统的驱动和监控下实现激光输出。

    半导体激光器引领光子时代，具有电光转换效率高、体积小、可靠性高、寿命长、波长范围广、可调制速率高等显著优点，为下游激光器提供不同光子能量，除可以直接使用外，亦被作为光纤激光器和固体激光器等其他激光器最理想的泵浦源，属于其核心器件及关键部件。因此，根据不同的光子类型，其下游激光器类型众多，应用领域较为广泛。

    (二)况公司主营业务情况

    公司始终专注于半导体激光芯片的研发、设计及制造，主要产品包括高功率单管系列产品、高功率巴条系列产品、高效率VCSEL系列产品及光通信芯片系列产品等，逐步实现高功率半导体激光芯片的国产化。公司紧跟下游市场发展趋势，不断开发具有领先性的产品、创新优化生产制造工艺、布局建设生产线，已形成由半导体激光芯片、器件、模块及直接半导体激光器构成的四大类、多系列产品矩阵，为半导体激光行业的垂直产业链公司。公司产品可广泛应用于：光纤激光器、固体激光器及超快激光器等光泵浦激光器泵浦源、直接半导体激光输出加工应用、激光智能制造装备、国家战略高技术、科学研究、医学美容、激光雷达、机器视觉定位、智能安防、消费电子、3D传感与摄像、人脸识别与生物传感等领域。报告期内，公司主营业务未发生重大变动。

    经过多年的研发和产业化积累，针对半导体激光行业核心的芯片环节，公司已建成覆盖芯片设计、外延生长、晶圆处理工艺（光刻）、解理/镀膜、封装测试、光纤耦合等IDM全流程工艺平台和2吋、3吋、6吋量产线，应用于多款半导体激光芯片开发，突破一系列关键技术，是少数研发和量产高功率半导体激光芯片的公司之一。同时，依托公司高功率半导体激光芯片的技术优势，公司业务横向扩展，建立了高效率VCSEL激光芯片和高速光通信芯片两大产品平台，另外公司业务向下游延伸，开发器件、模块及终端直接半导体激光器，上下游协同发展，公司在半导体激光行业的综合实力逐步提升。

    (三)况公司主要产品情况

    公司核心产品为半导体激光芯片，并且依托高功率半导体激光芯片的设计及量产能力，纵向往下游器件、模块及直接半导体激光器延伸，横向往VCSEL芯片及光通信芯片等半导体激光芯片扩展。主要产品包括高功率单管系列产品、高功率巴条系列产品、高效率VCSEL系列产品及光通信芯片系列产品。

    二、核心技术与研发进展

    1.核心技术及其先进性以及报告期内的变化情况

    公司建立健全研发体系和研发管理制度，加强对研发组织管理和研发过程管理，不断强化芯片设计、晶圆制造、芯片加工及封装测试等工艺积累，在核心技术方面屡获突破，打造了自身在半导体激光芯片领域的核心能力。同时，针对半导体激光行业应用场景多元化、复杂化的发展趋势，公司凭借在高功率半导体激光芯片领域的技术积累，构建了GaAs（砷化镓）、InP（磷化铟）、GaN（氮化镓）三大材料体系，建立了边发射和面发射两大工艺技术和制造平台，纵向延伸开发器件、模块及直接半导体激光器等下游产品；横向扩展VCSEL及光通信激光芯片领域。依托公司多系列的产品矩阵，上下游协同发展，公司在半导体激光行业的综合实力稳步提升。

    三、经营情况的讨论与分析

    报告期内，公司始终秉承“一平台、一支点、横向扩展、纵向延伸”发展战略，重视研发创新能力建设，结合公司在激光芯片、器件及模块、VCSEL、光通信芯片等横向、纵向产业布局形成的综合服务能力，不断提升公司在国内及国际市场的竞争力。公司积极开拓市场，具体经营情况及各项产品研发进展如下：

