新洁能（605111）2025年半年度管理层讨论与分析

证券之星消息，近期新洁能（605111）发布2025年半年度财务报告，报告中的管理层讨论与分析如下：

发展回顾：

一、报告期内公司所属行业及主营业务情况说明

    1、主营业务

    公司的主营业务为MOSFET、IGBT等半导体芯片、功率器件和功率模块的研发设计及销售。公司凭借多年技术积累及持续自主创新，在国内率先构建了IGBT、屏蔽栅MOSFET（SGTMOSFET）、超结MOSFET（SJMOSFET）、沟槽型MOSFET（TrenchMOSFET）四大产品工艺平台，并已陆续推出车规级功率器件、SiCMOSFET、GaNHEMT、功率模块、栅极驱动IC、电源管理IC、IPM智能功率模块、MCU等产品，可全面对标国际一线大厂主流产品并实现大量替代。公司产品技术先进且系列齐全，目前产品型号近4000款，电压覆盖12V~1700V全系列，重点应用领域包括新能源汽车及充电桩、光伏储能、AI服务器和数据中心、无人机、工控自动化、消费电子、5G通讯、智能机器人、智能家居、安防、医疗设备、锂电保护等十余个长期被欧美日功率半导体垄断供应的行业。

    2、经营模式

    公司的芯片产品主要由公司完成产品设计方案后，交由芯片代工企业进行生产；功率器件产品主要由公司通过子公司以及委托外部封装测试企业对芯片进行封装测试而成。公司全资子公司电基集成已建设先进封测产线并持续扩充完善，目前已实现部分芯片自主封测并形成特色产品；子公司金兰半导体已建成先进功率模块生产线，以满足光伏储能、汽车、工控等重点应用领域客户的需求。

    3、行业情况

    （1）所处行业

    公司主要供应高性能、高质量、高可靠性“硅基、化合物”半导体功率器件、集成电路及模块产品，根据中华人民共和国统计局发布的《国民经济行业分类》（标准编号：GB/T4754-2017），公司所处行业属于“计算机、通信和其他电子设备制造业（C39)”大类下“半导体分立器件制造（3972）”；根据证监会《上市公司行业分类指引》（2012年修订），公司所处行业为“C39计算机、通信和其他电子设备制造业”。

    功率半导体是电子装置电能转换与电路控制的核心，在电路中主要起着功率转换、功率放大、功率开关、线路保护、逆变（直流转交流）和整流（交流转直流）等作用。随着国家对电能替代和节能改造的推进，迫切需要高质量、高效率的电能，目前世界上大多数电能是经过功率半导体处理后才能使用，这一比例还将进一步扩大。

    功率半导体自诞生以来经过七十多年的研究应用，从基材的迭代、结构设计的优化、先进封装形式、大尺寸晶圆的应用等多个方面进行技术创新，演进的主要方向为更高的功率密度、更小的体积、更低的功耗及损耗，其结构设计朝着理想目标不断改进，以适应更多应用场景的需要。据Yole数据，功率半导体器件每隔二十年将进行一次产品迭代，相比其他半导体，迭代周期相对慢，每一代芯片都拥有较长的生命周期。

    发展至今，功率半导体已拥有较好的国内产业链基础和相对成熟的技术，中低端国产功率半导体产品已形成规模化、国产化，从依赖进口转变为国内自给自足。在中高端领域，如SGT-MOSFET、SJ-MOSFET、IGBT、化合物半导体等，由于起步晚、设计门槛高、工艺相对复杂以及缺乏验证机会等原因，国内厂家依然在追随海外厂家技术发展路线。新洁能从成立之初即基于全球半导体功率器件先进理论技术开发先进产品，成为国内中高端器件的领军企业，专注于产品设计与推广，精准把握市场需求和供应节奏，与国际一流代工厂长年紧密合作，在产品设计、工艺融合优化、产品规划、产能调配等方面达到了优秀水平。

    （2）市场规模分析

    根据世界半导体贸易统计（WSTS）组织预测，2024年全球半导体销售额将同比增长13.1%，到2025年，全球销售额预计将达到6972亿美元，同比增长11.2%，从地区来看，亚太地区预计增长10.4%。Gartner则预测全球半导体收入预计将在2025年增长14%，达到7170亿美元。功率半导体的市场规模在全球半导体行业的占比在8%—10%之间，结构占比保持稳定。半导体功率器件几乎用于所有的电子制造业，包括计算机、网络通信、消费电子、汽车电子、工业电子等电子产业，新兴应用领域如新能源汽车/充电桩、数据中心、风光发电、储能、智能装备制造、机器人、5G通讯的快速发展也拉动了功率器件市场的增长，因此行业周期性波动较弱，全球功率半导体市场规模稳步增长。根据Omdia的数据及预测，2023年全球功率半导体市场规模达到503亿美元，预计2027年市场规模将达到596亿美元；根据中商产业研究院预测数据，2024年中国功率半导体的市场规模达到238亿美元，其中功率IC市场占54.3%，MOSFET占16.4%，功率二极管占比14.8%，IGBT占比12.4%。中国作为全球最大的功率半导体消费国，未来市场发展前景良好。

    ①按产品品类

    功率半导体按器件集成度可以分为分立器件（含模块）、功率模块和功率IC三大类。其中，功率半导体分立器件，按照器件结构划分，可分为二极管、功率三极管、晶闸管、MOSFET、IGBT、SiC/GaN等，其中以MOSFET、IGBT、SiCMOSFET为代表的功率器件需求旺盛。

    ②按应用领域

    随着新能源汽车和充电桩、AI算力服务器及数据中心、智能机器人、光伏及储能、无人机、5G、物联网等新兴市场为功率半导体行业带来新的应用场景和需求，工业自动化、消费电子等支柱行业的稳步发展，作为终端产品核心元器件的高性能功率器件使用需求势必不断增加。

