天邑股份获得实用新型专利授权：“提升高压SLIC芯片的耐压性能与爬电距离的封装结构及芯片”

证券之星消息，根据天眼查APP数据显示天邑股份（300504）新获得一项实用新型专利授权，专利名为“提升高压SLIC芯片的耐压性能与爬电距离的封装结构及芯片”，专利申请号为CN202422974182.4，授权日为2025年1月28日。

专利摘要：本实用新型提供了一种提升高压SLIC芯片的耐压性能与爬电距离的封装结构及芯片，包括：LV芯片、HV芯片、引脚、绝缘增强体以及载体；LV芯片和HV芯片绝缘固定在载体的表面上，引脚固定设置在载体的四周，引脚与LV芯片通过半导体键合金线电连接，引脚与HV芯片通过半导体键合金线电连接；引脚包括高压引脚和低压引脚，高压引脚之间的间距大于低压引脚之间的间距；绝缘增强体设置在HV芯片和载体之间，绝缘增强体的顶面和底面分别与HV芯片和载体固定连接。本实用新型可有效增加高压引脚之间的物理爬电距离，增加高压芯片和底板之间的绝缘厚度，从而提升产品安全性能，提升耐压能力。

今年以来天邑股份新获得专利授权5个，较去年同期增加了400%。结合公司2024年中报财务数据，2024上半年公司在研发方面投入了4686.24万元，同比减16.41%。

数据来源：天眼查APP

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