天邑股份获得实用新型专利授权：“提高SLIC芯片QFN封装散热性能的引线框架结构及芯片”

证券之星消息，根据天眼查APP数据显示天邑股份（300504）新获得一项实用新型专利授权，专利名为“提高SLIC芯片QFN封装散热性能的引线框架结构及芯片”，专利申请号为CN202422974181.X，授权日为2025年1月28日。

专利摘要：本实用新型提供了一种提高SLIC芯片QFN封装散热性能的引线框架结构及芯片，包括：芯片、散热底板、半导体键合金线、封装体以及封装引脚；所述芯片与散热底板的一个面接触，所述散热底板的另一个面为散热面，所述封装引脚用于焊接，所述芯片和封装引脚通过半导体键合金线电连接，所述封装体包裹所述芯片、散热底板、半导体键合金线以及封装引脚；所述散热面暴露在所述封装体的外表面，且散热面位于封装体底部的焊接面。本实用新型创新地提出了一种引线框架结构，在焊接面设置有散热结构，大幅增加底部散热盘的有效面积，加速散热效率。

今年以来天邑股份新获得专利授权5个，较去年同期增加了400%。结合公司2024年中报财务数据，2024上半年公司在研发方面投入了4686.24万元，同比减16.41%。

数据来源：天眼查APP

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