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三安光电：湖南三安主驱逆变器用SiCMOSFET迭代至1200V13mΩ

来源：证星互动追踪 2025-07-14 17:39:13

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证券之星消息，三安光电(600703)07月14日在投资者关系平台上答复投资者关心的问题。

投资者提问：董秘您好，即将上市的理想i8，i6搭载的sic芯片是否由湖南三安制造?

三安光电回复：湖南三安的主驱逆变器用SiCMOSFET从1200V16mΩ迭代到1200V13mΩ，在国内头部电动车企客户处的摸底模块验证已完成。公司将持续推进电力电子业务发展，加快实现公司销售规模、盈利能力提升。

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