    1、高功率半导体激光芯片引领技术创新和行业发展。公司超高功率单管芯片在结构设计与研制技术上取得突破性进展，双结单管芯片创室温连续功率超过132W的新纪录（芯片条宽500μm，工作效率62%），打破了公司此前单管芯片室温连续功率超过100W的行业最高水平记录，开启了百瓦级单管芯片新纪元。同时公司在高功率和窄谱宽激光器方面攻克了光栅设计和材料生长等多个技术难点，开发的780nm宽条分布反馈(DFB)激光器室温连续输出功率超过10W，创下了780nm波段DFB激光器的最高记录。公司推出了9XXnm50W高功率半导体激光芯片，在宽度为330μm发光区内产生50W的激光输出，光电转化效率高（大于等于62%），现已实现大批量生产、出货，是目前市场上量产功率最高的半导体激光芯片。另外，公司9XXnm光纤激光器泵浦源功率提升至1000W、8XXnm固体激光器泵浦源功率提升至500W，最大程度地节约单瓦材料成本，为客户创造价值。在特殊波长应用方面，相继推出激光除草应用1470nm300W光纤输出半导体模块、面部痤疮治疗应用1726nm波长锁定100W光纤输出半导体模块，已对外送样，进一步拓展半导体激光器的应用。

    2、LVCSEL技术获得突破性进展，产品应用场景不断深化。公司攻克了低损耗多结VCSEL结构技术，将面发射芯片效率提升到74%，打破了近20年VCSEL效率发展停滞不前的局面，改变了VCSEL在效率上无法超过边发射激光器的固有认知。公司还构建了多结VCSEL的模式分析模型，解决了单模功率难以突破10mW左右的难题，在直流驱动下实现了20.2mW的单基横模激光输出，功率转换效率42%，刷新了单模VCSEL功率效率的世界纪录。公司的VCSEL芯片是公司横向拓展中重要的发展方向，现在主要有三方面应用：（1）消费电子，主要用于手机、AR/VR等终端应用、3D传感领域；（2）光通信，短距离传输，应用于数据中心；（3）车载激光雷达芯片，已通过车规IATF16949和AECQ认证。除车载雷达用VCSEL激光器芯片外，公司还积极布局开发车载EEL边发射激光器及1550nm光纤激光器的泵浦源产品，随着项目的推进，将进一步巩固长光华芯全套激光雷达光源方案提供商的市场地位。

    随着VCSEL自身技术的不断发展，以及与其他技术的结合使用，未来VCSEL将迎来更多的新兴应用，比如用于眼动追踪、速度监测、PM2.5空气质量监测等。

    3、光通信产品矩阵形成，市场规模不断扩大。面对持续爆发式增长的市场需求和更高性能芯片的要求，公司利用IDM平台优势持续投入研发，根据市场需求推出“国产替代”的高性能光通信芯片产品，公司拥有EML、VCSEL、CWLaser三种类型的光通信芯片，为市场提供高端芯片解决方案。报告期内，公司100GEML已实现量产，200GEML已开始送样。100GVCSEL、100mWCWDFB和70mWCWDM4DFB芯片已达到量产出货水平。

    同时，公司超前布局硅光、薄膜铌酸锂等多种技术路线。硅光集成技术在光通信、光传感、光医疗、光计算等光子应用领域快速发展的全球市场机遇，实现硅光集成制造技术和平台的国产自主可控，助力苏州市打造光子产业创新集群。公司通过全资子公司出资成立苏州星钥光子科技有限公司布局硅光方向。公司通过投资匀晶光电布局新材料方向，薄膜铌酸锂通过带宽极限突破与集成工艺创新，正重塑高速光通信架构。