    新能源汽车及充电桩

    汽车产业是我国国民经济发展的重要支柱产业，加速新能源汽车创新和开发是汽车产业的重点发展方向，我国新能源汽车产业链逐渐成熟。据中国汽车工业协会分析，2025年上半年我国汽车产销量首次双超1500万辆，均同比实现两位数增长，汽车产业活力持续释放，对拉动市场整体增长贡献显著。随着一系列政策的出台落地，政策组合效应不断释放，多措并举共同激发了车市终端的消费活力，此举将进一步释放汽车市场的消费潜力。中汽协数据显示，2025年1-6月，汽车产销分别完成1,562.1万辆和1,565.3万辆，同比分别增长12.5%和11.4%。其中，新能源汽车产销分别完成696.8万辆和693.7万辆，同比分别增长41.4%和40.3%，新能源汽车新车销量达到汽车新车总销量的44.3%。汽车出口方面，2025年1-6月，汽车整车出口308.3万辆，同比增长10.4%，新能源汽车出口106万辆，同比增长75.2%。预计至2025年末，我国汽车市场将继续呈现稳中向好发展态势，汽车产销将继续保持增长，新能源汽车成为引领我国汽车产业转型的重要力量，汽车电子需求旺盛，MOSFET作为汽车功率器件中的重要组成部分，亦将迎来广阔的应用空间。

    随着新能源汽车迎来大发展，汽车对芯片的需求量在不断增加。从基本的电力系统控制到无人驾驶技术、高级驾驶辅助系统和汽车娱乐系统，都对电子芯片有着极大的依赖。电能取代燃油成为汽车驱动的能量来源，功率半导体作为实现电能转换的核心器件，新能源车功率器件单车用量约为传统燃油车的2至3倍。根据YOLE报告显示，汽车上的半导体器件市场规模将从2023年的520亿美元增长到2029年的970亿美元，2023年每辆汽车的半导体器件价值约为600美元，到2029年将增长到约1,000美元。中汽协提供的数据显示，传统燃油车所需汽车芯片数量为600至700颗，而电动车所需的汽车芯片数量将提升至1,600颗/辆，更高级的智能汽车对芯片的需求量或将有望提升至3,000颗/辆。电机驱动、照明、热管理、电动汽车主驱逆变器、DC/DC、升压器和OBC（车载充电器）等产品将依据各自的工作功率大小，选择不同的功率半导体器件，高、中、低压硅基MOSFET、IGBT和SiCMOSFET均有广泛使用。根据ICWISE的数据，车用MOSFET的增速将在未来中短期内总体高于行业整体的增速，成为支撑MOSFET行业的中坚力量，预计到2026年，车用MOSFET在MOSFET领域的占比将提升至34%。

    充电桩是推动汽车电动化的基础设施，新能源汽车的高速增长的态势，也带动充电桩产业步入快速发展期，全国各地充电桩建设正在提速。中国电动汽车充电基础设施促进联盟发布的报告显示，2025年1-6月，全国充电基础设施新增328.2万个，跟去年同期比，涨幅高达99.2%，公共充电桩2025年上半年新增51.7万个，同比增长30.6%，私人充电桩新增276.5万个，同比增长120.8%。适合公路场景的“超快充、大功率”充电设施成为发展方向，对充电桩的功率密度、电能转换效率、工作温度、可靠性提出更高要求。从直流充电桩相关零部件分解可以看出，充电机是充电桩的最核心部件，成本占充电桩的50%以上，而功率半导体是充电机的最核心组成部分，成本占充电机的一半以上。

    AI算力服务器及数据中心

    随着5G网络商用的持续推进，云计算、大数据、人工智能等新一代技术的快速演进，智慧城市、数字政府、工业互联网等应用的迅速发展，数据中心作为数据存储和计算的信息基础设施，其需求也将同步持续增长。IDC预计，全球对于数据中心的建设投资将保持加速增长状态，从建设数量来看，2022—2026年，全球新建数据中心数量将以8.6%的年复合增长率（CAGR）增长。

    受益于“互联网+”、大数据战略、数字经济等国家利好政策的驱动，超大规模数据中心、传统企业以及用户对AI、混合云等新兴应用的采购需求更趋旺盛，为服务器、集成电路等相关产业带来发展机遇。国内外厂商加速布局千亿级参数量的大模型，训练需求及推理需求高速增长，共同驱动算力革命，并助推AI服务器市场及出货量高速增长。据IDC与浪潮信息的数据显示，2023年全球AI服务器市场规模为211亿美元，预计2026年达347亿美元，5年CAGR达到17.3%；预计2025年中国AI服务器市场规模达到103.4亿美元。

    以SGTMOSFET、SJMOSFET、GateDriver、DrMOS为代表的功率半导体在服务器电源供电、CPU/GPU主板供电、同步整流、PFC、LLC、散热等服务器重要部件中有广泛应用，服务器电源对硅的替代也取得了进展。目前国产服务器厂商在全球市场份额占比超35%，其市场规模及占有率的提升给中高端国产功率器件带来广阔空间。

    工控自动化：细分领域迎来爆发式发展

    根据TrendForce统计，全球功率半导体下游应用中，消费电子占比36%，是功率半导体最大的应用领域，该领域涉及细分行业广泛，2025年无人机、智能机器人、电动工具等细分领域迎来高速增长。

    2024年以来，随着中央及地方关于低空经济的行业支持政策密集出台，无人机(消费级、工业级)、直升机、eVTOL(电动垂直起降飞行器)等低空经济相关产品迎来了更广阔的市场前景。根据PrecedenceResearch预计，2032年全球eVTOL市场规模将达到357.9亿美元左右，2022-2032年10年复合增长率为12.4%。作为电能转换与电路控制的核心部件，低空经济对功率半导体提出了高能量密度、轻量化、高安全、超级快充的需求，公司与布局低空经济产业的相关客户形成合作，公司的MOSFET产品在无人机BMS、电驱等核心部件中均有应用，部分客户已经实现大批量销售。公司紧抓行业机会，持续稳定提供高可靠性的产品，与头部客户进一步深化合作。

    智能机器人广泛应用于工业、服务、家庭、医疗等多个领域，从工业生产线到家庭服务，从医疗手术到太空探索，智能机器人正以惊人的速度重塑人类生产与生活方式。我国智能机器人产业正在蓬勃发展，凭借政策支持、技术创新和庞大的市场需求，迅速跻身全球科技竞争的前沿阵地。2025年第二届中国人形机器人与具身智能产业大会上发布的《2025人形机器人与具身智能产业研究报告》显示，本年度中国具身智能市场规模预计达52.95亿元，占全球约27%；人形机器人市场规模预计达82.39亿元，占全球约50%。2025年，智能机器人产业迎来技术突破与规模化落地的关键节点。根据该报告，2025年，人形机器人产业有望从“技术验证期”向“规模化商用期”快速过渡。随着成本下探与生态完善，产业有望复制新能源汽车发展路径，成为中国经济新增长极。2025年，全球具身智能市场规模预计达195.25亿元，2030年预计达2326.3亿元，复合年增长率(CAGR)达64.18%。目前公司已有多款产品进入智能机器人、机器狗等应用中，并获得头部客户的认可及批量订单，公司持续加强新品对应，紧跟客户新需求，推动该领域销售进一步提升。目前公司的MOSFET、IGBT等产品广泛应用于机器人多个细分领域，如工业机器人、水下机器人、智能家居机器人、机器狗等，其他多个机器人领域客户正在积极拓展中。

