中微公司获得发明专利授权：“耐等离子体腐蚀半导体零部件及其制备方法和等离子体反应装置”

证券之星消息，根据天眼查APP数据显示中微公司（688012）新获得一项发明专利授权，专利名为“耐等离子体腐蚀半导体零部件及其制备方法和等离子体反应装置”，专利申请号为CN202011541484.2，授权日为2024年12月10日。

专利摘要：本发明公开了耐等离子体腐蚀半导体零部件及其制备方法和等离子体反应装置，该方法包含：提供一半导体零部件本体；提供一靶材，用于提供具有晶面随机分布的分子流；提供至少一晶面过滤器，设置在所述的半导体零部件本体与所述靶材之间，用于选择过滤分子流，以在半导体零部件本体表面形成耐等离子腐蚀涂层，该涂层具有对应不同强度的多个晶面结构。本发明通过在半导体零部件本体与靶材之间设置晶面过滤器，优先在晶面过滤器表面沉积与小于第三高强度的各个强度对应的各晶面，以实现在半导体零部件本体表面主要沉积与大于第四高强度的各个强度对应的各晶面，使得涂层达到类似单晶结构的效果，提高涂层耐腐蚀能力，进而提高等离子体刻蚀水平。

今年以来中微公司新获得专利授权116个，较去年同期减少了22.15%。结合公司2024年中报财务数据，今年上半年公司在研发方面投入了5.68亿元，同比增94.58%。

数据来源：天眼查APP

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