    4、平台资源整合，资本助力横向拓展新征程。

    横向拓展氮化镓方向，进军可见光领域。填补国内在氮化镓蓝绿光激光器领域产业化的空白。全资子公司苏州半导体激光创新研究院与中科院苏州纳米所成立“氮化镓激光器联合实验室”，为拓展氮化镓材料体系的蓝绿激光方向奠定了基础，并与团队合资成立苏州镓锐芯光科技有限公司。第三代半导体材料（宽禁带半导体）氮化镓（GaN）以及其合金氮化物是直接带隙半导体，其可调节的能带宽度使其发光波长覆盖从深紫外、可见光直至红外的宽广的波谱范围。氮化镓半导体激光器具有直接发光、高效率、高稳定性等优势，蓝光和绿光波段的GaN激光器产品，已经在激光加工（有色金属加工、激光直写）、激光显示（激光大屏电视，XR微投影）、激光照明（车载大灯）、特殊通信等领域具有广泛应用，总体市场需求超百亿元且呈现较高的复合增长趋势。

    参考Yole等机构的增长幅度测算，预计到2026年全球氮化镓元件市场规模将增长到423亿美元，年均复合增长率约为13.5%。镓锐芯光团队是国内最早从事氮化镓基激光器研究的团队，曾先后攻破关键核心技术，研制出国内首颗氮化镓基蓝光和绿光激光器芯片，填补国内在氮化镓的蓝绿光激光器领域的空白，研发成果和技术水平国内领先、国际一流。目前该公司研制的绿光激光器光功率已达1.2W，处于国际先进水平。大功率蓝光激光器光功率已达7.5W，达到国际一流水平。

    发挥产业平台孵化功能，推进光子产业协同发展。公司入股中久大光，加大特殊科研领域深度合作。公司全资子公司通过公开增资的方式对四川中久大光科技有限公司进行投资，2023年5月29日完成增资工商变更，投资持股比例1%。公司与特殊领域行业龙头激光器企业达成深度战略合作关系，未来双方将联合研发多个重点项目，提升特殊领域研发能力。公司借力研究院产业平台孵化功能的优势，投资了苏州匀晶光电技术有限公司(以下简称“匀晶光电”)、苏州睿科晶创光电科技有限公司(以下简称“睿科晶创”)、苏州单峰光子科技有限责任公司(以下简称“单峰光子”)、武汉高跃科技有限责任公司(以下简称“武汉高跃”)及苏州镭智传感科技有限公司（以下简称“镭智传感”），不断拓宽公司的产品边界，深化技术的应用领域。匀晶光电致力于开发先进的晶体生长及加工技术，向国内外客户提供高端铌酸锂、钽酸锂系列晶体，包括光调制、光纤陀螺、光隔离器、光学低通滤波片用光学级双面抛光LiNbO3晶片等；睿科晶创主要从事光学超晶格频率转换器件，扩展激光器包括半导体激光器的频率，使激光器适于更多的应用场景，具备成本低、体积小、可靠性高等优点。单峰光子主营业务为激光传感和精密测量领域的半导体激光芯片研发、生产与销售，其产品可应用于原子钟、磁力计、气体传感、量子传感等高端领域；武汉高跃专注于半导体光电器件的研发与生产，主营产品包括窄线宽激光器、大功率半导体激光器、TO封装激光器等，广泛应用于激光雷达、气体检测、光纤传感等领域；镭智传感致力于激光传感器研发生产和销售，其核心技术为调频连续波（FMCW）相干检测激光雷达。

    投资成立苏州惟清半导体有限公司，布局高端功率器件方向。公司为进一步完善产业布局，为抢抓电动汽车等新能源行业快速发展的全球市场机遇，实现高端功率器件等核心产品技术的国产自主可控，2023年9月28日，公司全资子公司苏州长光华芯半导体激光创新研究院有限公司与清纯半导体（宁波）有限公司合资成立苏州惟清半导体有限公司（以下简称“惟清半导体”），该公司注册资本10000.00万元，公司出资2900.00万元，占股29%。2024年7月25日，为推动高端功率器件项目实现2025年通线目标，研究院向惟清半导体增资10000.00万元，增资完成后，公司占股31.61%。

