证券之星消息，根据天眼查APP数据显示广立微（301095）新获得一项实用新型专利授权，专利名为“一种FinFET工艺中栅极间距漂移的电学检测结构及系统”，专利申请号为CN202420562884.9，授权日为2025年3月4日。
专利摘要：实用新型公开了一种FinFET工艺中栅极间距漂移的电学检测结构，包括沿水平方向竖直设置的多根栅极，至少包括一组检测单元，所述检测单元包括至少一个第一连接部和至少二个第二连接部，以及，待测单元，包括以第一间距形成的多根栅极，以及在相邻栅极之间设置的衔接金属层；所述第一连接部与所述栅极电连接，二个所述第二连接部分别与不同的所述衔接金属层电连接。通过上述方式，本实用新型能够快速且大样本的测试栅极中心间距的差别并表征出具体差别情况。
今年以来广立微新获得专利授权16个，较去年同期增加了433.33%。结合公司2024年中报财务数据，2024上半年公司在研发方面投入了1.32亿元，同比增41.77%。
数据来源：天眼查APP
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