    在工业生产中，功率半导体在变频器、工业电源、电机控制等应用中扮演着核心角色，可以精确控制电机的速度和扭矩，从而实现节能和提升效率。通过使用IGBT和MOSFET等功率半导体组件，这些应用不仅提高了能源使用效率，而且还优化了运行性能。

    光伏储能：库存改善、市场回暖

    随着全球制定“碳达峰、碳中和”目标，带来了更多绿色能源发电、储能需求，我国能源绿色低碳转型步伐不断加快，尤其是以光伏为代表的新能源产业。据中国光伏行业协会预测，2025年全球需求约570-630GW。国家能源局的政策支持以及光伏产业链价格的触底反弹，进一步刺激了企业的装机积极性。为把握430和531两大政策节点，终端市场启动抢装潮，带动4-5月国内新增光伏装机规模节节高升。2024年中央经济工作会议提出，综合整治"内卷式"竞争,工信部在2024年11月份发布了《光伏制造行业规范条件（2024年本）》，光伏行业破内卷，需要将限制价格、控制产能与提升品质相结合，通过产业升级逐渐淘汰落后产能，提升行业利润率，促进良性循环发展。随着技术进步和政策支持，光伏行业有望继续保持健康平稳增长。

    中国是全球最大的光伏市场，中国光伏企业在国际市场上竞争优势明显，出口量持续增长。作为光伏发电系统的核心设备，逆变器的作用是将光伏组件产生的直流电转换为满足电网要求的交流电，是光伏系统中重要的平衡系统部件之一。尽管逆变器海外市场受库存积压、政策及经济形势波动的影响，导致不确定性和贸易性较高，但我国逆变器企业正加快拓展海外市场。目前欧洲仍是主要需求地区，去库进入尾声，中东、非洲、拉美等新兴市场表现亮眼，成为了我国逆变器企业出海的重要目的地。2025年上半年，光伏市场回暖，亚非市场增长强劲，欧洲需求回调，逆变器出口韧性显现。

    IGBT器件及模块、中高压MOSFET、碳化硅等功率器件是光伏逆变器的核心零部件，在逆变器中承担着功率变换和能量传输的作用，决定着光伏逆变器的性能高低，直接影响光伏系统的稳定性、发电效率以及使用寿命，是逆变器的心脏，其市场规模将随下游装机量增加同步增长。IGBT单管及模块占光伏逆变器价值量的15%至20%，不同的光伏电站需要的IGBT产品略有不同，如集中式光伏主要采用IGBT模块，而分布式光伏主要采用IGBT单管或模块。

    泛消费及其他市场稳步增长

    功率半导体广泛应用于各种消费电子及智能家居产品中，比如电机驱动、电源适配器、电源供应器和LED照明系统。在家庭中，从微波炉到电磁炉，再到洗衣机等各种家用电器，都需要依赖功率半导体来控制电力的使用，控制和转换电力，以满足这些设备对电能的精确要求，而且能够提高能效和减少待机能耗。根据TrendForce统计，全球功率半导体下游应用中，消费电子占比19%，其巨大市场规模成为功率半导体稳定的基本盘。

    2024年7月25日，国家发展改革委、财政部印发《关于加力支持大规模设备更新和消费品以旧换新的若干措施》的通知，文件提出统筹安排3000亿元左右超长期特别国债资金，加力支持大规模设备更新和消费品以旧换新。加大设备更新支持力度方面，提出将支持范围扩大到能源电力、老旧电梯等领域设备更新以及重点行业节能降碳和安全改造，并结合实际动态调整；提高农业机械报废更新补贴标准；提高设备更新贷款财政贴息比例。加力支持消费品以旧换新方面，提出支持地方提升消费品以旧换新能力；提高汽车报废更新补贴标准；支持家电产品以旧换新；落实废弃电器电子产品回收处理资金支持政策。在国家政策的催化下，消费品领域的市场空间有望进一步释放，有望持续带动功率半导体应用规模的提升。

    二、经营情况的讨论与分析

    报告期内，公司共实现营业收入92,970.31万元，较去年同期增长了6.44%；利润总额26,755.02万元，较去年同期增加了8.92%；归属于上市公司股东的净利润23,512.05万元，较去年同期增长了8.03%。

    2025年第二季度，公司实现营业收入48,066.35万元，环比第一季度增长7.04%；实现归属于上市公司股东的净利润12,685.05万元，环比第一季度增长17.16%。

    （一）市场营销

    近两年来，随着半导体国产化进程的持续进行，叠加新能源汽车、AI算力、机器人等新兴应用市场的需求驱动，公司所处行业的部分下游领域景气度有所回暖，国产功率半导体的市场份额逐步提升，库存结构亦得到显著优化，行业整体已逐步走出周期性低谷。然而，从竞争角度来看，市场的竞争激烈程度进一步加剧，一方面国际厂商积极调整策略参与国内市场竞争以期保障市场份额，另一方面国内同行以内卷价格的方式努力扩大自身销售规模，整体来看目前仍然供大于需。

    面对机遇与挑战并存的市场环境，公司积极应对变化，响应客户需求，并着力开拓更多的新市场与新客户资源。依托技术领先优势、丰富的产品矩阵以及高效的产业链协同，公司持续优化产品、市场及客户结构，产品已成功导入新能源汽车及充电桩、AI服务器与数据中心、机器人、无人机、光伏储能等战略领域的头部客户并实现量产销售，进一步扩大了在中高端市场的应用规模与品牌影响力。

    此外，公司全球化战略取得重要进展。新加坡研发及销售中心已于上半年正式投入运营，并已开始服务海外客户。该中心的设立为公司深化全球化布局、促进产品升级迭代、拓展海外销售渠道以及有效应对国际贸易政策风险奠定了坚实基础。