    5、国产替代与海外拓展并驾齐驱。随着外部环境的持续变化，公司作为多年深耕高功率激光半导体的头部公司，将继续加大国产替代进程。同时，现在是开拓海外市场的机遇期、窗口期，公司将进一步布局海外市场。海外业务的持续延展将为业绩提升提供有力支持。

    6、完善内部控制，提升公司治理水平。报告期内，公司不断完善内控流程体系，通过内部培训以及企业价值观建设，进一步优化各项制度流程，提升公司运营效率和治理水平。公司严格按照各项法律法规的要求，认真履行信息披露义务，确保信息披露及时、真实、准确和完整。

    四、报告期内核心竞争力分析

    (一)核心竞争力分析

    1.核心技术优势

    公司核心技术覆盖半导体激光行业最核心的领域，包括器件设计及外延生长技术、FAB晶圆工艺技术、腔面钝化处理技术以及高亮度合束及光纤耦合技术等。

    公司通过非对称的波导结构设计，让有源层更靠近p型限制层，且p型限制层的折射率大于n型限制层，在不改变光场模式曲线的情况下，实现对有源层光场限制因子及内部损耗的独立优化。采用大光腔结构，改善了近场模式和远场输出特性；增大发光面积，相对减小输出光功率密度，在增加输出功率的同时保证器件寿命。

    公司采用分布式载流子注入技术，通过图形化电极实现载流子的调制注入，平衡半导体激光器因为前后端面因反射率差异而出现的纵向载流子非均匀分布，解决半导体激光器在大功率工作条件下因载流子分布不均匀所导致的纵向空间烧孔效应，最终实现大功率工作条件下的载流子平衡均匀分布，进一步提升半导体激光器的输出功率。

    公司采用自主创新的腔面钝化和窗口制备方案，制备高稳定性及高重复性的宽带隙腔面无吸收窗口结构，大幅降低了激光器腔面的激光吸收从而减少热量产生，提高芯片抗损伤阈值，最终实现芯片输出功率及可靠性的提升。

    公司研究的多有源区级联的半导体激光器中，让各个小数量的量子阱堆叠，分布在周期性光场的每一个峰的中心，每一组量子阱堆叠所占据的都是更靠近光场峰值的位置，增加了腔内增益，降低了器件的阈值，并不会增加材料的内损耗，从而提高了激光器的功率和效率。

    公司采用体光栅分布式外腔反馈技术研制高亮度波长锁定激光源。利用半导体激光芯片与外部光学系统构成谐振腔，每个激光单元振荡波长均与器件选择性反馈波长相匹配，所有激光单元保持输出波长一致性，从而实现波长锁定，由此技术研制的高亮度光纤耦合模块具有高亮度和输出波长稳定等优点。

    2.研发及制造工艺平台优势

    公司已建成2吋、3吋、6吋半导体激光芯片量产线，拥有了一套从外延生长、晶圆制造、封装测试、可靠性验证相关的设备，并突破了晶体外延生长、晶圆工艺处理、封装、测试的关键核心技术及工艺。目前6吋量产线为该行业内最大尺寸的产线，相当于是硅基半导体的12吋量产线。大部分工艺环节达到了生产自动化，实现了高功率半导体激光芯片的研制和批量投产，芯片功率、效率、亮度等重要指标达到国际先进水平。

    公司采用IDM模式进行半导体激光芯片的研发、生产与销售，掌握半导体激光芯片核心制造工艺技术关键环节，构建了GaAs（砷化镓）、InP（磷化铟）、GaN（氮化镓）三大材料体系，建立了边发射和面发射两大工艺技术和制造平台，具备各类衬底的半导体激光芯片的制造能力。

