时代电气：SiC第四代沟槽栅产品已完成设计定型

证券之星消息，时代电气(688187)07月23日在投资者关系平台上答复投资者关心的问题。

投资者提问：四部门要求‘高压SiC模块国产化’，公司作为唯一覆盖材料-应用全链的国企，2025年国产化率目标是否从60%提至80%？如何应对斯达半导在车规IGBT的份额挤压？

时代电气回复：尊敬的投资者您好！公司拥有一条6英寸SiC芯片产线，当前已具备年产2.5万片6英寸SiC芯片产能。当前公司SiC第四代沟槽栅产品已完成设计定型，达行业先进水平，第五代SiC技术也已完成布局。目前SiC重点产品包括3300V高压平面栅SiCMOSFET、1200V精细平面栅SiCMOSFET，1200VSBD等，1200V沟槽栅SiCMOSFET性能指标基本对标国际龙头企业。公司SiCMOSFET覆盖650V-6500V电压等级，适合高频/大功率密度系统要求，可广泛应用于新能源汽车、不间断电源（UPS）、风力发电、光伏逆变器、铁路运输、工业、智能电网等领域。株洲三期于2024年11月份启动建设，2025年5月主体厂房封顶，预计2025年下半年启动设备搬入，2025年底有望实现产线拉通，该项目为8英寸SiC晶圆。

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