    产品结构方面：

    （1）SGT-MOSFET产品：为公司中低压产品中替代国际一流厂商产品料号最多的产品工艺平台，也是公司综合竞争力最强、销售基数最大、客户群体最多的产品平台。2025年以来，公司SGT第三代产品全系列已成功推向市场，广泛应用于汽车电子（含车舱域控制器、油泵/水泵控制器、智能辅助驾驶系统）、AI算力与大功率数据中心、通讯电源、无人机、电机控制、工业电源以及新一代高功率密度电动工具等战略领域。报告期内，汽车电子、储能、无人机、电动工具、AI算力服务器等下游领域的需求持续释放，订单保持增长态势。公司积极把握市场机遇，通过深入市场调研，强化销售前端与研发、运营部门的高效协同，动态优化产品及市场策略，并适时扩充产能以保障产品供应。得益于此，公司SGT-MOSFET产品2025年上半年实现销售收入4.19亿元，占主营业务收入比例达45.21%。

    （2）IGBT产品：光伏与储能市场为公司IGBT产品的主要应用领域，公司自2024年起持续加强IGBT产品在汽车电子、变频家电及工业控制等领域的市场推广力度，进一步扩大产品的应用范围以相应提高销售规模。2025年上半年，全球光储市场呈现差异化增长态势：一方面，主要客户积极推进机型迭代及新产品开发；另一方面，原有成熟产品市场需求逐步回暖，尤其是受国家光伏储能并网发电政策推动，市场需求一度出现短期集中释放。目前，公司第七代IGBT产品已进入批量供货阶段，并在光储、工业变频、伺服驱动等领域获得客户认可，形成一定销售规模。报告期内，公司IGBT产品实现销售收入人民币1.32亿元，占主营业务收入比例为14.26%。展望下半年，随着光伏储能市场的持续回暖，以及第七代IGBT产品在更多客户处完成验证并实现量产，预计公司的IGBT产品销售将呈现稳步回升态势。

    （3）SJ-MOSFET产品：公司的SJMOSFET产品广泛应用于家电、汽车车载充电器（OBC）、充电桩、微型逆变器、移动储能、AI服务器电源、工业电源及消费电子等多个领域。2025年上半年，公司在消费类家电、照明等市场实现第四代SJMOSFET产品的快速放量，凭借产品优势持续扩大市场份额。同时，积极加大在汽车OBC、移动储能、服务器电源等应用领域的产品市场推广力度，相关销售取得积极进展。报告期内，公司的SJMOSFET产品实现销售收入1.04亿元，占主营业务收入比例为11.21%。

    （4）Trench-MOSFET产品：TrenchMOSFET作为公司最早量产的成熟工艺平台，具有应用领域广泛、客户基础稳固的优势，在智能家居、电动工具、消费电子、工业控制等市场占据重要地位，并在光伏储能、汽车电子等领域实现了多款产品的成功导入与量产销售。但同时，TrenchMOSFET市场竞争亦最为激烈，2025年上半年，公司积极应对市场竞争态势，动态调整产品销售策略，在稳固现有市场地位的基础上寻求更多市场机会。报告期内，TrenchMOSFET产品实现销售收入2.50亿元，占主营业务收入比例为26.95%，同期产品销量实现了5.7%的同比增长。展望下半年，公司将通过协同研发加快新品推广、优化运营降低成本，积极把握市场机遇，推动TrenchMOSFET产品全年销售的稳定增长。

    市场结构和客户结构方面：

    报告期内，公司持续深耕现有市场，着力提升市场份额，并加大对潜在客户的开发力度。通过深度挖掘客户需求，加速推动潜在客户的验证导入及量产进程。公司坚持“国内市场为主、海外市场为辅”的双轮驱动的市场战略：一方面深化与国内行业头部客户的战略合作；另一方面以新加坡子公司为核心枢纽，稳步推进全球化布局，积极拓展海外市场，提升品牌影响力及市场份额。

    汽车电子领域：截至目前，公司已推出300余款车规级MOSFET产品，报告期内出货量达8,500万颗，产品覆盖汽车电子车身控制域、智能信息域、辅助驾驶域、动力域及底盘域全域控，广泛应用于OBC、DC转换、底盘控制、辅助驾驶等汽车重要模块。同时，公司IGBT产品于报告期内成功导入汽车主控制器应用，并实现月度批量交付。凭借连续多年的高质量稳定交付，公司产品已获得比亚迪、联合电子、伯特利、阳光电动力、威睿等头部车企TIER1&TIER2供应商的高度认可。公司目前重点布局800V高压平台及48V车载系统，车规级SiCMOSFET产品预计将于2025年第四季度实现量产。

    工业自动化领域：报告期内，公司相关产品在无人机、电动工具、智能机器人等领域实现高速增长。公司前瞻性布局低空经济产业客户（如大疆等），MOSFET产品作为电能转换与电路控制的核心器件，已广泛应用于无人机电池管理系统（BMS）、电驱动系统等核心部件。伴随智能机器人市场的快速发展与应用场景的消费化落地，公司多款产品已成功导入机器人关节电机驱动系统，并实现对宇树科技等头部客户的批量供货。公司将持续开发适配机器人应用的产品，紧密跟进客户需求迭代，推动该领域销售规模持续提升。

    AI算力及通信领域：2025年初Deepseek等AI应用引爆大模型热潮，在AI应用需求激增的推动下，全球半导体行业保持增长态势，国内外众多厂商加速布局千亿级参数大模型。公司紧跟行业发展趋势，一方面在传统服务器电源客户中稳步扩大份额；另一方面，凭借迭代的高性能、高性价比产品，成功导入国内外新兴AI算力服务器客户，并实现海内外市场的批量销售。

    光伏储能领域：报告期内，受益于国内光伏储能行业政策激励及欧洲市场库存周期结束后的需求回暖，行业呈现复苏态势。公司秉持长期主义理念，着眼全球能源结构转型。面对光伏行业的长周期属性及当前“去产能、去库存、反内卷、格局优化”的发展阶段，公司IGBT产品精准定位于光伏应用，深度服务于阳光电源、德业股份、上能电气、固德威等头部客户。公司在该市场同时布局模块产品和大电流单管产品，以应对客户不同形态的需求。通过细分布局微型逆变器、10-50KW户用及工商业光伏储能逆变器等应用场景，公司在该领域销售额实现稳步增长。

    （二）研发创新

    2025年1-6月，公司实现研发投入5297.10万元，占营业收入的比例为5.70%。截至报告期末，公司共有专利248项，其中发明专利122项（不含已到期专利）。

