甬矽电子获得发明专利授权：“扇出型封装结构及其制备方法”

证券之星消息，根据天眼查APP数据显示甬矽电子（688362）新获得一项发明专利授权，专利名为“扇出型封装结构及其制备方法”，专利申请号为CN202111503517.9，授权日为2025年5月30日。

专利摘要：本发明的实施例提供了一种扇出型封装结构及其制备方法，涉及半导体封装技术领域，将主体芯片设置在第一塑封体内，同时在第一塑封体的第一表面开设第一凹槽，将第一贴装芯片贴装在第一凹槽内，并且在第一塑封体内设置第一导电柱，以实现主体芯片的电连接。相较于常规技术，本发明通过将主体芯片和第一贴装芯片堆叠嵌设在第一塑封体内，第一贴装芯片在空间上堆叠于主体芯片上方，从而相较于平铺型的扇出型结构能够大幅减小封装尺寸，缩小封装面积，有利于产品的小型化。同时主体芯片通过第一导电柱与第一布线组合层连接，能够大幅减小传输速率，使得其扇出型产品堆叠性能更加卓越。

今年以来甬矽电子新获得专利授权36个，较去年同期增加了80%。结合公司2024年年报财务数据，2024年公司在研发方面投入了2.17亿元，同比增49.29%。

数据来源：天眼查APP

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