    3.专业人才优势

    公司深耕半导体激光芯片领域多年，核心技术人员均在激光行业拥有多年的技术研发及运营管理经验，并且高度重视聚集和培养专业人才，在对未来市场发展方向谨慎判断的基础上，针对性地引入专业人才。目前，公司已构建一批高层次的人才队伍，包括多名国家级人才专家、省级领军人才等。公司团队多次获得国家、省市区重大创新团队和领军人才殊荣，承担多项国家级及省级重大科研项目。

    公司始终以自身平台为基础，旨在培养一支新成长技术力量，并与四川大学、国内某高校、南京激光先进研究院、东南大学、中科院苏州纳米所等国内高等学府和科研院所，签订产学研合作协议，建立联合实验室，推进高功率半导体激光芯片制造技术、封装技术、光学合束技术及光纤耦合技术等各个层面上的激光技术深入研究，进一步打造一支在国际上有较大影响力的专业技术团队。

    4.资本平台优势

    公司的全资子公司苏州半导体激光创新研究院，一方面承担研发职能，例如激光创新研究院与中科院苏州纳米所合作成立“氮化镓激光器联合实验室”；另一方面该机构也是新型半导体材料相关的孵化和直投机构，有望为公司发展新型半导体材料发挥助力作用。

    对于非公司体内业务或较为长期的布局业务，公司则推动成立光子产业基金用以带动社会资本，发挥杠杆效应。公司作为光子产业发起及骨干公司推动成立了太湖光子中心。

    产业链协同方面，公司通过参股公司等方式运作。例如：公司持股18.13%的公司华日精密主要经营固体及超快激光器，应用在精密微加工领域，与公司形成良好的产业链协同效应。合作成立镓锐芯光等公司符合公司“一平台”发展战略的战略需求和重要实践，进一步拓展了公司半导体激光器芯片的材料体系、波谱范围和市场应用。目前公司已拥有三大材料体系，IDM平台效应优势已逐步显现。

    5.产品可扩展性优势

    公司具备技术平台后，未来应用层面可以横向扩展，而在最擅长的高功率领域则可以深挖打通产业链，实现纵向扩展。在现有材料技术平台上即可进行应用扩展，从大功率市场走向小功率信号市场；其次，新的氮化镓平台开发完成后，可以直接打开可见光激光市场乃至部分无线通信、电功率芯片市场；现有材料平台中，磷化铟平台主要面向光通信，包括发射端和接收端，目前公司已经在两端均提供了量产产品，且未来产品线有望进一步丰富。砷化镓平台方面，公司也已经推出各种信号处理方向产品，目前产品主要集中在激光雷达与3D传感器的发射端，包括消费电子使用的结构光探测器VSL（VCSELStructuredLight）系列、车载激光雷达使用的75WVCSELVLR系列等。

    6.客户资源优势

    公司凭借先进的半导体激光芯片技术水平及制造工艺，公司产品质量、性能及可靠性得到客户的认可，已具备向多元化应用市场及多层级行业客户提供产品的能力。半导体激光芯片的导入需要经过下游客户的性能、可靠性等验证通过，验证周期较长，下游客户更换芯片供应商的成本也较高，双方之间的合作绑定较为紧密。凭借深厚的研发实力、持续的创新能力，在工业激光器、激光加工设备等领域，公司积累了行业龙头及知名企业客户。同时，在高能激光器的应用方面，公司为高功率光纤激光器和高功率全固态激光器提供泵浦源，广泛服务于多家国家级骨干单位。

    (三)核心技术与研发进展

    1、核心技术及其先进性以及报告期内的变化情况

    1.势核心技术优势

    公司核心技术覆盖半导体激光行业最核心的领域，包括器件设计及外延生长技术、FAB晶圆工艺技术、腔面钝化处理技术以及高亮度合束及光纤耦合技术等。

    公司通过非对称的波导结构设计，让有源层更靠近p型限制层，且p型限制层的折射率大于n型限制层，在不改变光场模式曲线的情况下，实现对有源层光场限制因子及内部损耗的独立优化。采用大光腔结构，改善了近场模式和远场输出特性；增大发光面积，相对减小输出光功率密度，在增加输出功率的同时保证器件寿命。