    SGTMOS平台：

    （1）具有业界最小单位元胞尺寸（CellPitch）的N25V第三代SGTMOS平台完成设计，开始进行工程流片，目标市场为AI算力、大功率数据中心、PC电脑等。

    （2）具有业界最小单位元胞尺寸的N40V第三代SGTMOS平台完成平台系列化拓展，产品数量已拓展至133款，其中车规产品达到56余款。

    （3）N40V第三代SGTMOS平台还推出了sTOLL、双面散热DFN5x6先进封装产品，同时双面散热DFN3x3封装产品正在研发中。

    （4）N40V第三代SGTMOS产品主要针对汽车车舱域控、汽车油泵/水泵、智能辅助驾驶、AI算力、大功率数据中心、通讯电源、工业电源、新一代高功率密度电动工具等行业应用。

    （5）达到业界领先水平的超低特征导通电阻、高可靠性N150V第三代SGTMOS平台实现量产，并且完成车规认证，器件核心综合性能优值（FOM）较业界同规格最优竞品降低达25%以上，该平台产品已在光伏储能、无人机、工控电源领域大批量使用，同时针对新能源汽车OBC、服务器电源、植物照明等领域基本完成了整机测试。

    （6）N85V第三代SGTMOS平台量产，Rsp相较于上一代产品降低35%，器件FOM较同规格最优竞品降低达30%以上，产品在AI算力、服务器、电机驱动等行业实现批量交付。

    （7）N100V第三代SGTMOS平台量产，Rsp相较于上一代产品降低50%，器件FOM较同规格最优竞品降低达30%以上，产品在锂电保护、电机控制、短途交通等行业基本完成整机测试。

    （8）N85V和N100V第三代产品均已完成车规认证，已给多家车企及Tier1送样评测。

    （9）基于华虹12寸新产线，N100V第二代SGT平台和N80V/N100V第三代SGT平台均已完成技术转移。

    TrenchMOS平台：

    （1）基于8寸平台具有创新结构的（后续简称TTO结构）高可靠性P30V~200V产品平台，已frozenP60V、P100V和P150V及以上工艺和designrule&P60V-200V，可靠性能满足车规要求。

    （2）P60V已tapeout3颗系列产品，P100V已tapeout6颗系列产品，P150V和P200V各已tapeout2颗。

    （3）完成TTO结构P250V~300V工艺平台模拟和初步design，后续将E-tapeout并工程流片。

    （4）TTO结构N200V工程批已产出，基本功能达成，需进一步优化工艺窗口等后续再衍生N100~150V产品。

    （5）超高元胞密度（0.55umCellPitch）第七代N沟道12V~20V产品平台工艺固化产品均已量产。

    （6）现有世代CSP产品平台计划新开穿戴设备用系列产品；新一代CSP产品已完成工艺和design定型，后续投工程批流片验证。

    （7）基于12寸平台0.9umpitch含超短沟N40工艺平台已完成开发，系列产品已tapeout4套；60V产品需进一步优化EPI条件等已达成更优Rsp水平。

    （8）具有超高元胞密度（0.65umCellPitch）第六代N沟道20V~60V含超短沟工艺平台工艺条件已确定需进一步优化窗口。

    （9）带ESD的N30V工艺平台工程批产出，参数基本达成，ESDHBM达到5KV满足器件要求，目前优化良率中。

    IGBT平台：

    （1）12寸华虹Fab9第七代微沟槽高功率密度IGBT平台1200V产品已经完成风险批流片，产品良率达到预期水平，可靠性考核已通过，进入量产阶段。

    （2）第七代微沟槽高功率密度IGBT1200V平台增加140A产品，650V/750V平台增加120A产品，均已有样品产出，进一步丰富了大电流IGBT分立产品的产品家族，第七代产品目前在光伏、储能、电能质量、OBC、充电桩等行业都有客户进入量产。

    （3）第七代400V高短路能力低频系列IGBT产品电流规格从55A增加到最大电流240A，形成了完整的400V产品系列，主要用于马达驱动、工业变频等应用。

    （4）1200V和650V平台已经各有部分产品完成了车规认证，开始批量用于PTC、车载空调等领域。

    （5）内部开发的第八代微沟槽高功率密度IGBT平台首轮工程批芯片已产出，静态基本达到设计预期，第八代产品预计在损耗上会较第七代产品再降低10~15%，且开关特性和短路特性等会得到进一步优化。

    （6）目前同步开发650V，750V，1200V，1400V，1700V第八代IGBT平台。

    SJMOS平台：

    （1）第四代9umpitch在华虹fab9已经开始批量投产，截至目前已经完成了在fab2、fab7、fab9全面量产。

    （2）在12寸工艺平台上，基于第四代超结设计开发优化特征导通电阻（Rsp）和EMI特性的650V/360mohm产品，目前产品样品已经通过客户端验证，产品在保证温升达标的前提下，EMI性能大幅度改善，且产品成本大幅度降低，产品已经通过完整的可靠性测试。目前正在将650V和700V小电流产品全部在此平台上开发，达到降低成本，提升EMI性能的目标。

    （3）基于12寸工艺平台的第四代950V深沟槽SJMOS平台产品目前已经通过可靠性考核，正式进入量产阶段，并在此基础上，进行800V产品开发。

    （4）第五代SJMOS平台开始使用优化工艺、材料和结构设计，在12寸晶圆厂进行工程流片，首轮工程批已产出，650V特征导通电阻（Rsp）降低至0.80欧姆每平方毫米(Ω.mm2)以内，进一步提升器件功率密度，正在进行样品封装和动静态参数测试。产品成本预计降低20%，目标市场主要是对器件成本、体积和效率有要求的应用中，如大功率汽车OBC、铂金电源等。

    第三代半导体功率器件平台：

    （1）公司第二代SiCMOSFET平台已全面进入量产，电压段覆盖650V/750V/900V/1200V平台，导通电阻覆盖13mohm~160mohm，新增产品型号20余款，相关产品已通过车规级AEC-Q101可靠性考核，并通过多家头部客户测试评估，实现批量供货，主要用于光伏储能、新能源汽车充电桩、汽车OBC、工业可靠性设备、工业电源、工业自动化、家用电器等领域。

    （2）完成2.5代SiCMOSFET产品开发，新增750V/1200V/1700V电压平台，导通电阻涵盖13mohm~1ohm，新增产品型号10余款，相关产品已通过车规级AEC-Q101可靠性考核，并通过多家头部客户测试，处于小批量供货阶段。

