格力电器获得发明专利授权：“MOS器件及其制备方法”

证券之星消息，根据天眼查APP数据显示格力电器（000651）新获得一项发明专利授权，专利名为“MOS器件及其制备方法”，专利申请号为CN202411565542.3，授权日为2025年3月7日。

专利摘要：本申请公开了一种MOS器件及其制备方法，该MOS器件包括：衬底以及在衬底的一侧具有漂移层，漂移层具有背离衬底的第一表面，MOS器件还包括：至少一个源区结构，源区结构包括第一重掺杂区、第二重掺杂区和第一体区，第一重掺杂区和第一体区具有第一掺杂类型，第二重掺杂区具有第二掺杂类型，第一体区至少位于第一重掺杂区和第二重掺杂区靠近衬底的一侧，第一体区与漂移层具有不同的半导体材料；栅极结构，栅极结构包括栅极和第一栅介质，第一栅介质至少位于栅极与源区结构之间，其中，第一栅介质至少与第一体区和第二重掺杂区接触。以解决相关技术中MOS器件的沟道迁移率低的问题。

今年以来格力电器新获得专利授权953个，较去年同期增加了3.03%。结合公司2024年中报财务数据，2024上半年公司在研发方面投入了35.32亿元，同比减0.35%。

数据来源：天眼查APP

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