    公司采用分布式载流子注入技术，通过图形化电极实现载流子的调制注入，平衡半导体激光器因为前后端面因反射率差异而出现的纵向载流子非均匀分布，解决半导体激光器在大功率工作条件下因载流子分布不均匀所导致的纵向空间烧孔效应，最终实现大功率工作条件下的载流子平衡均匀分布，进一步提升半导体激光器的输出功率。

    公司采用自主创新的腔面钝化和窗口制备方案，制备高稳定性及高重复性的宽带隙腔面无吸收窗口结构，大幅降低了激光器腔面的激光吸收从而减少热量产生，提高芯片抗损伤阈值，最终实现芯片输出功率及可靠性的提升。

    公司研究的多有源区级联的半导体激光器中，让各个小数量的量子阱堆叠，分布在周期性光场的每一个峰的中心，每一组量子阱堆叠所占据的都是更靠近光场峰值的位置，增加了腔内增益，降低了器件的阈值，并不会增加材料的内损耗，从而提高了激光器的功率和效率。

    公司采用体光栅分布式外腔反馈技术研制高亮度波长锁定激光源。利用半导体激光芯片与外部光学系统构成谐振腔，每个激光单元振荡波长均与器件选择性反馈波长相匹配，所有激光单元保持输出波长一致性，从而实现波长锁定，由此技术研制的高亮度光纤耦合模块具有高亮度和输出波长稳定等优点。

    2.势研发及制造工艺平台优势

    公司已建成2吋、3吋、6吋半导体激光芯片量产线，拥有了一套从外延生长、晶圆制造、封装测试、可靠性验证相关的设备，并突破了晶体外延生长、晶圆工艺处理、封装、测试的关键核心技术及工艺。目前2吋量产线主要用于公司新方向氮化镓，3吋量产线为半导体激光行业内的主流产线规格，而6吋量产线为该行业内最大尺寸的产线，相当于是硅基半导体的12吋量产线。

    大部分工艺环节达到了生产自动化，实现了高功率半导体激光芯片的研制和批量投产，芯片功率、效率、亮度等重要指标达到国际先进水平。

    公司采用IDM模式进行半导体激光芯片的研发、生产与销售，掌握半导体激光芯片核心制造工艺技术关键环节，已建成2吋、3吋及6吋半导体激光芯片量产线，构建了GaAs（砷化镓）、InP（磷化铟）、GaN（氮化镓）三大材料体系，建立了边发射和面发射两大工艺技术和制造平台，具备各类以GaAs（砷化镓）、InP（磷化铟）、GaN（氮化镓）为衬底的半导体激光芯片的制造能力。

    3.势专业人才优势

    公司深耕半导体激光芯片领域多年，核心技术人员均在激光行业拥有多年的技术研发及运营管理经验，并且高度重视聚集和培养专业人才，在对未来市场发展方向谨慎判断的基础上，针对性地引入专业人才。目前，公司已构建一批高层次的人才队伍，包括多名国家级人才专家、省级领军人才等。公司团队多次获得国家、省市区重大创新团队和领军人才殊荣，承担多项国家级及省级重大科研项目。

    公司始终以自身平台为基础，旨在培养一支新成长技术力量，并与四川大学、国内某高校、南京激光先进研究院、东南大学、中科院苏州纳米所等国内高等学府和科研院所，签订产学研合作协议，建立联合实验室，推进高功率半导体激光芯片制造技术、封装技术、光学合束技术及光纤耦合技术等各个层面上的激光技术深入研究，进一步打造一支在国际上有较大影响力的专业技术团队。

以上内容为证券之星据公开信息整理，由AI算法生成（网信算备310104345710301240019号），不构成投资建议。