    （3）第三代SiCMOSFET产品平台完成工艺流程设计，相关产品处于开发阶段。

    （4）同时，公司规划有和传统硅基IGBT/超结MOSFET驱动完全兼容的SiC产品，相关产品已完成工艺设计、产品设计，处于工程流片阶段。

    （5）已开发完成1200V和650VSiC二极管平台搭建，新增产品6款。

    （6）开发SiC功率模块产品2款，相关产品处于客户验证阶段。

    （7）100V/200VGaN产品开发中。

    汽车电子平台：

    （1）在40V电压段，采用公司第三代SGT晶圆的车规品已全面完成产品迭代，其中，PDFN3*3产品系列的导通电阻覆盖2mohm~12mohm，开发10款产品，8款产品量产；PDFN5*6产品系列的导通电阻覆盖0.8mohm~10mohm，开发24款产品，13款产品量产；TOLL与sToll产品系列的导通电阻覆盖0.6mohm~2mohm，开发7款产品，4款产品量产；PDFN5*6双芯产品系列导通电阻覆盖4.5mohm~13mohm，12款产品，6款产品量产。

    （2）在80V~150V电压段，针对新能源汽车48V系统应用的产品，累计开发70余款产品，累计实现量产30款。其中，TOLL、TOLT、sToLL系列产品电阻覆盖范围1mohm~3mohm，开发22款产品,量产13款；PDFN5*6、PDFN3*3系列产品电阻覆盖范围1mohm~30mohm，开发15款产品，量产5款。

    （3）先进封装顶部散热PDFN5*7系列产品，已完成产品设计，正在进行车规可靠性验证。

    （4）适用于车载信号类需求的SOT-223产品系列，已完成产品设计，正在进行车规可靠性验证。

    （5）同期，基于车规级产品质量管控需求，公司加强了车规级晶圆CP测试能力，优化了车规级晶圆CP测试中SPAT/DPAT/SBL/SYL管控规范，进一步提高了异常探测与筛选的能力，提高产品质量。

    报告期内，公司进一步加大了研发投入，积极扩充研发团队，不断通过外部引进和自主培养等方式引进和培育高端技术人才，并积极组织内部学习和培训，以进一步加强AI算力与数据中心、新能源光储充、汽车电子、工业自动化等下游应用相关产品的开发力度。

    （三）生产运营

    报告期内，公司的生产运营工作始终围绕整体经营目标进行。随着市场环境的回暖，上游晶圆产能趋于紧张，公司的运营部门持续做好供应链协调工作，确保公司供应链稳定供货，业务量维持了稳健增长。同时，公司确保了芯片代工、封装测试等各个环节的产销衔接及产能调配，目前与十余家封测领域供应商保持了良好合作关系，为后续进一步扩大规模实现了供应保障。

    报告期内，芯片代工供应稳定，芯片回货量稳步增长，在华虹FAB9厂12寸工艺平台顺利通线并实现批量投片；FRD、SiCMOSFET等产品实现批量生产；进行封装资源整合，维护现有供应链完整的同时，针对客户特定需求，及时开发符合要求的封装供应商；已开发完成IGBT的CP测试资源；完成生产周期报表开发，加强订单回货周期管控，推动了封装运营管理系统进一步电子化。

    （四）子公司建设

    1、电基集成

    公司的全资子公司电基集成，始终秉持“用心生产产品，品质赢得客户；行动突破过去，创新迈向未来”的方针，致力为公司提供优质且稳定的封装和测试资源。

    电基集成目前已建设了先进车规级封测线，致力于研发与生产国际一流同行已有、但国内难以找到代工资源的先进封装技术和产品，已实现量产十余种高门槛、高附加值的封装形式，满足母公司近四成封装需求。

    在新能源与智能化浪潮中，公司积极布局车规级功率器件封装和测试技术，2025年实现TOLL封装产能提升21.8%，TO-247封装产能跃升51%，已完成QFNIPM立项，体现了电基集成在高端封装领域的研发实力，为新能源汽车、工业控制等领域客户提供了更可靠的供应链保障。

    2、金兰半导体

    公司的控股子公司金兰功率半导体（无锡）有限公司，其主要致力于半导体功率模块的研发、设计、生产与销售。随着新兴应用领域如汽车电子（含新能源）、5G基站电源、工业电源、新能源光伏及储能电源等对功率模块产品的需求持续旺盛，金兰功率半导体的设立将进一步加大公司在相关下游领域的应用拓展，成为公司发展道路上新的业绩增长点。

    目前金兰半导体已建立一支完整的包括产品开发、工艺技术、设备维护的技术团队，该团队大部分成员有十几年丰富的IGBT模块产品及工艺开发经验，同时具备卓越的生产品质管理经验。目前，金兰半导体已完成建设第一条IGBT模块的封装测试产线，生产线所选用的机器设备均为近两年世界上先进且技术成熟的封装测试设备，满产后可达到产能6万个模块/月。

    产品开发方面：

    （1）开发完成：基于650V和1200V电压平台，使用第七代微沟槽场截止技术的IGBT芯片，完成了9个模块产品平台的开发，为L34、LE1、LE2、LE3、L62、LD3、LQ2、LN2、LN3，电路拓扑有半桥、全桥6单元、PIM7单元、INPC、TNPC、ANPC等。以应用领域而分，在工业变频和电机驱动领域，完成开发了电流覆盖10A~800A的64款产品；在光伏逆变、储能领域，完成开发了电流100A~600A的27款产品；在电能质量领域，在650V平台，完成开发完全覆盖低压电能质量应用的4款产品；在焊接应用领域，完成开发1200V电压平台上电流40A~150A系列产品5款。

    （2）正在开发：基于1000V和1200V产品平台，使用第七代微沟槽场截止技术的IGBT芯片，多款应用于光伏逆变/储能领域和工业控制变频的IGBT模块产品正在开发。包括应用于工商业储能的产品E3_400A/1000VT电平模块、E3_600A/1100VINPC（同一电流电压规格下有3款拓扑不同的产品）E3480A/1200VANPCSIC硅基混合模块。公司已初步完成各应用领域的产品布局，接下来计划在原有产品平台上实现产品的进一步拓展，持续完善产品系列。

    报告期内，金兰半导体申请了专利38项（其中9项为发明专利），已授权27项（发明3项）；通过了“无锡市智能制造成熟度二级”“科技型中小企业”“江苏省星级上云企业”等认定。

    3、国硅集成

    公司的控股子公司国硅集成电路技术（无锡）有限公司，致力于智能功率集成电路芯片的设计，拥有完整的自主研发体系并掌握多项国内领先的关键核心技术，应用市场已涵盖汽车电子、光伏及储能、数据中心和工业控制等领域。一直以来，国硅集成特别注重研发与生产质量的建设与管理，并顺利通过ISO9001体系认证。

    目前，国硅集成已实现量产25V低侧驱动系列产品26款（2025年新增8款），适用于光伏MPPT应用，家电PFC应用；量产40V桥式驱动系列产品8款（2025年新增2款），适用于中小功率风机、中低压水泵；量产250V半桥驱动芯片40款（2025年新增10款），适用于智能短交通、电动工具应用；700V半桥驱动芯片30款（2025年新增2款），适用于储能、工业控制等应用；相关产品已经在储能、工控、电池化成柜、智能短交通、电动工具等领域的头部客户实现大批量应用。国硅集成2024年新增的智能功率模块（IPM）产品线，包括半桥IPM以及三相桥IPM，并在大家电、小家电、水泵、高压吊扇、高速吹风筒等市场展开推广、销售，2025年上半年三相IPM产品已经在头部白色家电厂商小批量试产。

    报告期内，国硅集成通过江苏省“两新”产品、无锡市三类企业遴选“瞪羚企业”等认定；“规模以上企业”、科技型中小企业年审；无锡市太湖湾科创带规上企业及高新技术产业认定补助。

    国硅集成2025年度新增授权知识产权6项，其中发明专利3项，集成电路布图3项。截至目前，国硅集成累计获得知识产权62项，其中专利17项（发明专利10项，实用新型7项），集成电路布图44件，软件著作权1件。

    4、SingaporeErubyMicroelectronicsPte.Ltd

    公司的海外全资子公司SingaporeErubyMicroelectronicsPte.Ltd，承担海外研发中心及全球销售中心两大任务。子公司充分利用新加坡丰富的人才资源，进行功率半导体技术的研究和突破，跟踪国际最新顶尖技术，建立与国际巨头的人才和技术交流机制，提升人才团队技术素养水平，提高公司核心竞争力，拓展国际市场。

    海外研发中心为公司的半导体功率器件提供底层原理性技术创新和突破，作为公司在国内研发中心的海外拓展及前瞻项目布局，前瞻性的开发功率前沿技术，引领全球功率器件水平的发展，主要产品包括但不限于硅基功率器件（MOSFET&IGBT）、第三代宽禁带半导体功率器件（SiC/GaN）、第四代超宽禁带半导体功率器件（GaO/金刚石）等，目标市场包括汽车电子、工业电子、消费电子、航空航天等。高集成度智能化电机驱动IC芯片、高集成度电源管理IC芯片（含高压隔离型高集成度电源管理IC芯片、高功率密度高集成度电源管理IC芯片），这两大平台产品与母公司现有市场、客户群体的需求高度吻合，结合公司已有且在发展的分立器件、功率模块等产品，助力公司成为整体应用方案提供商。报告期内公司积极扩充具有深厚的智能功率IC和功率器件研发经验的研发团队，完成了前期市场调研和产品定义，首款产品正在研发中。

    功率半导体海外市场占据全球市场60%的份额，公司高度重视海外渠道建设，同时为了更好地服务出海客户，目前公司汇聚数位精通多国语言、熟悉当地市场且了解半导体功率器件专业知识的人才，为公司在新加坡进行销售团队建立了雄厚的人才基础。报告期内，公司海外销售团队已培养了一定规模的海外经销商及终端客户，完成了批量订单的交付。

    （五）内部管理

    报告期内，公司继续完善内部治理，建立健全公司内部控制制度、内部流程体系，通过内部培训以及企业价值观建设，进一步整合优化各项制度流程，提升组织能力与运营效率；根据资本市场规范要求，提升公司规范运营和治理水平；严格按照相关法律法规的要求，认真履行信息披露义务，确保信息披露的及时、真实、准确和完整；认真做好投资者关系管理工作，通过多种渠道加强与投资者的联系和沟通，以便于投资者全面获取公司信息，树立公司良好的资本市场形象。同时，合法合规前提下积极做大做强公司市值，并借力资本市场进一步推动公司的整体快速发展。

    （六）投资情况

    报告期内，公司围绕整体发展战略，持续关注外延式扩张机会，主要目标集中在产业链相关领域，通过对国家战略性新兴产业领域具有良好发展前景和增长潜力的企业进行直接或间接的股权投资，进行积极的横向与纵向资源整合，最大程度发挥协同效应，进一步加强与客户之间的合作黏性，有利于公司更好地契合下游市场，更精准地开发新品并进行快速推广，以增强公司的核心竞争力，提升长期盈利能力，创造更多的经济效益与社会价值。

    （七）荣誉奖项

    2025年上半年，公司新增荣誉如下：

    2024年中国功率半导体十强企业

    2025年无锡市数字经济和数字化转型发展资金项目

    2025年无锡市生态型创新联合体建设项目

    2025年享受增值税加计抵减政策先进制造业企业资质

    2025年国家级创新型中小企业资质复审

    三、报告期内核心竞争力分析

    1、研发实力优势

    自成立以来，公司始终专注于半导体功率器件行业，具备独立的IGBT、MOSFET、SiCMOSFET、GaNHEMT芯片设计能力和自主的工艺技术平台。截至报告期末，公司（含子公司）拥有248项专利（其中发明专利122项、美国专利2项），集成电路布局图44项，软件著作权1项，相关发明专利数量和占比在国内半导体功率器件行业内位居前列；公司拥有的专利与IGBT、MOSFET、功率模块以及先进工艺技术密切相关，对公司核心技术形成了专利保护，对同行业竞争者和潜在竞争者均形成了较高的技术壁垒。此外，公司参与在IEEETDMR等国际知名期刊中发表论文22篇，其中SCI收录论文15篇，持续提升公司自身在先进功率半导体领域的整体技术水平，已实现对国际一流半导体功率器件企业在主流产品中的技术替代。

    公司与科研院所在功率器件设计领域开展长期合作，针对重点项目成立了技术攻关小组。公司持续推进高端IGBT、MOSFET的研发和产业化，在已推出先进的超薄晶圆IGBT、超结MOSFET、屏蔽栅MOSFET产品基础上，进一步对上述产品升级换代。公司率先在国内研发并量产基于12英寸芯片工艺平台的MOSFET产品，实现基于12英寸芯片工艺平台的IGBT产品的大规模量产，并新增开发多款模块产品、基于RISC-V内核的MCU及功率IC产品以不断丰富产品品类；持续布局半导体功率器件最先进的技术领域，实现对SiC/GaN宽禁带半导体功率器件的研发与产业化，紧跟最先进的技术梯队，提升公司核心产品竞争力和国内外市场地位。

    2、产品系列优势

    公司目前主要产品为IGBT、屏蔽栅功率MOSFET、超结功率MOSFET、沟槽型功率MOSFET等半导体芯片和功率器件，形成了十二大产品平台，除上述四个成熟产品线外，还包括车规级功率器件、SiCMOSFET、GaNHEMT、功率模块、栅极驱动IC、电源管理IC、IPM智能功率模块、MCU，为客户提供多元化解决方案。公司已拥有覆盖12V~1700V电压范围、0.1A~450A电流范围的多系列细分型号产品，是国内领先的半导体功率器件行业中MOSFET产品系列最齐全且技术领先的设计企业。在IGBT领域，公司产品品类进一步丰富，除应用于光伏储能、汽车、工业等领域的单管产品外，IGBT模块产品目前已经实现小规模销售；在化合物半导体领域，公司的SiCMOSFET部分产品已通过客户验证并实现规模销售，GaNHEMT部分产品开发完成并通过可靠性测试。公司通过构建主要产品工艺技术平台，衍生开发细分型号产品，并持续升级产品工艺平台，形成了“构建-衍生-升级”的良性发展模式，从而使得公司细分型号产品能够快速、“裂变式”产生，满足下游多个领域的需求，最终引致公司经营规模迅速增长。同时，公司引进高端人才，新增开发多款将数字、模拟、功率半导体三大领域的技术单芯片集成电机驱动IC芯片和电源管理IC芯片以不断丰富产品品类，加快搭载基于RISC-V内核的MCU芯片及数模混合产品。截至目前，公司已拥有近4000款的细分型号产品，能够满足不同下游市场客户以及同一下游市场不同客户的差异化需求。

    3、产品品质优势

    公司拥有完善的产品质量管控体系，针对产品进行全流程质量管控，产品性能优良、质量稳定、一致性高。公司建立了严格的供应商选择机制，供应商均为业内技术先进、质量可靠的知名企业。公司芯片代工主要来源于华虹宏力等国内外领先的芯片代工企业，封装测试主要采购子公司电基集成、日月新、长电科技（600584）、捷敏电子等封装测试企业的服务，强劲稳定的供应链保证公司产品的品质与可靠性。公司通过了ISO9001:2015质量管理体系、IATF16949体系的认证；同时，公司的“绝缘栅双极型晶体管（IGBT）”、“屏蔽栅沟槽型功率MOSFET”、“超结功率MOSFET”、“沟槽型功率MOSFET”等产品被江苏省科技厅认定为高新技术产品，多款产品通过AEC-Q101车规级认证。公司产品在细分市场领域具有较高的品质优势。

    4、产业链协作优势

    产业链协作对于半导体功率器件研发设计企业十分重要。IGBT、MOSFET相比于其他半导体功率器件具有较为优异或差异化的性能特征，因此，IGBT、MOSFET的器件结构、参数性能需在更为严苛的工艺端才能实现或达到最优状态，这使得IGBT、MOSFET主要基于8英寸以及12英寸芯片工艺平台进行流片，而且往往需要在具备先进封装测试工艺的厂商进行封测代工。

    公司目前是国内8英寸和12英寸工艺平台上IGBT和MOSFET芯片投片量最大的半导体功率器件设计公司，并与产业链中多数优秀供应商已形成了相互依存、共同发展的紧密合作关系，且通过全资子公司电基集成建设了先进封测线，致力于研发与生产国际一流同行已有、但国内无法找到代工资源的先进封装技术和产品，同时子公司金兰半导体已建成先进功率模块生产线，形成了公司较为突出的产业链协作优势。

    5、进口替代优势

    国内半导体产品特别是高端半导体产品严重依赖进口。公司作为国内领先的半导体功率器件设计企业，通过多年的研发积累和技术引进，在技术水平、生产工艺和产品质量等方面已接近国际先进水平。公司的研发设计紧跟英飞凌（Infineon）等国外一线品牌，沟槽型场截止IGBT、屏蔽栅功率MOSFET以及超结功率MOSFET等产品已成为公司的主力销售产品，部分产品的参数性能及应用表现与英飞凌等国外一线品牌主流产品甚至最新产品相当，实现对MOSFET、IGBT等中高端产品的进口替代，体现了较强的进口替代优势。

    6、品牌和客户优势

    公司一直高度重视产品质量管理和客户关系的维护，建立了快速的客户服务和客户反馈响应机制，保证快速满足客户需求又能够紧跟市场的变化，支持公司产品线的持续更新。公司通过领先的产品技术、丰富的产品种类、优良的产品质量以及优质的销售服务已进入新能源汽车和充电桩、智能机器人、光伏储能、AI服务器和数据中心、无人机、高端工控等多个下游细分领域，且已为下游行业内多家龙头客户供货，并依托龙头客户产生的市场效应不断向行业内其他企业拓展。2024年度，世界半导体协会发布全球半导体企业综合竞争力百强，公司作为上榜的唯一一家中国功率半导体设计公司，展现了强大的品牌影响力和客户认可度。

    7、人才优势

    公司一直重视人才培养和团队建设，人才结构长期稳定，已经培养了一批具备较强的研发能力的高素质技术团队和丰富的市场实战经验和营销能力的销售团队。以董事长朱袁正先生为领军人物的公司研发团队，是国内最早一批专注于8英寸和12英寸芯片工艺平台对MOSFET、IGBT等先进的半导体功率器件进行技术研发和产品设计的先行者之一，在MOSFET、IGBT等先进的半导体功率器件这一细分领域具有雄厚的技术实力和丰富的研发经验。公司销售团队市场经验丰富，不仅掌握和熟悉公司产品性能参数，还能够理解和解决客户端在应用中经常出现的问题，同时能够协调和帮助客户与公司进行有效沟通；不仅掌握销售技巧快速实现公司的产品销售，还能够对客户回款的及时性、安全性担负起相应责任。报告期内，公司设立海外全资子公司，引进和培养高端功率集成电路领域的专业人才，制定适宜当地情况的激励机制，快速组建精悍团队，同时建立与国际巨头的人才和技术交流机制，提升国内外人才团队技术素养水平。

    公司不断加强人才管理，针对核心人才实施了包括股权激励在内的多种激励和约束机制，能够顺应公司的战略发展方向和保障公司战略方针的有效执行。

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